RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

불연속 불연속 제품 (13379)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
ADTC124ECAQ-7	0.2000	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ADTC124		310 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							50 v	100 MA	-			npn-사전-	-	-	250MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
DMN2991UDR4-7	0.2900	RFQ	4	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-xfdfn 노출 패드	DMN2991	MOSFET (금속 (()	380MW (TA)	x2-dfn1010-6 (유형 uxc)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.21.0095	5,000	2 n 채널 (채널)			20V	500MA (TA)		990mohm @ 100ma, 4.5v	1V @ 250µA	0.28NC @ 4.5V		14.6pf @ 16v	기준
DMP2070U-7	0.5100	RFQ	876	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMP2070	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			p 채널	20 v	4.6A (TC)	1.8V, 4.5V	44mohm @ 2a, 4.5v	950MV @ 250µA	8.2 NC @ 10 v	± 8V	118 pf @ 10 v	-	830MW
DMP6350S-7-52	0.1516	RFQ	6741	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드				31-DMP6350S-7-52	귀 99	8541.29.0095	3,000			p 채널	60 v	1.5A (TA)	4.5V, 10V	350mohm @ 900ma, 10V	3V @ 250µA	4.1 NC @ 10 v	± 20V	206 pf @ 30 v	-	720MW
BZT52C5V1Q-7-F	0.0384	RFQ	3	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.88%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52		370 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-BZT52C5V1Q-7-FTR	귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		2 µa @ 2 v							5.1 v	60 옴
DMN2114SN-7	-	RFQ	5132	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMN2114	MOSFET (금속 (()		SC-59-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			n 채널	20 v	1.2A (TA)	2.5V, 4.5V	100mohm @ 500ma, 4.5v	1.4V @ 1mA		± 12V	180 pf @ 10 v	-	500MW (TA)
DMP2002UPS-13	2.2100	RFQ	1832	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	DMP2002	MOSFET (금속 (()		PowerDi5060-8 (k)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,500			p 채널	20 v	60A (TC)	2.5V, 10V	1.9mohm @ 25a, 10V	1.4V @ 250µA	585 NC @ 10 v	± 12V	12826 pf @ 10 v	-	2.3W (TA)
RS5KP5M-13	0.2693	RFQ	4669	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	PowerDI ™ 5		기준		PowerDI ™ 5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		31-RS5KP5M-13TR	귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													800 v		1.2 v @ 5 a	500 ns	10 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	65pf @ 4V, 1MHz
DMT6030LFCL-7	0.1417	RFQ	6392	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-powerufdfn		MOSFET (금속 (()		U-DFN1616-6 (k)	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMT6030LFCL-7TR	귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널	60 v	6.5A (TA)	4.5V, 10V	25mohm @ 6.5a, 10V	2.5V @ 250µA	9.1 NC @ 10 v	± 20V	639 pf @ 30 v	-	780MW (TA)
DMN6040SK3-13-52	0.3480	RFQ	3753	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	DMN6040	MOSFET (금속 (()		TO-252, (D-PAK)	다운로드				31-DMN6040SK3-13-52	귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널	60 v	20A (TC)	4.5V, 10V	40mohm @ 20a, 10V	3V @ 250µA	22.4 NC @ 10 v	± 20V	1287 pf @ 25 v	-	42W (TC)
ZVN4525ZTA	0.8700	RFQ	6707	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	ZVN4525	MOSFET (금속 (()		SOT-89-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널	250 v	240MA (TA)	2.4V, 10V	8.5ohm @ 500ma, 10V	1.8V @ 1mA	3.65 nc @ 10 v	± 40V	72 pf @ 25 v	-	1.2W (TA)
DMN52D0LT-7	0.3800	RFQ	8916	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-523	DMN52	MOSFET (금속 (()		SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		31-DMN52D0LT-7CT	귀 99	8541.21.0095	3,000			n 채널	50 v	350MA (TA)	1.8V, 5V	2ohm @ 50ma, 5V	1.2V @ 250µA	1.5 nc @ 10 v	± 12V	40 pf @ 25 v	-	500MW (TA)
DMTH8004LPS-13	0.8379	RFQ	1933	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn		MOSFET (금속 (()		PowerDI5060-8	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMTH8004LPS-13TR	귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널	80 v	100A (TC)	4.5V, 10V	3.8mohm @ 20a, 10V	2.8V @ 250µA	81 NC @ 10 v	± 20V	4979 pf @ 40 v	-	1.5W (TA), 125W (TC)
DMP2065U-13	0.0725	RFQ	7804	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMP2065	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMP2065U-13TR	귀 99	8541.29.0095	10,000			p 채널	20 v	4A (TA)	1.8V, 4.5V	60mohm @ 4.2a, 4.5v	900MV @ 250µA	10.2 NC @ 4.5 v	± 12V	808 pf @ 15 v	-	900MW
DMN52D0UVA-13	0.4700	RFQ	8081	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	DMN52	MOSFET (금속 (()	480MW	SOT-563	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.21.0095	10,000	2 n 채널 (채널)			50V	480MA (TA)		2ohm @ 50ma, 5V	1V @ 250µA	1.5NC @ 10V		39pf @ 25v	-
B140AF-13	0.3900	RFQ	5075	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	B140	Schottky		smaf	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		500 mV @ 1 a		200 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4V, 1MHz
FCX1053A-7	-	RFQ	3941	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모									-	rohs 준수	1 (무제한)		31-FCX1053A-7TR	쓸모없는		3,000
DMP2036UVT-7	0.1216	RFQ	8203	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	DMP2036	MOSFET (금속 (()		TSOT-26	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMP2036UVT-7DI	귀 99	8541.29.0095	3,000			p 채널	20 v	6A (TA)	1.8V, 4.5V	30mohm @ 6.4a, 4.5v	1V @ 250µA	20.5 nc @ 4.5 v	± 8V	1808 pf @ 15 v	-	1.1W (TA)
SBR40U200CT	3.7100	RFQ	4460	다이오드가 다이오드가	SBR®	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	SBR40	슈퍼 슈퍼		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	SBR40U200CTDI	귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	200 v	20A	890 mV @ 20 a	50 ns	200 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 150 ° C
BZX84C12Q-7-F	0.0357	RFQ	7399	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.42%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-BZX84C12Q-7-FTR	귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		100 na @ 8 v							12 v	25 옴
DDTB142TU-7-F	-	RFQ	5483	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모			표면 표면	SC-70, SOT-323	DDTB142		200 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							50 v	500 MA	500NA (ICBO)			pnp- 사전-	300mv @ 2.5ma, 50ma	100 @ 5ma, 5V	200MHz	470 옴
BZT52C3V6-7	-	RFQ	6404	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	BZT52		500MW	SOD-123	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v							3.6 v	90 옴
LZ52C4V3W	-	RFQ	3431	다이오드가 다이오드가	-	대부분	마지막으로 마지막으로	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	1206 (3216 메트릭)	LZ52C		500MW	1206	-				31-LZ52C4V3W	귀 99	8541.10.0050	1																	1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 1 v							4.3 v	80 옴
AZ23C39-7-G	-	RFQ	6752	다이오드가 다이오드가	*	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모					AZ23C39				-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	AZ23C39-7-GDI	귀 99	8541.10.0050	3,000
PR1502S-B	-	RFQ	3256	다이오드가 다이오드가	-	대부분	쓸모 쓸모			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		1.2 v @ 1.5 a	150 ns	5 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1.5A	20pf @ 4V, 1MHz
ZXTP25140BFHTA	0.5700	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ZXTP25140		1.25 w	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	3,000																							140 v	1 a	50NA (ICBO)			PNP	260mv @ 100ma, 1a	100 @ 10ma, 2v	75MHz
DMTH6010SK3-13	1.1100	RFQ	6106	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	DMTH6010	MOSFET (금속 (()		TO-252-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널	60 v	16.3A (TA), 70A (TC)	10V	8mohm @ 20a, 10V	4V @ 250µA	36.3 NC @ 10 v	± 20V	1940 pf @ 30 v	-	3.1W (TA)
SD103BWS-7-F-2477	-	RFQ	3682	다이오드가 다이오드가	-	대부분	마지막으로 마지막으로			표면 표면	SC-76, SOD-323		Schottky		SOD-323	-				31-SD103BWS-7-F-2477			1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													30 v		600 mv @ 200 ma	10 ns	5 µa @ 20 v	-65 ° C ~ 125 ° C	350ma	35pf @ 0V, 1MHz
BC858BW-7-F	0.0349	RFQ	8407	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BC858		200 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							30 v	100 MA	15NA (ICBO)			PNP	650MV @ 5MA, 100MA	220 @ 2MA, 5V	200MHz
DMP510DLQ-7	0.0550	RFQ	5247	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMP510	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-dmp510dlq-7tr	귀 99	8541.21.0095	3,000			p 채널	50 v	196MA (TA)	5V	9.5ohm @ 100ma, 5V	2V @ 1mA	0.5 nc @ 10 v	± 30V	40 pf @ 25 v	-	520MW (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (13379)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²