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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
ZLLS500TA Diodes Incorporated Zlls500ta 0.5100
RFQ
 ECAD 58 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Zlls500 Schottky SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 530mV @ 500 MA 3 ns 10 µa @ 30 v 150 ° C (°) 700ma 16pf @ 30V, 1MHz
ZTX755 Diodes Incorporated ZTX755 -
RFQ
 ECAD 2266 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX755 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ZTX755-NDR 귀 99 8541.29.0075 4,000 150 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200ma, 1a 50 @ 500ma, 5V 30MHz
ZTX751STZ Diodes Incorporated ZTX751STZ 0.8600
RFQ
 ECAD 7202 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX751 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 60 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200ma, 2a 100 @ 500ma, 2v 100MHz
BZT52C33-13 Diodes Incorporated BZT52C33-13 -
RFQ
 ECAD 2021 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 23.1 v 33 v 80 옴
ZVP4424ASTZ Diodes Incorporated ZVP4424ASTZ 0.4880
RFQ
 ECAD 8277 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & t (TB) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZVP4424 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.21.0095 2,000 p 채널 240 v 200MA (TA) 3.5V, 10V 9ohm @ 200ma, 10V 2V @ 1mA ± 40V 200 pf @ 25 v - 750MW (TA)
DMG5802LFX-7 Diodes Incorporated DMG5802LFX-7 0.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vfdfn 노출 패드 DMG5802 MOSFET (금속 (() 980MW W-DFN5020-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 24V 6.5A 15mohm @ 6.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 31.3NC @ 10V 1066.4pf @ 15V 논리 논리 게이트
B220AQ-13-F Diodes Incorporated B220AQ-13-F 0.3800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA B220 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 2 a 500 µa @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A 200pf @ 40V, 1MHz
ZXMN2A01E6TC Diodes Incorporated ZXMN2A01E6TC -
RFQ
 ECAD 8701 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 20 v 2.5A (TA) 2.5V, 4.5V 120mohm @ 4a, 4.5v 700mv @ 250µa (최소) 3 NC @ 4.5 v ± 12V 303 pf @ 15 v - 1.1W (TA)
ZXT13N15DE6TC Diodes Incorporated ZXT13N15DE6TC -
RFQ
 ECAD 6949 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 ZXT13N15D 1.1 w SOT-23-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 10,000 15 v 5 a 100NA NPN 200mv @ 100ma, 5a 300 @ 1a, 2v 72MHz
DXT5551P5-13 Diodes Incorporated DXT5551P5-13 0.4800
RFQ
 ECAD 407 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerDI ™ 5 DXT5551 2.25 w PowerDI ™ 5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 5,000 160 v 600 MA 50NA (ICBO) NPN 200mv @ 5ma, 50ma 80 @ 10ma, 5V 130MHz
SBR3060CTB-13 Diodes Incorporated SBR3060CTB-13 1.0300
RFQ
 ECAD 700 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SBR3060 슈퍼 슈퍼 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 15a 620 MV @ 15 a 500 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C
MMSZ5230BS-7 Diodes Incorporated MMSZ5230BS-7 -
RFQ
 ECAD 4179 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 MMSZ5230B 200 MW SOD-323 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 2 v 4.7 v 19 옴
ACX143ZUQ-13R Diodes Incorporated ACX143ZUQ-13R 0.0481
RFQ
 ECAD 8504 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 ACX143 270MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7kohms 47kohms
DMPH3010LPSQ-13 Diodes Incorporated DMPH3010LPSQ-13 0.4631
RFQ
 ECAD 5150 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMPH3010 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 10a, 10V 2.1V @ 250µA 139 NC @ 10 v ± 20V 6807 pf @ 15 v - 2.6W (TA)
MMBZ5221BT-7-G Diodes Incorporated MMBZ5221BT-7-G -
RFQ
 ECAD 5446 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MMBZ5221BT-7-GDI 귀 99 8541.10.0050 3,000
DFLS160-7-52 Diodes Incorporated DFLS160-7-52 0.0882
RFQ
 ECAD 7067 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 표면 표면 PowerDI®123 DFLS160 Schottky PowerDI ™ 123 다운로드 31-DFLS160-7-52 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 500 mV @ 1 a 100 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 67pf @ 10V, 1MHz
DDTA115EUA-7-F Diodes Incorporated DDTA115EUA-7-F 0.0435
RFQ
 ECAD 7846 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DDTA115 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 82 @ 5MA, 5V 250MHz 100 KOHMS 100 KOHMS
DFLS230-7 Diodes Incorporated DFLS230-7 0.6100
RFQ
 ECAD 68 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI®123 DFLS230 Schottky PowerDI ™ 123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 490 mV @ 2 a 1 ma @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A 75pf @ 10V, 1MHz
SDT12A120P5-13D Diodes Incorporated SDT12A120P5-13D 0.2700
RFQ
 ECAD 3947 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI ™ 5 SDT12 Schottky PowerDI ™ 5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 800 mV @ 12 a 500 µa @ 120 v -55 ° C ~ 150 ° C 12a -
SBR05U20LP-7 Diodes Incorporated SBR05U20LP-7 -
RFQ
 ECAD 1255 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 0402 (1006 메트릭) SBR05 슈퍼 슈퍼 X1-DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 500 mA 50 µa @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C 500ma -
SBL1635CT Diodes Incorporated SBL1635CT -
RFQ
 ECAD 3935 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 Schottky TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 16A 550 mV @ 8 a 500 µa @ 35 v -65 ° C ~ 150 ° C
APD245VGTR-G1 Diodes Incorporated APD245VGTR-G1 -
RFQ
 ECAD 5064 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 APD245 Schottky DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 500 mV @ 2 a 500 µa @ 45 v -65 ° C ~ 125 ° C 2A -
DMP22D6UT-7 Diodes Incorporated DMP22D6UT-7 0.5200
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 DMP22 MOSFET (금속 (() SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 430MA (TA) 1.8V, 4.5V 1.1ohm @ 430ma, 4.5v 1V @ 250µA ± 8V 175 pf @ 16 v - 150MW (TA)
DMP6110SVT-7 Diodes Incorporated DMP6110SVT-7 0.6000
RFQ
 ECAD 93 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMP6110 MOSFET (금속 (() TSOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 7.3A (TC) 4.5V, 10V 105mohm @ 4.5a, 10V 3V @ 250µA 17.2 NC @ 10 v ± 20V 969 pf @ 30 v - 1.2W (TA)
SBR40100CTFP Diodes Incorporated SBR40100CTFP 2.6000
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SBR40100 슈퍼 슈퍼 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 820 MV @ 20 a 100 @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C
DDC123JU-7-F Diodes Incorporated DDC123JU-7-F 0.4100
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDC123 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
SBR8S45SP5-13 Diodes Incorporated SBR8S45SP5-13 -
RFQ
 ECAD 6094 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - SBR8S45 - - 1 (무제한) 31-SBR8S45SP5-13TR 쓸모없는 1,000 - - - -
BC856ASQ-7-F Diodes Incorporated BC856ASQ-7-F 0.0483
RFQ
 ECAD 1081 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC856 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 PNP (() 650MV @ 5MA, 100MA 125 @ 2MA, 5V 100MHz
MBR20H100CTF-G1 Diodes Incorporated MBR20H100CTF-G1 -
RFQ
 ECAD 7816 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 Schottky TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 770 MV @ 10 a 4.5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C
BAV23CQ-7-F Diodes Incorporated BAV23CQ-7-F 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV23 기준 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 250 v 400MA (DC) 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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