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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BAS40-04T-7-F Diodes Incorporated BAS40-04T-7-F 0.4500
RFQ
 ECAD 425 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 BAS40 Schottky SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 40 v 200MA (DC) 1 v @ 40 ma 5 ns 200 na @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C
SMAZ6V8-13-F Diodes Incorporated smaz6v8-13-f 0.4700
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA smaz6 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 4 v 6.8 v 2 옴
DDTC115TE-7-F Diodes Incorporated DDTC115TE-7-F 0.0605
RFQ
 ECAD 2327 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 DDTC115 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 100µa, 1ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 100 KOHMS
DMP2900UW-13 Diodes Incorporated DMP2900UW-13 0.0498
RFQ
 ECAD 2364 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMP2900 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMP2900UW-13DI 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 20 v 600MA (TA) 1.8V, 4.5V 750mohm @ 430ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.7 nc @ 4.5 v ± 6V 49 pf @ 16 v - 300MW
ZXTP25012EZTA Diodes Incorporated ZXTP25012EZTA 0.5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA ZXTP25012 2.4 w SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 12 v 4.5 a 50NA (ICBO) PNP 285MV @ 450MA, 4.5A 500 @ 10ma, 2v 310MHz
ZUMT720TA Diodes Incorporated zumt720ta 0.3900
RFQ
 ECAD 7504 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 Zumt720 500MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 750 MA 10NA PNP 250mv @ 100ma, 750ma 90 @ 500ma, 2V 220MHz
BZT52C24S-7-F Diodes Incorporated BZT52C24S-7-F 0.2800
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZT52 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 16.8 v 24 v 70 옴
ZVN2120A Diodes Incorporated ZVN2120A -
RFQ
 ECAD 5373 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) MOSFET (금속 (() To-92 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 200 v 180MA (TA) 10V 10ohm @ 250ma, 10V 3V @ 1mA ± 20V 85 pf @ 25 v - 700MW (TA)
MMSZ5223B-7 Diodes Incorporated MMSZ5223B-7 -
RFQ
 ECAD 5584 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5223B 500MW SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 75 µa @ 1 v 2.7 v 30 옴
BZX84C6V8-7-F-31 Diodes Incorporated BZX84C6V8-7-F-31 -
RFQ
 ECAD 3564 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5.88% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-BZX84C6V8-7-F-31TR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 4 v 6.8 v 15 옴
MMBZ5245BW-7 Diodes Incorporated MMBZ5245BW-7 -
RFQ
 ECAD 6418 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMBZ5245B 200 MW SOT-323 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 11 v 15 v 16 옴
1N5258B-T Diodes Incorporated 1N5258B-T -
RFQ
 ECAD 7446 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5258 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 27 v 36 v 70 옴
DDTC144GCA-7-F Diodes Incorporated DDTC144GCA-7-F 0.0386
RFQ
 ECAD 9426 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC144 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms
MMSZ5240B-7-F Diodes Incorporated MMSZ5240B-7-F 0.2200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5240 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 8 v 10 v 17 옴
BZT52C51S-7 Diodes Incorporated BZT52C51S-7 0.2800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZT52 200 MW SOD-323 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 38 v 51 v 100 옴
PDS1040CTL-13 Diodes Incorporated PDS1040CTL-13 1.5000
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI ™ 5 PDS1040 Schottky PowerDI ™ 5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 5a 500 mV @ 5 a 200 µa @ 40 v -65 ° C ~ 150 ° C
DMN31D5L-13 Diodes Incorporated DMN31D5L-13 0.0474
RFQ
 ECAD 9497 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN31 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 30 v 500MA (TA) 2.5V, 4V 1.5ohm @ 10ma, 4v 1.6V @ 250µA 1.2 NC @ 10 v ± 20V 50 pf @ 15 v - 350MW (TA)
BZT52C22S-7 Diodes Incorporated BZT52C22S-7 -
RFQ
 ECAD 4380 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZT52 200 MW SOD-323 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 15.4 v 22 v 55 옴
DL4005-13-F Diodes Incorporated DL4005-13-F -
RFQ
 ECAD 2701 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 do-213ab, melf (유리) DL4005 기준 멜프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 600 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
BZX84C24W-7 Diodes Incorporated BZX84C24W-7 -
RFQ
 ECAD 5204 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 6% -65 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84 200 MW SOT-323 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 16.8 v 24 v 70 옴
MMSZ5241B-7 Diodes Incorporated MMSZ5241B-7 -
RFQ
 ECAD 7283 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5241B 500MW SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 8.4 v 11 v 22 옴
BZX84C27-7 Diodes Incorporated BZX84C27-7 -
RFQ
 ECAD 1023 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 18.9 v 27 v 80 옴
BZT52C15T-7 Diodes Incorporated BZT52C15T-7 0.2100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZT52 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 10.5 v 15 v 30 옴
BZX84C13-7-F Diodes Incorporated BZX84C13-7-F 0.1500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 13 v 30 옴
MMSZ5226B-7-F Diodes Incorporated MMSZ5226B-7-F 0.2000
RFQ
 ECAD 127 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5226 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 25 µa @ 1 v 3.3 v 28 옴
BZX84C33W-7 Diodes Incorporated BZX84C33W-7 0.1000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.06% -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 23.1 v 33 v 80 옴
BZT52C33-7-F Diodes Incorporated BZT52C33-7-F 0.2100
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 23.1 v 33 v 80 옴
DDTA113ZCA-7-F Diodes Incorporated DDTA113ZCA-7-F 0.0386
RFQ
 ECAD 2785 0.00000000 다이오드가 다이오드가 DDTA (R1 ≠ R2 시리즈) CA 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTA113 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 10ma, 5V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
SMAZ7V5-13-F Diodes Incorporated smaz7v5-13-f 0.4700
RFQ
 ECAD 108 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA smaz7 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 5 v 7.5 v 2 옴
ZXTP2025FTA Diodes Incorporated zxtp2025fta 0.7900
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXTP2025 1.2 w SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 50 v 5 a 20NA (ICBO) PNP 200mv @ 500ma, 5a 200 @ 500ma, 2v 190mhz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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