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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DMP2100U-7 Diodes Incorporated DMP2100U-7 0.4200
RFQ
 ECAD 309 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2100 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 4.3A (TA) 1.8V, 10V 38mohm @ 3.5a, 10V 1.4V @ 250µA 9.1 NC @ 4.5 v ± 10V 216 pf @ 15 v - 800MW (TA)
2N7002VAC-7 Diodes Incorporated 2N7002VAC-7 0.1127
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 2N7002 MOSFET (금속 (() 150MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 280ma 7.5ohm @ 50ma, 5V 2.5V @ 250µA - 50pf @ 25V -
ZVP2120ASTOA Diodes Incorporated zvp2120astoa -
RFQ
 ECAD 5514 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZVP2120 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 p 채널 200 v 120MA (TA) 10V 25ohm @ 150ma, 10V 3.5V @ 1mA ± 20V 100 pf @ 25 v - 700MW (TA)
BSS126SK-7 Diodes Incorporated BSS126SK-7 -
RFQ
 ECAD 3507 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS126 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 30MA (TA) 0V, 10V 500ohm @ 16ma, 10V 1.4V @ 8µA 2 nc @ 5 v ± 20V 30.9 pf @ 25 v - 1W (TA)
DMP2036UVT-7 Diodes Incorporated DMP2036UVT-7 0.1216
RFQ
 ECAD 8203 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMP2036 MOSFET (금속 (() TSOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMP2036UVT-7DI 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 6A (TA) 1.8V, 4.5V 30mohm @ 6.4a, 4.5v 1V @ 250µA 20.5 nc @ 4.5 v ± 8V 1808 pf @ 15 v - 1.1W (TA)
SBR1U150SAQ-13 Diodes Incorporated SBR1U150SAQ-13 0.5900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101, SBR® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SBR1U150 슈퍼 슈퍼 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 150 v 700 mv @ 1 a 100 µa @ 150 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A -
MMBZ5248BW-7 Diodes Incorporated MMBZ5248BW-7 0.2200
RFQ
 ECAD 422 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1034-MMBZ5248BW-7DKR 귀 99 8541.10.0050 3,000
S5KC-13-F Diodes Incorporated S5KC-13-F 0.5500
RFQ
 ECAD 92 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S5K 기준 SMC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 800 v 1.15 V @ 5 a 10 µa @ 800 v -65 ° C ~ 150 ° C 5a 40pf @ 4V, 1MHz
DMG1012UWQ-7 Diodes Incorporated DMG1012UWQ-7 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMG1012 MOSFET (금속 (() SOT-363 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 950MA (TA) 1.8V, 4.5V 450mohm @ 600ma, 4.5v 1V @ 250µA 1 NC @ 4.5 v ± 6V 43 pf @ 16 v - 460MW
ADC124EUQ-13 Diodes Incorporated ADC124EUQ-13 0.0480
RFQ
 ECAD 7613 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 ADC124 270MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50V 100ma - 2 npn--바이어스 (듀얼) - - 250MHz 22kohms 22kohms
DCP54-16-13 Diodes Incorporated DCP54-16-13 -
RFQ
 ECAD 7708 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA DCP54 1 W. SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 45 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 200MHz
DMN62D0U-7 Diodes Incorporated DMN62D0U-7 0.3200
RFQ
 ECAD 221 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN62 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 380MA (TA) 1.8V, 4.5V 2ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.5 nc @ 4.5 v ± 20V 32 pf @ 30 v - 380MW (TA)
1N5404-B Diodes Incorporated 1N5404-B -
RFQ
 ECAD 2326 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 1N5404 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 500 짐 400 v 1 V @ 3 a 10 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1MHz
MMBZ5236BW-7-F Diodes Incorporated MMBZ5236BW-7-F 0.0557
RFQ
 ECAD 3818 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMBZ5236 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 6 v 7.5 v 6 옴
MB352-F Diodes Incorporated MB352-F -
RFQ
 ECAD 5708 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, MB MB352 기준 MB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 MB352-FDI 귀 99 8541.10.0080 100 1.2 v @ 17.5 a 10 µa @ 100 v 35 a 단일 단일 200 v
BAS16TW-7 Diodes Incorporated BAS16TW-7 -
RFQ
 ECAD 4426 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BAS16 기준 SOT-363 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 3 독립 75 v 150ma 1.25 V @ 150 mA 4 ns 1 µa @ 75 v -65 ° C ~ 150 ° C
STPR2020CTW Diodes Incorporated STPR2020CTW 0.6900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STPR20 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-SPR2020CTW 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 20A 1.25 V @ 20 a 30 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
BAT54-7 Diodes Incorporated BAT54-7 -
RFQ
 ECAD 9914 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bat54 Schottky SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v -65 ° C ~ 150 ° C 200ma 10pf @ 1v, 1MHz
MMSZ5242BQ-7-F Diodes Incorporated MMSZ5242BQ-7-F 0.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 370 MW SOD-123 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 9.1 v 12 v 30 옴
B0530WSQ-13-F Diodes Incorporated B0530WSQ-13-F 0.4700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 B0530 Schottky SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 450 mV @ 500 mA 500 µa @ 30 v -40 ° C ~ 125 ° C 500ma 58pf @ 0V, 1MHz
DMG3406L-7 Diodes Incorporated DMG3406L-7 0.4200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMG3406 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 3.6A (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 3.6a, 10V 2V @ 250µA 11.2 NC @ 10 v ± 20V 495 pf @ 15 v - 770MW (TA)
SBRT10U50SP5-13D-52 Diodes Incorporated SBRT10U50SP5-13D-52 0.2450
RFQ
 ECAD 7613 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 표면 표면 PowerDI ™ 5 슈퍼 슈퍼 PowerDI ™ 5 다운로드 31-SBRT10U50SP5-13D-52 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 50 v 450 mV @ 10 a 300 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
ZXTN04120HP5TC Diodes Incorporated ZXTN04120HP5TC 0.1994
RFQ
 ECAD 9910 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerDI ™ 5 ZXTN04120 3.2 w PowerDI ™ 5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 5,000 120 v 1.5 a 100NA npn-달링턴 1.5v @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 5V 150MHz
DMG1013T-7 Diodes Incorporated DMG1013T-7 0.3000
RFQ
 ECAD 140 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 DMG1013 MOSFET (금속 (() SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 460MA (TA) 1.8V, 4.5V 700mohm @ 350ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.622 NC @ 4.5 v ± 6V 59.76 pf @ 16 v - 270MW (TA)
DMTH6010LK3-13 Diodes Incorporated DMTH6010LK3-13 1.1600
RFQ
 ECAD 1244 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMTH6010 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 14.8A (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 41.3 NC @ 10 v ± 20V 2090 pf @ 30 v - 3.1W (TA)
ACX124EUQ-13R Diodes Incorporated ACX124EUQ-13R 0.0480
RFQ
 ECAD 1340 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 ACX124 270MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50V 100ma - 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) - - 250MHz 22kohms 22kohms
PDS1040L-13-2477 Diodes Incorporated PDS1040L-13-2477 -
RFQ
 ECAD 9626 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 마지막으로 마지막으로 표면 표면 PowerDI ™ 5 Schottky PowerDI ™ 5 - 31-PDS1040L-13-2477 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 490 mV @ 10 a 600 µa @ 40 v -65 ° C ~ 150 ° C 10A -
SBR20A300CTB-13 Diodes Incorporated SBR20A300CTB-13 1.7700
RFQ
 ECAD 290 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SBR20 슈퍼 슈퍼 TO-263 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 300 v 10A 920 MV @ 10 a 45 ns 100 µa @ 300 v -65 ° C ~ 175 ° C
DZ9F8V2S92-7 Diodes Incorporated DZ9F8V2S92-7 0.3500
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-923 DZ9F8 200 MW SOD-923 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 500 na @ 5 v 8.2 v 30 옴
ZTD09N50DE6QTA Diodes Incorporated ZTD09N50DE6QTA 0.3480
RFQ
 ECAD 8324 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 ZTD09N50 1.1W SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 50V 1A 10NA 2 NPN (() 270mv @ 50ma, 1a 200 @ 500ma, 2v 215MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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