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디스크리트 반도체(13379)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 속도 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 다이오드 전압 - 역방향(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
BZT52C5V1LP-7B-79 Diodes Incorporated BZT52C5V1LP-7B-79 -
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 ECAD 4918 0.00000000 다이오드 통합 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 BZT52 - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. BZT52C5V1LP-7B-79DI EAR99 8541.10.0050 3,000
DXTN06080BFG-7 Diodes Incorporated DXTN06080BFG-7 0.4000
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 ECAD 2171 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장, 일부 8-PowerVDFN 1W PowerDI3333-8(SWP) 내부 UX 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,000 80V 1A 20nA NPN 500mV @ 50mA, 800mA 100 @ 150mA, 2V 130MHz
DCP54-13 Diodes Incorporated DCP54-13 -
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 ECAD 8697 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA DCP54 1W SOT-223-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,500 45V 1A 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 500mA 63 @ 150mA, 2V 200MHz
DMN67D8L-7 Diodes Incorporated DMN67D8L-7 0.2000
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 ECAD 171 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN67 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 210mA(타) 5V, 10V 5옴 @ 500mA, 10V 2.5V @ 250μA 0.82nC @ 10V ±30V 22pF @ 25V - 340mW(타)
B370-13-F-2477 Diodes Incorporated B370-13-F-2477 -
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 ECAD 1195 0.00000000 다이오드 통합 - 대부분 마지막 구매 표면 실장 DO-214AB, SMC 쇼트키 SMC - 31-B370-13-F-2477 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 70V 790mV @ 3A 70V에서 500μA -55°C ~ 125°C 3A 100pF @ 4V, 1MHz
SDM1100S1F-7 Diodes Incorporated SDM1100S1F-7 0.4800
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 ECAD 66 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-123F SDM1100 쇼트키 SOD-123F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 100V 820mV @ 1A 100V에서 5μA -55°C ~ 150°C 1A -
SBL1635CT Diodes Incorporated SBL1635CT -
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 ECAD 3935 0.00000000 다이오드 통합 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-220-3 쇼트키 TO-220-3 다운로드 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 35V 16A 550mV @ 8A 500μA @ 35V -65°C ~ 150°C
DZ23C36-7 Diodes Incorporated DZ23C36-7 0.3900
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 ECAD 6 0.00000000 다이오드 통합 * 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000
DSC08C065FP Diodes Incorporated DSC08C065FP 3.4300
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 ECAD 4836 0.00000000 다이오드 통합 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-2 풀팩, 분리형 탭 SiC(탄화규소) 쇼트키 ITO-220AC(WX형) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 31-DSC08C065FP EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 650V 1.7V @ 8A 650V에서 200μA -55°C ~ 175°C 8A 273pF @ 100mV, 1MHz
ZTX601STZ Diodes Incorporated ZTX601STZ 0.3682
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 ECAD 5045 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 박스(TB) 활동적인 -55°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 E-Line-3, 구성부품 ZTX601 1W E-라인(TO-92 호환) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,000 160V 1A 10μA NPN-달링턴 1.2V @ 10mA, 1A 2000 @ 500mA, 10V 250MHz
MBR10200CT-E1 Diodes Incorporated MBR10200CT-E1 -
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 ECAD 3405 0.00000000 다이오드 통합 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-220-3 MBR10200 쇼트키 TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 200V 5A 950mV @ 5A 200V에서 150μA 150°C(최대)
DMN67D8LT-7 Diodes Incorporated DMN67D8LT-7 0.0644
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 ECAD 1607 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-523 DMN67 MOSFET(금속) SOT-523 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 210mA(타) 5V, 10V 5옴 @ 500mA, 10V 2.5V @ 250μA 821nC @ 10V ±20V 22pF @ 25V - 260mW(타)
ZMM5228B-7 Diodes Incorporated ZMM5228B-7 -
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 ECAD 9887 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±5% -65°C ~ 175°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 ZMM5228 500mW 미니멜프 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0050 2,500 1.5V @ 200mA 10μA @ 1V 3.9V 23옴
DTH810D Diodes Incorporated DTH810D 0.9300
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 ECAD 48 0.00000000 다이오드 통합 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-2 기준 TO220AC(WX형) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DTH810D EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1000V 2V @ 8A 85ns 1000V에서 5μA -55°C ~ 150°C 8A 40pF @ 4V, 1MHz
MMSZ5232BS-7-F Diodes Incorporated MMSZ5232BS-7-F 0.2800
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 ECAD 36 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SC-76, SOD-323 MMSZ5232 200mW SOD-323 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 3V에서 5μA 5.6V 11옴
DDZ36-7 Diodes Incorporated DDZ36-7 0.3600
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 ECAD 1 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±2.5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-123 DDZ36 310mW SOD-123 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 30V에서 50nA 36V 85옴
MMBZ5237BT-7-F Diodes Incorporated MMBZ5237BT-7-F 0.0736
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 ECAD 6675 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SOT-523 MMBZ5237 150mW SOT-523 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 6.5V에서 3μA 8.2V 8옴
MMSZ5241B-7-F Diodes Incorporated MMSZ5241B-7-F 0.2200
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 ECAD 43 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-123 MMSZ5241 500mW SOD-123 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 8.4V에서 2μA 11V 22옴
DMP1245UFCL-7 Diodes Incorporated DMP1245UFCL-7 0.5900
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 ECAD 10 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-파워UFDFN DMP1245 MOSFET(금속) X1-DFN1616-6(유형 E) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 12V 6.6A(타) 1.5V, 4.5V 29m옴 @ 4A, 4.5V 250μA에서 950mV 26.1nC @ 8V ±8V 1357.4pF @ 10V - 613mW(타)
GBJ1504-F Diodes Incorporated GBJ1504-F 1.5000
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 ECAD 5128 0.00000000 다이오드 통합 - 튜브 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 4-SIP, GBJ GBJ1504 기준 GBJ 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0080 15 1.05V @ 7.5A 400V에서 10μA 15A 단상 400V
DMN2013UFDEQ-7 Diodes Incorporated DMN2013UFDEQ-7 0.2465
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 ECAD 9944 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-PowerUDFN DMN2013 MOSFET(금속) U-DFN2020-6(E형) 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMN2013UFDEQ-7TR EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 20V 10.5A(타) 1.5V, 4.5V 11m옴 @ 8.5A, 4.5V 1.1V @ 250μA 25.8nC @ 8V ±8V 10V에서 2453pF - 660mW(타)
DMT10H009SCG-7 Diodes Incorporated DMT10H009SCG-7 0.3849
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 ECAD 9508 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN DMT10 MOSFET(금속) V-DFN3333-8(B형) 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMT10H009SCG-7TR EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 100V 14A(Ta), 48A(Tc) 10V 9.5m옴 @ 20A, 10V 4V @ 250μA 30nC @ 10V ±20V 2085pF @ 50V - 1.3W(타)
BAV199TQ-7-F Diodes Incorporated BAV199TQ-7-F 0.0736
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 ECAD 4494 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-523 BAV199 기준 SOT-523 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-BAV199TQ-7-FTR EAR99 8541.10.0070 3,000 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 1쌍 직렬 연결 85V 215mA(DC) 1.25V @ 150mA 3μs 75V에서 5nA -55°C ~ 150°C
DDZX18C-7 Diodes Incorporated DDZX18C-7 0.0435
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 ECAD 3150 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±3% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDZX18 300mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 14V에서 50nA 18V 23옴
DMP21D0UT-7 Diodes Incorporated DMP21D0UT-7 0.3700
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 ECAD 1 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-523 DMP21 MOSFET(금속) SOT-523 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 590mA(타) 1.8V, 4.5V 495m옴 @ 400mA, 4.5V 700mV @ 250μA(표준) 1.54nC @ 8V ±8V 10V에서 80pF - 240mW(타)
SDM1A40CSP-7 Diodes Incorporated SDM1A40CSP-7 0.0855
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 ECAD 6045 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 2-XDFN SDM1A40 쇼트키 X3-WLB1006-2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 5,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 560mV @ 1A 40V에서 75μA -55°C ~ 150°C 1A 35pF @ 4V, 1MHz
GBJ606-F Diodes Incorporated GBJ606-F 1.7000
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 ECAD 78 0.00000000 다이오드 통합 - 튜브 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 4-SIP, GBJ GBJ606 기준 GBJ 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0080 15 1V @ 3A 600V에서 5μA 6A 단상 600V
GBPC2504 Diodes Incorporated GBPC2504 -
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 ECAD 3867 0.00000000 다이오드 통합 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 150°C (TJ) QC 터미널 4 평방, GBPC GBPC2504 기준 GBPC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. GBPC2504DI EAR99 8541.10.0080 100 1.1V @ 12.5A 400V에서 5μA 25A 단상 400V
DMT10H009SPS-13 Diodes Incorporated DMT10H009SPS-13 0.9100
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 ECAD 2 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN DMT10 MOSFET(금속) 전력DI5060-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 100V 14A(Ta), 80A(Tc) 10V 8.5m옴 @ 20A, 10V 4V @ 250μA 30nC @ 10V ±20V 2085pF @ 50V - 1.3W(타)
DMN10H100SK3-13 Diodes Incorporated DMN10H100SK3-13 0.7500
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 ECAD 5 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 DMN10 MOSFET(금속) TO-252-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 100V 18A(TC) 4.5V, 10V 80m옴 @ 3.3A, 10V 3V @ 250μA 25.2nC @ 10V ±20V 50V에서 1172pF - 37W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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