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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
ACX143ZUQ-13R Diodes Incorporated ACX143ZUQ-13R 0.0481
RFQ
 ECAD 8504 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 ACX143 270MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7kohms 47kohms
ZXMP6A18KTC Diodes Incorporated ZXMP6A18KTC 1.1100
RFQ
 ECAD 7085 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ZXMP6A18 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 6.8A (TA) 4.5V, 10V 55mohm @ 3.5a, 10V 1V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1580 pf @ 30 v - 2.15W (TA)
B120AE-13 Diodes Incorporated B120AE-13 -
RFQ
 ECAD 9017 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA B120 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 1 a 100 µa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1MHz
B360-13-G Diodes Incorporated B360-13-G -
RFQ
 ECAD 1986 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AB, SMC B360 Schottky SMC - 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 3 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 200pf @ 4V, 1MHz
DCX123JUQ-7-F Diodes Incorporated DCX123JUQ-7-F 0.0660
RFQ
 ECAD 4860 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101, DCX (XXXX) u 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DCX123 200MW SOT-363 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DCX123JUQ-7-FTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
DMP2123L-7 Diodes Incorporated DMP2123L-7 0.4300
RFQ
 ECAD 396 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2123 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3A (TA) 2.5V, 4.5V 72mohm @ 3.5a, 4.5v 1.25V @ 250µA 7.3 NC @ 4.5 v ± 12V 443 pf @ 16 v - 1.4W (TA)
BAT54V-7-2477 Diodes Incorporated BAT54V-7-2477 -
RFQ
 ECAD 8314 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 마지막으로 마지막으로 표면 표면 SOT-563, SOT-666 Schottky SOT-563 - 31-BAT54V-7-2477 1 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 독립 30 v 200ma 1 v @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v -65 ° C ~ 125 ° C
DDZ9691T-7 Diodes Incorporated DDZ9691T-7 0.4500
RFQ
 ECAD 9595 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 DDZ9691 150 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 5 v 6.2 v
SDT2U60CP3-7 Diodes Incorporated SDT2U60CP3-7 0.2018
RFQ
 ECAD 4421 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-DFN Schottky X3-DSN1406-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 31-SDT2U60CP3-7TR 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 580 mV @ 2 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 110pf @ 10V, 1MHz
SD1A200E Diodes Incorporated SD1A200E 0.4400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 SD1A200 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 5,000
T1M5F600A Diodes Incorporated T1M5F600A 0.3200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 T1M5F600 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 2,000
B240A-13-02-F Diodes Incorporated B240A-13-02-F -
RFQ
 ECAD 9662 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA B240 Schottky SMA - 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 2 a 500 na @ 40 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A 200pf @ 40V, 1MHz
MMBZ5227B-7-F-79 Diodes Incorporated MMBZ5227B-7-F-79 -
RFQ
 ECAD 1856 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MMBZ5227B-7-F-79DI 귀 99 8541.10.0050 3,000
BAT54ATA Diodes Incorporated Bat54ata 0.3000
RFQ
 ECAD 114 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bat54 Schottky SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 30 v 200MA (DC) 1 v @ 100 ma 5 ns 4 µa @ 25 v 125 ° C (°)
1N4148WQ-7-F Diodes Incorporated 1N4148WQ-7-F 0.2000
RFQ
 ECAD 180 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 1N4148 기준 SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 1 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 300ma 2pf @ 0V, 1MHz
B290-13-F Diodes Incorporated B290-13-F 0.4600
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB B290 Schottky SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 790 MV @ 2 a 7 µa @ 90 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A 75pf @ 4V, 1MHz
DDZ9703T-7 Diodes Incorporated DDZ9703T-7 0.4500
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 DDZ9703 150 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 12.1 v 16 v
DMT10H025LK3-13 Diodes Incorporated DMT10H025LK3-13 0.2981
RFQ
 ECAD 4157 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMT10 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 47.2A (TC) 4.5V, 10V 22MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 1477 pf @ 50 v - 2.6W (TA)
AC857BQ-7 Diodes Incorporated AC857BQ-7 0.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AC857 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
DMP610DLQ-7 Diodes Incorporated DMP610DLQ-7 0.0550
RFQ
 ECAD 5589 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-dmp610dlq-7tr 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 60 v 186MA (TA) 5V 10ohm @ 100ma, 5V 2V @ 1mA 0.5 nc @ 5 v ± 30V 40 pf @ 25 v - 520MW (TA)
1N6263W-7-F Diodes Incorporated 1N6263W-7-F 0.4300
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 1N6263 Schottky SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 60 v 1 V @ 15 ma 1 ns 200 na @ 50 v -55 ° C ~ 125 ° C 15MA 2.2pf @ 0v, 1MHz
BZT52C11-13-G Diodes Incorporated BZT52C11-13-G -
RFQ
 ECAD 2339 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 BZT52 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BZT52C11-13-GDI 귀 99 8541.10.0050 10,000
BZT52C3V9S-7 Diodes Incorporated BZT52C3V9S-7 -
RFQ
 ECAD 6758 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZT52 200 MW SOD-323 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
MMBZ5242BQ-7-F Diodes Incorporated MMBZ5242BQ-7-F 0.1900
RFQ
 ECAD 5794 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 9.1 v 12 v 30 옴
DMN6069SFGQ-13 Diodes Incorporated DMN6069SFGQ-13 0.7100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMN6069 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 18A (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 4.5a, 10V 3V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1480 pf @ 30 v - 2.4W
B390-13-F Diodes Incorporated B390-13-F 1.6300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC B390 Schottky SMC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 790 MV @ 3 a 500 µa @ 90 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A 100pf @ 4V, 1MHz
BAV170 Diodes Incorporated BAV170 -
RFQ
 ECAD 5039 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV170 기준 SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 85 v 125MA (DC) 1.1 v @ 50 ma 3 µs 5 na @ 75 v -65 ° C ~ 150 ° C
KBJ402G Diodes Incorporated KBJ402G 0.8700
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJ KBJ402 기준 KBJ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 20 1 V @ 2 a 5 µa @ 200 v 4 a 단일 단일 200 v
DMP2160U-7 Diodes Incorporated DMP2160U-7 0.4500
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2160 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.2A (TA) 1.8V, 4.5V 80mohm @ 1.5a, 4.5v 900MV @ 250µA ± 12V 627 pf @ 10 v - 1.4W (TA)
DMP6250SE-13 Diodes Incorporated DMP6250SE-13 0.7000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA DMP6250 MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 2.1A (TA) 4.5V, 10V 250mohm @ 1a, 10V 3V @ 250µA 9.7 NC @ 10 v ± 20V 551 pf @ 30 v - 1.8W (TA), 14W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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