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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BAT1000TA Diodes Incorporated BAT1000TA -
RFQ
 ECAD 1064 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT1000 Schottky SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 1 a 12 ns 100 µa @ 30 v -40 ° C ~ 125 ° C 1A 175pf @ 0v, 1MHz
DDTA143EE-7-F Diodes Incorporated DDTA143EE-7-F 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 DDTA143 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 20 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
PD3Z284C7V5-7 Diodes Incorporated PD3Z284C7V5-7 0.1127
RFQ
 ECAD 3311 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.04% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerDI ™ 323 PD3Z284 500MW PowerDI ™ 323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 1 µa @ 5 v 7.5 v 10 옴
BCX5310TA Diodes Incorporated BCX5310TA 0.4000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX5310 1 W. SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 150MHz
DMP31D7LFBQ-7B Diodes Incorporated DMP31D7LFBQ-7B 0.0398
RFQ
 ECAD 8563 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn DMP31 MOSFET (금속 (() X1-DFN1006-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMP31D7LFBQ-7BTR 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 30 v 810MA (TA) 4.5V, 10V 900mohm @ 420ma, 10V 2.6V @ 250µA 0.36 nc @ 4.5 v ± 20V 19 pf @ 15 v - 530MW (TA)
DDTC143EKA-7-F Diodes Incorporated DDTC143EKA-7-F -
RFQ
 ECAD 1416 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC143 200 MW SC-59-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 20 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
GBPC35005 Diodes Incorporated GBPC35005 -
RFQ
 ECAD 2165 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC35005 기준 GBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 GBPC35005DI 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 17.5 a 5 µa @ 50 v 35 a 단일 단일 50 v
BZT52C12-13-G Diodes Incorporated BZT52C12-13-G -
RFQ
 ECAD 1051 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 BZT52 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BZT52C12-13-GDI 귀 99 8541.10.0050 10,000
DMT8008SCT Diodes Incorporated DMT8008SCT 1.1132
RFQ
 ECAD 8439 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 DMT8008 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMT8008SCT 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 111A (TC) 10V 7.5mohm @ 30a, 10V 4V @ 1MA 34 NC @ 10 v ± 20V 1950 pf @ 40 v - 2.4W (TA), 167W (TC)
DMC3071LVT-13 Diodes Incorporated DMC3071LVT-13 0.0948
RFQ
 ECAD 7607 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMC3071 MOSFET (금속 (() 700MW (TA) TSOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 보완 p 채널 및 30V 4.6A (TA), 3.3A (TA) 50mohm @ 3.5a, 10v, 95mohm @ 3.8a, 10v 2.5V @ 250µA 4.5NC @ 10V, 6.5NC @ 10V 190pf @ 15v, 254pf @ 15v -
DMN3016LFDFQ-7 Diodes Incorporated DMN3016LFDFQ-7 0.1333
RFQ
 ECAD 9864 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMN3016 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN3016LFDFQ-7TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 10A (TA) 4.5V, 10V 12mohm @ 11a, 10V 2V @ 250µA 25.1 NC @ 10 v ± 20V 1415 pf @ 15 v - 730MW (TA)
DCP52-13 Diodes Incorporated DCP52-13 -
RFQ
 ECAD 2288 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA DCP52 1 W. SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 150ma, 2v 200MHz
BAS116UDJ-7 Diodes Incorporated Bas116udj-7 -
RFQ
 ECAD 8890 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-963 BAS116 기준 SOT-963 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 짐 2 독립 85 v 215MA (DC) 1.35 V @ 150 mA 3 µs 5 na @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C
DMT64M8LCG-7 Diodes Incorporated DMT64M8LCG-7 0.3973
RFQ
 ECAD 1257 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() V-DFN3333-8 (유형 b) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMT64M8LCG-7TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 16.1A (TA), 77.8A (TC) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 20a, 10V 2.4V @ 250µA 47.5 nc @ 10 v ± 20V 2664 pf @ 30 v - 990MW (TA)
MBRF1060CT-JT Diodes Incorporated MBRF1060CT-JT -
RFQ
 ECAD 5062 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF106 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 MBRF1060CT-JTDI 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 5a 750 mV @ 5 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
DMTH8008LFG-13 Diodes Incorporated DMTH8008LFG-13 0.4973
RFQ
 ECAD 4753 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMTH8008LFG-13TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 17A (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 6.9mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 1mA 37.7 NC @ 10 v ± 20V 2254 pf @ 40 v - 1.2W (TA), 50W (TC)
DMC2038LVT-7 Diodes Incorporated DMC2038LVT-7 0.4200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMC2038 MOSFET (금속 (() 800MW TSOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 3.7a, 2.6a 35mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 17nc @ 10V 530pf @ 10V 논리 논리 게이트
BAS40T-7 Diodes Incorporated BAS40T-7 -
RFQ
 ECAD 1834 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SOT-523 BAS40 Schottky SOT-523 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 1 v @ 40 ma 5 ns 200 na @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
DMN3030LFG-13 Diodes Incorporated DMN3030LFG-13 -
RFQ
 ECAD 6766 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMN3030 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 31-DMN3030LFG-13 쓸모없는 1 n 채널 30 v 5.3A (TA) 4.5V, 10V 18mohm @ 10a, 10V 2.1V @ 250µA 17.4 NC @ 10 v ± 25V 751 pf @ 10 v - 900MW (TA)
DZ23C27-7 Diodes Incorporated DZ23C27-7 0.3900
RFQ
 ECAD 174 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1034-DZ23C27-7DKR 귀 99 8541.10.0050 3,000
MBR20200CT-LJ Diodes Incorporated MBR20200CT-LJ -
RFQ
 ECAD 9823 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 MBR20200CT-LJDI 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 10A 890 mV @ 10 a 100 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C
DMT6007LFG-7 Diodes Incorporated DMT6007LFG-7 1.1200
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT6007 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 15A (TA), 80A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 20A, 10V 2V @ 250µA 41.3 NC @ 10 v ± 20V 2090 pf @ 30 v - 2.2W (TA), 62.5W (TC)
DDTC124EUAQ-7-F Diodes Incorporated DDTC124EUAQ-7-F 0.0476
RFQ
 ECAD 6706 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DDTC124 200 MW SOT-323 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DDTC124EUAQ-7-FTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
RS1KP1-7 Diodes Incorporated RS1KP1-7 -
RFQ
 ECAD 3135 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA RS1K 기준 SMA - 영향을받지 영향을받지 31-RS1KP1-7 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 6pf @ 4V, 1MHz
DDZ9686Q-13 Diodes Incorporated DDZ9686Q-13 -
RFQ
 ECAD 5979 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5.13% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 DDZ9686 500MW SOD-123 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-DDZ9686Q-13TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 2 v 3.9 v
HER602-T Diodes Incorporated HER602-T -
RFQ
 ECAD 4273 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 R-6, 축, HER602 기준 R-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.2 v @ 6 a 60 ns 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 6A -
DZ23C11-7-F Diodes Incorporated DZ23C11-7-F 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 음극 음극 공통 11 v 20 옴
B140BE-13 Diodes Incorporated B140BE-13 -
RFQ
 ECAD 5882 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AA, SMB B140 Schottky SMB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 1 a 200 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1MHz
UG2003-T Diodes Incorporated UG2003-t -
RFQ
 ECAD 7353 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 2 a 50 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1MHz
BC856BQ-7-F Diodes Incorporated BC856BQ-7-F 0.0301
RFQ
 ECAD 3639 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 310 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-BC856BQ-7-FTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 MA 15NA PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 200MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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