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불연속 불연속 제품 (13379)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
MMSZ5235BS-7	-	RFQ	1342	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	MMSZ5235B		200 MW	SOD-323	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		3 µa @ 5 v							6.8 v	5 옴
SB190-T	0.1008	RFQ	2313	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SB190	Schottky		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													90 v		800 mv @ 1 a		500 µa @ 90 v	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	-
SBRT20M60SP5-7	0.8500	RFQ	28	다이오드가 다이오드가	트렌치 트렌치	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	PowerDI ™ 5	SBRT20	슈퍼 슈퍼		PowerDI ™ 5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	1,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													60 v		570 mV @ 20 a		180 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	-
ZTX757STOB	-	RFQ	4872	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	e-line-3,-된 리드	ZTX757		1 W.	e- 라인 (TO-92 호환)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,000																							300 v	500 MA	100NA (ICBO)			PNP	500mv @ 10ma, 100ma	50 @ 100MA, 5V	30MHz
DCP69A-13	0.1395	RFQ	3928	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	DCP69A		1 W.	SOT-223-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,500																							20 v	1 a	100NA (ICBO)			PNP	500mv @ 100ma, 1a	85 @ 500ma, 1V	250MHz
DMP34M4SPS-13	1.1200	RFQ	9	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	DMP34	MOSFET (금속 (()		PowerDI5060-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,500			p 채널	30 v	135A (TC)	5V, 10V	3.8mohm @ 20a, 10V	2.6V @ 250µA	127 NC @ 10 v	± 25V	3775 pf @ 15 v	-	1.5W
DMPH33M8SPSW-13	0.8078	RFQ	4637	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	DMPH33	MOSFET (금속 (()		PowerDi5060-8 (Q 형)	-				31-DMPH33M8SPSW-13	귀 99	8541.29.0095	2,500			p 채널	30 v	100A (TC)	6V, 10V	3.8mohm @ 20a, 10V	3V @ 250µA	127 NC @ 10 v	± 20V	3775 pf @ 15 v	-	1.7W (TA)
B560C-13	-	RFQ	7933	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AB, SMC	B560	Schottky		SMC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													60 v		700 mv @ 5 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	300pf @ 4V, 1MHz
SBR8U300P5-13	-	RFQ	2124	다이오드가 다이오드가	SBR®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	PowerDI ™ 5	SBR8U300	슈퍼 슈퍼		PowerDI ™ 5	다운로드		1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													300 v		900 mV @ 8 a	30 ns	50 µa @ 300 v	-65 ° C ~ 175 ° C	8a	30pf @ 4V, 1MHz
DDZ9697T-7	0.4600	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	DDZ9697		150 MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		100 na @ 7.6 v							10 v
ZVNL120C	-	RFQ	9929	다이오드가 다이오드가	-	대부분	쓸모없는		-	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)		MOSFET (금속 (()		To-92	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,000			n 채널	200 v	180MA (TA)	3V, 5V	10ohm @ 250ma, 5V	1.5V @ 1mA		± 20V	85 pf @ 25 v	-	700MW (TA)
DMTH6005LFG-7	0.5078	RFQ	2590	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	DMTH6005	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	31-DMTH6005LFG-7TR	귀 99	8541.29.0095	2,000			n 채널	60 v	19.7A (TA), 100A (TC)	4.5V, 10V	4.1MOHM @ 20A, 10V	2.5V @ 250µA	48.7 NC @ 10 v	± 20V	3150 pf @ 30 v	-	2.38W (TA), 75W (TC)
DMG3415UFY4-7	-	RFQ	8712	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-xfdfn	DMG3415	MOSFET (금속 (()		DFN2015H4-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			p 채널	16 v	2.5A (TA)	1.8V, 4.5V	39mohm @ 4a, 4.5v	1V @ 250µA	10 nc @ 4.5 v	± 8V	281.9 pf @ 10 v	-	400MW (TA)
ZVN2120A	-	RFQ	5373	다이오드가 다이오드가	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)		MOSFET (금속 (()		To-92	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,000			n 채널	200 v	180MA (TA)	10V	10ohm @ 250ma, 10V	3V @ 1mA		± 20V	85 pf @ 25 v	-	700MW (TA)
BC847AW-7-F	0.0349	RFQ	4039	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BC847		200 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							45 v	100 MA	20NA (ICBO)			NPN	600mv @ 5ma, 100ma	110 @ 2MA, 5V	300MHz
FZT591TA	0.6400	RFQ	6	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	FZT591		2 w	SOT-223-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0075	1,000																							60 v	1 a	100NA			PNP	600mv @ 100ma, 1a	100 @ 500ma, 5V	150MHz
BZX84C18-7-F-31	-	RFQ	6659	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6.39%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		300MW	SOT-23-3	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-BZX84C18-7-F-31TR	귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		100 na @ 12.6 v							18 v	45 옴
MMSZ5254BQ-13-F	0.0286	RFQ	3801	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			370 MW	SOD-123	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-MMSZ5254BQ-13-FTR	귀 99	8541.10.0050	10,000																	900 mV @ 10 ma		100 na @ 21 v							27 v	41 옴
SBRT25U80SLP-13	-	RFQ	3998	다이오드가 다이오드가	트렌치 트렌치	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	8-powertdfn	SBRT25	슈퍼 슈퍼		PowerDI5060-8	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	2,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													80 v		610 mV @ 25 a		500 µa @ 80 v	-55 ° C ~ 150 ° C	25A	-
AZ23C3V9-7-G	-	RFQ	4000	다이오드가 다이오드가	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는					AZ23C3V9				-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	AZ23C3V9-7-GDI	귀 99	8541.10.0050	3,000
SBL1040CT	-	RFQ	2810	다이오드가 다이오드가	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	SBL1040CT	Schottky		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	40 v	10A	550 mV @ 5 a		500 µa @ 40 v	-65 ° C ~ 150 ° C
BCV47TC	0.3500	RFQ	1930	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCV47		330 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	10,000																							60 v	500 MA	-			npn-달링턴	1V @ 100µa, 100ma	10000 @ 100MA, 5V	170MHz
AC817-40Q-7	0.0483	RFQ	3417	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AC817		310 MW	SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							45 v	500 MA	100NA			NPN	700mv @ 50ma, 500ma	250 @ 100MA, 1V	100MHz
DMN2022UNS-7	0.5900	RFQ	5044	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	DMN2022	MOSFET (금속 (()	1.2W	PowerDI3333-8 (유형 UXB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000	2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수			20V	10.7A (TA)		10.8mohm @ 4a, 4.5v	1V @ 250µA	20.3NC @ 4.5V		1870pf @ 10V	-
DMP2200UDW-13	0.4100	RFQ	67	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DMP2200	MOSFET (금속 (()	450MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000	2 p 채널 (채널)			20V	900ma		260mohm @ 880ma, 4.5v	1.2V @ 250µA	2.1NC @ 4.5V		184pf @ 10V	-
MMBZ5248BTS-7-F	0.1300	RFQ	7154	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MMBZ5248		200 MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000	3 독립																900 mV @ 10 ma		100 na @ 14 v							18 v	21 옴
ZXMN2A02X8TC	-	RFQ	5271	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)		MOSFET (금속 (()		8-MSOP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000			n 채널	20 v	6.2A (TA)	2.5V, 4.5V	20mohm @ 11a, 4.5v	700mv @ 250µa (최소)	18.6 NC @ 4.5 v	± 20V	1900 pf @ 10 v	-	1.1W (TA)
DMT10H025LK3-13	0.2981	RFQ	4157	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	DMT10	MOSFET (금속 (()		TO-252, (D-PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널	100 v	47.2A (TC)	4.5V, 10V	22MOHM @ 20A, 10V	3V @ 250µA	21 NC @ 10 v	± 20V	1477 pf @ 50 v	-	2.6W (TA)
SD103ATW-7-F	0.4000	RFQ	17	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SD103	Schottky		SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												3 독립	40 v	175ma	500 mV @ 100 ma	10 ns	5 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C
DMC4028SSD-13	0.8300	RFQ	1717	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMC4028	MOSFET (금속 (()	1.8W	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	n 및 p 채널			40V	6.5a, 4.8a		28mohm @ 6a, 10V	3V @ 250µA	12.9NC @ 10V		604pf @ 20V	논리 논리 게이트

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (13379)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²