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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce
MJD31CHQ-13 Diodes Incorporated MJD31CHQ-13 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MJD31 1.45 w TO-252, (D-PAK) - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 2,500 100 v 3 a 1µA NPN 400mv @ 500µa, 50ma 120 @ 100MA, 3V
S5JC-13-F Diodes Incorporated S5JC-13-F 0.5500
RFQ
 ECAD 87 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S5J 기준 SMC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 600 v 1.15 V @ 5 a 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 5a 40pf @ 4V, 1MHz
S1N-13-F Diodes Incorporated S1N-13-F 0.3500
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA s1n 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 1200 v 5 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 6pf @ 4V, 1MHz
ZMM5232B-7 Diodes Incorporated ZMM5232B-7 -
RFQ
 ECAD 8818 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 ZMM5232 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 5 µa @ 3 v 5.6 v 11 옴
DMT10H017LPD-13 Diodes Incorporated DMT10H017LPD-13 0.6938
RFQ
 ECAD 7312 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMT10 MOSFET (금속 (() 2.2W (TA), 78W (TC) PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 100V 54.7a (TC) 17.4mohm @ 17a, 10V 3V @ 250µA 28.6NC @ 10V 1986pf @ 50v -
BZT585B7V5T-7 Diodes Incorporated BZT585B7V5T-7 0.2300
RFQ
 ECAD 4628 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZT585 350 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 1 µa @ 5 v 7.5 v 10 옴
SBR40U45CT Diodes Incorporated SBR40U45CT 3.0700
RFQ
 ECAD 4197 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SBR40 슈퍼 슈퍼 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 20A 520 MV @ 20 a 600 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
DMN3016LFDFQ-13 Diodes Incorporated DMN3016LFDFQ-13 0.1172
RFQ
 ECAD 6435 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMN3016 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN3016LFDFQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 30 v 10A (TA) 4.5V, 10V 12mohm @ 11a, 10V 2V @ 250µA 25.1 NC @ 10 v ± 20V 1415 pf @ 15 v - 730MW (TA)
BZX84C2V4W-7-F Diodes Incorporated BZX84C2V4W-7-F 0.3400
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 8% -65 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
BAV70HDWQ-13 Diodes Incorporated BAV70HDWQ-13 0.3600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 bav70 기준 SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 음극 음극 공통 100 v 125MA 1 V @ 50 ma 4 ns 500 NA @ 80 v -65 ° C ~ 150 ° C
DMJ70H600HCT Diodes Incorporated DMJ70H600HCT -
RFQ
 ECAD 9609 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 DMJ70 MOSFET (금속 (() TO-220AB (Type th) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 31-DMJ70H600HCT 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 700 v 8.5A (TC) 10V 600mohm @ 2.4a, 10V 5V @ 250µA 17.4 NC @ 10 v ± 30V 570 pf @ 25 v - 2.3W (TA), 104W (TC)
DMTH4M70SPGWQ-13 Diodes Incorporated DMTH4M70SPGWQ-13 3.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1235 MOSFET (금속 (() PowerDI8080-5 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 460A (TC) 10V 0.7mohm @ 25a, 10V 4V @ 250µA 117.1 NC @ 10 v ± 20V 10053 pf @ 20 v - 5.6W (TA), 428W (TC)
MBRF2060CT-I Diodes Incorporated MBRF2060CT-I -
RFQ
 ECAD 9975 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모 쓸모 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 MBRF2060CT-IDI 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 640 mV @ 10 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
MMBZ5243BTS-7-F Diodes Incorporated MMBZ5243BTS-7-F 0.1300
RFQ
 ECAD 3645 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMBZ5243 200 MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 3 독립 900 mV @ 10 ma 500 NA @ 9.9 v 13 v 13 옴
BZX84C8V2Q-13-F Diodes Incorporated BZX84C8V2Q-13-F 0.0280
RFQ
 ECAD 1751 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.1% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-BZX84C8V2Q-13-FTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 700 na @ 5 v 8.2 v 15 옴
B190-13-F Diodes Incorporated B190-13-F 0.5500
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA B190 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 790 MV @ 1 a 500 µa @ 90 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 80pf @ 4V, 1MHz
DMN2025UFDF-7 Diodes Incorporated DMN2025UFDF-7 0.1135
RFQ
 ECAD 1928 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMN2025 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 6.5A (TA) 1.8V, 4.5V 25mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 12.3 NC @ 10 v ± 10V 486 pf @ 10 v - 700MW (TA)
S2G-13 Diodes Incorporated S2G-13 -
RFQ
 ECAD 8038 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB S2G 기준 SMB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 400 v 1.15 V @ 1.5 a 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.5A 20pf @ 4V, 1MHz
DMT3020LFDB-13 Diodes Incorporated DMT3020LFDB-13 0.1948
RFQ
 ECAD 2005 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMT3020 MOSFET (금속 (() 700MW u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 30V 7.7A (TA) 20mohm @ 9a, 10V 3V @ 250µA 7NC @ 10V 393pf @ 15V -
DDZ7V5CSF-7 Diodes Incorporated DDZ7V5CSF-7 0.0352
RFQ
 ECAD 9260 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F DDZ7V5 500MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -ddz7v5csf-7didkr 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 7.5 µa @ 4 v 7.48 v 30 옴
DDZ9708-7 Diodes Incorporated DDZ9708-7 0.3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 DDZ9708 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 16.7 v 22 v
SDT5A50SA-13 Diodes Incorporated SDT5A50SA-13 0.3600
RFQ
 ECAD 9842 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SDT5A50 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 520 MV @ 5 a 300 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 5a -
DMT36M1LPS-13 Diodes Incorporated DMT36M1LPS-13 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMT36 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 65A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 16.7 NC @ 10 v ± 20V 1155 pf @ 15 v - 2.6W (TA)
DMT10H025SK3-13 Diodes Incorporated DMT10H025SK3-13 0.2361
RFQ
 ECAD 8840 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMT10 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 41.2A (TC) 6V, 10V 23mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 21.4 NC @ 10 v ± 20V 1544 pf @ 50 v - 1.4W (TA)
DDZ18ASF-7 Diodes Incorporated DDZ18ASF-7 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F DDZ18 500MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 70 NA @ 15.4 v 16.64 v 45 옴
SBR3U60SLDQ-13 Diodes Incorporated SBR3U60SLDQ-13 0.5471
RFQ
 ECAD 2509 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn SBR3U60 슈퍼 슈퍼 PowerDi5060-8 (유형 D) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-SBR3U60SLDQ-13TR 귀 99 8541.10.0080 2,500 짐 2 독립 60 v 3A 600 mV @ 3 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 175 ° C
DMT8012LFG-7 Diodes Incorporated DMT8012LFG-7 0.9100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT8012 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 80 v 9.5A (TA), 35A (TC) 6V, 10V 16mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1949 pf @ 40 v - 2.2W (TA), 30W (TC)
DDZ5V6BS-7 Diodes Incorporated DDZ5V6BS-7 0.3000
RFQ
 ECAD 151 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 DDZ5V6 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 500 NA @ 2.5 v 5.6 v 11 옴
DMN1008UFDF-13 Diodes Incorporated DMN1008UFDF-13 0.4800
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMN1008 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 12 v 12.2A (TA) 2.5V, 4.5V 8mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 23.4 NC @ 8 v ± 8V 995 pf @ 6 v - 700MW (TA)
SBR10U300CTFP Diodes Incorporated sbr10u300ctfp 1.3500
RFQ
 ECAD 6285 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SBR10 슈퍼 슈퍼 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 300 v 5a 920 MV @ 10 a 35 ns 200 µa @ 300 v -65 ° C ~ 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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