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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BZT52C33S-7-F Diodes Incorporated BZT52C33S-7-F 0.2800
RFQ
 ECAD 850 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZT52 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 23.1 v 33 v 80 옴
B240A-13-02-F Diodes Incorporated B240A-13-02-F -
RFQ
 ECAD 9662 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA B240 Schottky SMA - 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 2 a 500 na @ 40 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A 200pf @ 40V, 1MHz
DDZ7V5C-7 Diodes Incorporated DDZ7V5C-7 0.2500
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 DDZ7V5 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 6 v 7.5 v 6 옴
DDTC143XKA-7-F Diodes Incorporated DDTC143XKA-7-F -
RFQ
 ECAD 9665 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC143 200 MW SC-59-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
MBRD20150CT-13 Diodes Incorporated MBRD20150CT-13 0.6000
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MBRD20150 Schottky TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 10A 900 mV @ 10 a 50 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C
ZDT690TC Diodes Incorporated ZDT690TC -
RFQ
 ECAD 7993 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-223-8 ZDT690 2.75W sm8 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 4,000 45V 2A 100NA (ICBO) 2 NPN (() 500mv @ 5ma, 1a 400 @ 1a, 2v 150MHz
DDTA123EKA-7-F Diodes Incorporated DDTA123EKA-7-F -
RFQ
 ECAD 2305 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTA123 200 MW SC-59-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 20 @ 20ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 2.2 Kohms
BZX84C11W-7-F Diodes Incorporated BZX84C11W-7-F 0.3400
RFQ
 ECAD 8574 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
MMBT2907AT-7-F Diodes Incorporated MMBT2907AT-7-F 0.3500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 MMBT2907 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 600 MA 10NA (ICBO) PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
ZXTN4006ZTA Diodes Incorporated ZXTN4006ZTA 0.4400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA ZXTN4006 1.5 w SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 200 v 1 a 50NA (ICBO) NPN - 100 @ 150ma, 320MV -
DFLZ10-7 Diodes Incorporated DFLZ10-7 0.4900
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 PowerDI®123 DFLZ10 1 W. PowerDI ™ 123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 7.5 v 10 v 4 옴
BZT52C4V3-7 Diodes Incorporated BZT52C4V3-7 -
RFQ
 ECAD 4029 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
SB360-B Diodes Incorporated SB360-B -
RFQ
 ECAD 2341 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 1,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 740 mV @ 3 a 500 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
US1D-13-F Diodes Incorporated US1D-13-F 0.4800
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA US1D 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
PDS1040L-13 Diodes Incorporated PDS1040L-13 0.9900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI ™ 5 PDS1040 Schottky PowerDI ™ 5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 490 mV @ 10 a 600 µa @ 40 v -65 ° C ~ 150 ° C 10A -
MMSZ5259BS-7-F Diodes Incorporated MMSZ5259BS-7-F 0.2800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 MMSZ5259 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 30 v 39 v 80 옴
2N7002-13-F-79 Diodes Incorporated 2N7002-13-F-79 -
RFQ
 ECAD 7199 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 - 31-2N7002-13-F-79 귀 99 8541.21.0095 1 n 채널 60 v 170ma (TA) 5V, 10V 5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.23 nc @ 4.5 v ± 20V 50 pf @ 25 v - 370MW (TA)
BAT54CT-7 Diodes Incorporated BAT54CT-7 -
RFQ
 ECAD 1999 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SOT-523 Bat54 Schottky SOT-523 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 30 v 200MA (DC) 1 v @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v -65 ° C ~ 125 ° C
FCX593TA Diodes Incorporated FCX593TA 0.5300
RFQ
 ECAD 112 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA FCX593 1 W. SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 100 v 1 a 100NA PNP 300mv @ 25ma, 250ma 100 @ 500ma, 5V 50MHz
BZT52C30-7-F-79 Diodes Incorporated BZT52C30-7-F-79 -
RFQ
 ECAD 9762 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 BZT52 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BZT52C30-7-F-79DI 귀 99 8541.10.0050 3,000
BSS84W-7-F-50 Diodes Incorporated BSS84W-7-F-50 0.0660
RFQ
 ECAD 9995 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BSS84 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 1 (무제한) 31-BSS84W-7-F-50 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 50 v 130MA (TA) 5V 10ohm @ 100ma, 5V 2V @ 1mA ± 20V 45 pf @ 25 v - 200MW
BZX84C2V7S-7 Diodes Incorporated BZX84C2V7S-7 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 BZX84 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000
BZT52C2V4S-7-F Diodes Incorporated BZT52C2V4S-7-F 0.2100
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 8% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZT52 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
BZT52C4V3S-7 Diodes Incorporated BZT52C4V3S-7 -
RFQ
 ECAD 6411 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZT52 200 MW SOD-323 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
SB540-T Diodes Incorporated SB540-T 0.6900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SB540 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 1,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 5 a 500 µa @ 40 v -65 ° C ~ 125 ° C 5a -
BZT52C12-7-F Diodes Incorporated BZT52C12-7-F 0.2100
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 12 v 25 옴
ES2D-13-F Diodes Incorporated ES2D-13-F 0.4600
RFQ
 ECAD 109 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB ES2D 기준 SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 920 MV @ 2 a 25 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 25pf @ 4V, 1MHz
BZX84C4V3W-7 Diodes Incorporated BZX84C4V3W-7 -
RFQ
 ECAD 2109 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 7% -65 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84 200 MW SOT-323 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
ZXMP10A18GTA Diodes Incorporated ZXMP10A18GTA 1.8000
RFQ
 ECAD 8590 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA ZXMP10 MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 100 v 2.6A (TA) 6V, 10V 150mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 250µA 26.9 NC @ 10 v ± 20V 1055 pf @ 50 v - 2W (TA)
DDZ9690-7 Diodes Incorporated DDZ9690-7 0.2800
RFQ
 ECAD 112 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 DDZ9690 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 4 v 5.6 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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