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불연속 불연속 제품 (13379)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
ZXMN7A11KTC	0.9200	RFQ	9	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	ZXMN7A11	MOSFET (금속 (()		TO-252-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널	70 v	4.2A (TA)	4.5V, 10V	130mohm @ 4.4a, 10V	1V @ 250µA	7.4 NC @ 10 v	± 20V	298 pf @ 40 v	-	2.11W (TA)
DMN31D5L-7	0.3700	RFQ	3	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMN31	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			n 채널	30 v	500MA (TA)	2.5V, 4V	1.5ohm @ 10ma, 4v	1.6V @ 250µA	1.2 NC @ 10 v	± 20V	50 pf @ 15 v	-	350MW (TA)
DMP2060UFDB-13	-	RFQ	9561	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드	DMP2060	MOSFET (금속 (()	1.4W	u-dfn2020-6 (유형 b)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMP2060UFDB-13DI	귀 99	8541.29.0095	10,000	2 p 채널 (채널)			20V	3.2A		90mohm @ 2.9a, 4.5v	1.4V @ 250µA	18NC @ 8V		881pf @ 10V	-
S1KB-13-G	-	RFQ	8121	다이오드가 다이오드가	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는									-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	S1KB-13-GDI	귀 99	8541.10.0080	3,000
BSS84WQ-7-F	0.4000	RFQ	59	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BSS84	MOSFET (금속 (()		SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			p 채널	50 v	130MA (TA)	5V	10ohm @ 100ma, 5V	2V @ 1mA		± 20V	45 pf @ 25 v	-	200MW (TA)
DMMT3904WQ-7-F-52	0.0880	RFQ	4154	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DMMT3904		200MW	SOT-363	다운로드				31-DMMT3904WQ-7-F-52	귀 99	8541.21.0075	3,000																							40V	200ma	50NA				300mv @ 5ma, 50ma	100 @ 10ma, 1v	300MHz
MBR2045CTF-G1	0.5700	RFQ	44	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	MBR2045	Schottky		TO-220F-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	MBR2045CTF-G1DI	귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	45 v	10A	640 mV @ 10 a		100 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SBR10E45P5-13D	0.1885	RFQ	6983	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	PowerDI ™ 5	SBR10	슈퍼 슈퍼		PowerDI ™ 5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	SBR10E45P5-13DDI	귀 99	8541.10.0080	5,000		짐													45 v		470 mV @ 10 a		280 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
DMP1096UCB4-7	-	RFQ	4724	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-UFBGA, WLBGA	DMP1096	MOSFET (금속 (()		U-WLB1010-4	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			p 채널	12 v	2.6A (TA)	1.5V, 4.5V	102mohm @ 500ma, 4.5v	1V @ 250µA	3.7 NC @ 4.5 v	-5V	251 pf @ 6 v	-	820MW (TA)
AZ23C9V1-7-G	-	RFQ	4130	다이오드가 다이오드가	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는					AZ23C9V1				-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	AZ23C9V1-7-GDI	귀 99	8541.10.0050	3,000
2N7002-7	-	RFQ	3190	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2N7002	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			n 채널	60 v	115MA (TA)	5V, 10V	7.5ohm @ 50ma, 5V	2.5V @ 250µA		± 20V	50 pf @ 25 v	-	370MW (TA)
DDTA142JE-7-F	0.3600	RFQ	6	다이오드가 다이오드가	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는					DDTA142				다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000
DMN13H750S-7	0.5500	RFQ	5911	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMN13	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			n 채널	130 v	1A (TA)	6V, 10V	750mohm @ 2a, 10V	4V @ 250µA	5.6 NC @ 10 v	± 20V	231 pf @ 25 v	-	770MW (TA)
DMN5040LSS-13	0.1595	RFQ	5486	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMN5040	MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널	50 v	5.2A (TA)	4.5V, 10V	4.5A, 10V 40mohm	3V @ 250µA	14.5 nc @ 10 v	± 20V	836 pf @ 30 v	-	1.3W (TA)
DMN5L06VK-7A	-	RFQ	3605	다이오드가 다이오드가	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	DMN5L06	MOSFET (금속 (()	250MW	SOT-563	다운로드				31-DMN5L06VK-7A	귀 99	8541.21.0095	1	2 n 채널 (채널)			50V	280MA (TA)		2ohm @ 50ma, 5V	1.2V @ 250µA	-		50pf @ 25V	-
ADC124EUQ-13	0.0480	RFQ	7613	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	ADC124		270MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	10,000																							50V	100ma	-			2 npn--바이어스 (듀얼)	-	-	250MHz	22kohms	22kohms
DMN2004DWKQ-7	0.1193	RFQ	1683	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DMN2004	MOSFET (금속 (()	200MW	SOT-363	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)			20V	540MA (TA)		550mohm @ 540ma, 4.5V	1V @ 250µA	0.95NC @ 8V		150pf @ 16V	-
MMBZ5239BT-7-F	0.0736	RFQ	5277	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOT-523	MMBZ5239		150 MW	SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		3 µa @ 7 v							9.1 v	10 옴
BSS123Q-7	0.0458	RFQ	4980	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BSS123	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-BSS123Q-7TR	귀 99	8541.21.0095	3,000			n 채널	100 v	170ma (TA)	4.5V, 10V	6ohm @ 170ma, 10V	2V @ 1mA		± 20V	60 pf @ 25 v	-	300MW (TA)
B260-13	-	RFQ	7220	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	B260	Schottky		SMB	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													60 v		700 mv @ 2 a		500 µa @ 60 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	200pf @ 4V, 1MHz
D1G-T	0.0567	RFQ	6117	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	T1, 방향 축	D1G	기준		T-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	5,000		짐													50 v		1 V @ 1 a	2 µs	5 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	8pf @ 4V, 1MHz
FMMT619TA	0.4800	RFQ	38	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	FMMT619		625 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							50 v	2 a	100NA			NPN	220MV @ 50MA, 2A	200 @ 1a, 2v	165MHz
DDZ9691Q-13	0.2900	RFQ	7	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	DDZ9691		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																	900 mV @ 10 ma		1 µa @ 5 v							6.2 v
SDT5A100P5-13	0.1607	RFQ	9060	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	PowerDI ™ 5	SDT5A100	Schottky		PowerDI ™ 5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		660 mV @ 5 a		50 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
BAV21W-7	-	RFQ	6059	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	SOD-123	BAV21	기준		SOD-123	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													200 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 200 v	-65 ° C ~ 150 ° C	200ma	5pf @ 0V, 1MHz
zxmn10a08dn8ta	0.8300	RFQ	7029	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	ZXMN10	MOSFET (금속 (()	1.25W	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500	2 n 채널 (채널)			100V	1.6a		250mohm @ 3.2a, 10V	2V @ 250µA (Min)	7.7NC @ 10V		405pf @ 50V	논리 논리 게이트
DMG1029SV-7-50	0.0630	RFQ	3701	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	DMG1029	MOSFET (금속 (()	450MW (TA)	SOT-563	다운로드				31-DMG1029SV-7-50	귀 99	8541.29.0095	3,000	n 보완 p 채널 및			60V	500MA (TA), 360MA (TA)		1.7ohm @ 500ma, 10v, 4ohm @ 500ma, 10v	2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA	0.3nc @ 4.5v, 0.28nc @ 4.5v		30pf @ 25v, 25pf @ 25v	기준
SBG1630CT-T	-	RFQ	4174	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SBG1630CT	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	30 v	16A	550 mV @ 8 a		1 ma @ 30 v	-65 ° C ~ 125 ° C
1N5819-T	0.3700	RFQ	87	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5819	Schottky		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		600 mV @ 1 a		1 ma @ 40 v	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
DMN4009LK3-13	-	RFQ	7240	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	DMN4009	MOSFET (금속 (()		TO-252-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널	40 v	18A (TA)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 14a, 10V	3V @ 250µA	21 NC @ 4.5 v	± 20V	2072 pf @ 20 v	-	2.19W (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (13379)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²