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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MTZJT-7222B | - |  | 3058 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MTZ J | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | ± 3% | - | 구멍을 구멍을 | do-204Ag, do-34, 축 방향 | MTZJT-72 | 500MW | MSD | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | MTZJT7222B | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 17 v | 22 v | 30 옴 | |||||||||||||||||||
| MTZJT-7230A | - | | 9186 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MTZ J | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | ± 3% | - | 구멍을 구멍을 | do-204Ag, do-34, 축 방향 | MTZJT-72 | 500MW | MSD | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | MTZJT7230A | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 23 v | 30 v | 55 옴 | |||||||||||||||||||
| MTZJT-729.1C | - | | 3679 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MTZ J | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | ± 3% | - | 구멍을 구멍을 | do-204Ag, do-34, 축 방향 | MTZJT-72 | 500MW | MSD | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | MTZJT729.1C | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 na @ 6 v | 9.1 v | 20 옴 | |||||||||||||||||||
| MTZJT-7724D | - | | 9519 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MTZ J | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | ± 3% | - | 구멍을 구멍을 | do-204Ag, do-34, 축 방향 | 500MW | MSD | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | MTZJT7724D | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 19 v | 24 v | 35 옴 | ||||||||||||||||||||
 | EDZVT2R6.8B | 0.3000 | | 11 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | EDZV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | EDZVT2 | 150 MW | EMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 500 NA @ 3.5 v | 6.8 v | 40 | ||||||||||||||||||||
 | tfzgtr15b | 0.4800 | | 959 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | - | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | TFZGTR15 | 500MW | Tumd2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 na @ 11 v | 15 v | 16 옴 | ||||||||||||||||||||
| TFZGTR3.0B | 0.0886 | | 9969 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | - | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | tfzgtr3.0 | 500MW | Tumd2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3 v | ||||||||||||||||||||||
| TFZGTR3.3B | 0.0886 | | 3503 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | - | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | tfzgtr3.3 | 500MW | Tumd2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3.3 v | ||||||||||||||||||||||
| tfzgtr5.1b | 0.0886 | | 5337 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | - | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | TFZGTR5.1 | 500MW | Tumd2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µa @ 1.5 v | 5.1 v | 20 옴 | ||||||||||||||||||||
 | UDZVTE-172.0B | 0.2700 | | 6 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | udzvte | 200 MW | UMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 120 µa @ 500 mV | 2 v | 100 옴 | ||||||||||||||||||||
| UDZVTE-177.5B | 0.2700 | | 8 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | udzvte | 200 MW | UMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 500 na @ 4 v | 7.5 v | 30 옴 | ||||||||||||||||||||
 | TFZVTR27B | 0.3700 | | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | TFZVTR27 | 500MW | tumd2m | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 na @ 21 v | 27 v | 45 옴 | ||||||||||||||||||||
| tfzvtr5.6b | 0.3700 | | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | TFZVTR5.6 | 500MW | tumd2m | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µa @ 2.5 v | 5.6 v | 13 옴 | ||||||||||||||||||||
| TFZVTR6.2B | 0.3700 | | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | TFZVTR6.2 | 500MW | tumd2m | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µa @ 3 v | 6.2 v | 10 옴 | ||||||||||||||||||||
 | cdzvt2r11b | 0.2700 | | 7 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | cdzvt2 | 100MW | vmn2m | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 8 v | 11 v | 30 옴 | ||||||||||||||||||||
| CDZVT2R15B | 0.2700 | | 10 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | cdzvt2 | 100MW | vmn2m | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 11 v | 15 v | 42 옴 | ||||||||||||||||||||
| CDZVT2R18B | 0.2700 | | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | cdzvt2 | 100MW | vmn2m | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 13 v | 18 v | 65 옴 | ||||||||||||||||||||
| CDZVT2R27B | 0.2700 | | 4 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | cdzvt2 | 100MW | vmn2m | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 21 v | 27 v | 150 옴 | ||||||||||||||||||||
| CDZVT2R36B | 0.2700 | | 12 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | cdzv | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | cdzvt2 | 100MW | vmn2m | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 27 v | 36 v | 300 옴 | ||||||||||||||||||||
| cdzvt2r3.0b | 0.2700 | | 38 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | cdzv | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | cdzvt2 | 100MW | vmn2m | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 50 µa @ 1 v | 3 v | 120 옴 | ||||||||||||||||||||
| cdzvt2r4.7b | 0.2700 | | 29 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | cdzvt2 | 100MW | vmn2m | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 2 µa @ 1 v | 4.7 v | 100 옴 | ||||||||||||||||||||
| UDZLVTE-1762 | 0.3000 | | 74 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 150 ° C | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | udzlvte | 200 MW | SOD-323FL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 µa @ 47 v | 62 v | |||||||||||||||||||||
| UDZLVTE-17150 | 0.3000 | | 24 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 150 ° C | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | udzlvte | 200 MW | SOD-323FL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 na @ 120 v | 150 v | |||||||||||||||||||||
| RB168VAM100TR | 0.4200 | | 19 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | RB168 | Schottky | tumd2m | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 840 mV @ 1 a | 300 NA @ 100 v | 150 ° C (°) | 1A | - | ||||||||||||||||||
| tdzvtr22 | 0.3800 | | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | tdzvtr22 | 500MW | tumd2m | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µa @ 16 v | 22 v | |||||||||||||||||||||
 | rd3p130spfratl | 1.9100 | | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | RD3P130 | MOSFET (금속 (() | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 100 v | 13A (TA) | 4V, 10V | 200mohm @ 6.5a, 10V | 2.5V @ 1mA | 40 nc @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 25 v | - | 20W (TC) | |||||||||||||
 | pdzvtftr12b | 0.4400 | | 17 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101, PDZVTF | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6.25% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-128 | pdzvtftr12 | 1 W. | pmdtm | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µa @ 9 v | 12.75 v | 8 옴 | ||||||||||||||||||||
| pdzvtftr3.0b | 0.4400 | | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101, PDZVTF | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6.67% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-128 | pdzvtftr3.0 | 1 W. | pmdtm | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 µa @ 1 v | 3.2 v | 15 옴 | ||||||||||||||||||||
| pdzvtftr4.3b | 0.4400 | | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101, PDZVTF | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5.81% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-128 | pdzvtftr4.3 | 1 W. | pmdtm | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 20 µa @ 1 v | 4.55 v | 15 옴 | ||||||||||||||||||||
| pdzvtftr5.6b | 0.4400 | | 11 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101, PDZVTF | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6.25% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-128 | pdzvtftr5.6 | 1 W. | pmdtm | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 20 µa @ 1.5 v | 5.95 v | 8 옴 |
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