SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
RS2J-13-F Diodes Incorporated RS2J-13-F 0.4600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB RS2J 기준 SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 V @ 1.5 a 250 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.5A 30pf @ 4V, 1MHz
DMTH6016LFDFW-7 Diodes Incorporated DMTH6016LFDFW-7 0.2725
RFQ
ECAD 8530 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMTH6016 MOSFET (금속 (() U-DFN2020-6 (SWP) (F 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 9.4A (TA) 4.5V, 10V 18mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 15.3 NC @ 10 v ± 20V 925 pf @ 30 v - 1.06W (TA)
2DA1774S-7 Diodes Incorporated 2DA1774S-7 0.3600
RFQ
ECAD 7 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 활동적인 2DA1774 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1034-2DA1774S-7DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000
N6180D Diodes Incorporated N6180D -
RFQ
ECAD 8243 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1
BZX84C12S-7-F Diodes Incorporated BZX84C12S-7-F 0.4100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BZX84 200 MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2 독립 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 12 v 25 옴
MMBT3906Q-7-F-52 Diodes Incorporated MMBT3906Q-7-F-52 0.0260
RFQ
ECAD 6799 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 다운로드 31-MMBT3906Q-7-F-52 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 200 MA 50NA PNP 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
DFLS220L-7 Diodes Incorporated DFLS220L-7 0.6100
RFQ
ECAD 20 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI®123 DFLS220 Schottky PowerDI ™ 123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 420 MV @ 2 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A 75pf @ 10V, 1MHz
SBR12M120P5-13D Diodes Incorporated SBR12M120P5-13D 0.2970
RFQ
ECAD 3028 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI ™ 5 SBR12 슈퍼 슈퍼 PowerDI ™ 5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 SBR12M120P5-13DI 귀 99 8541.10.0080 5,000 120 v 830 mv @ 12 a 200 µa @ 120 v -55 ° C ~ 150 ° C 12a -
SDMP0340LAT-7-F Diodes Incorporated SDMP0340LAT-7-F 0.4500
RFQ
ECAD 110 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 SDMG0340 Schottky SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 40 v 30MA (DC) 370 mV @ 1 ma 1 µa @ 10 v -40 ° C ~ 125 ° C
SBR10150CTE Diodes Incorporated sbr10150cte 0.7560
RFQ
ECAD 1520 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA SBR10150 슈퍼 슈퍼 TO-262 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 5a 920 MV @ 5 a 250 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
SDT30100CTFP-S Diodes Incorporated sdt30100ctfp-s 0.9100
RFQ
ECAD 6738 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SDT30100 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 15a 750 mV @ 15 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
B0530W-7 Diodes Incorporated B0530W-7 -
RFQ
ECAD 3933 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SOD-123 B0530 Schottky SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 430 mV @ 500 mA 130 µa @ 30 v -65 ° C ~ 125 ° C 500ma 170pf @ 0V, 1MHz
DDZ9696T-7 Diodes Incorporated DDZ9696T-7 0.0840
RFQ
ECAD 6095 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 DDZ9696 150 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 6.9 v 9.1 v
MMBT3906T-13 Diodes Incorporated MMBT3906T-13 -
RFQ
ECAD 8835 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 150 MW SOT-523 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 40 v 200 MA 50NA PNP 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
DL4934-13-F Diodes Incorporated DL4934-13-F -
RFQ
ECAD 5522 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 do-213ab, melf (유리) DL4934 기준 멜프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
DMT15H017LPS-13 Diodes Incorporated DMT15H017LPS-13 1.6300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMT15 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 9.4A (TA), 58A (TC) 4.5V, 10V 17.5mohm @ 20a, 10V 2.6V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 3369 pf @ 75 v - 1.3W (TA)
BAS20-7-G Diodes Incorporated BAS20-7-G -
RFQ
ECAD 1423 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 BAS20 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BAS20-7-GDI 귀 99 8541.10.0070 3,000
SDT8A120P5Q-7 Diodes Incorporated sdt8a120p5q-7 -
RFQ
ECAD 3636 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 1,500
SK13-13 Diodes Incorporated SK13-13 -
RFQ
ECAD 4980 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SK13 Schottky SMB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 1 a 500 µa @ 30 v -65 ° C ~ 125 ° C 1A 110pf @ 4V, 1MHz
1N5817M-13 Diodes Incorporated 1N5817M-13 -
RFQ
ECAD 7196 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5817 Schottky 멜프 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 450 mV @ 1 a 1 ma @ 20 v -60 ° C ~ 125 ° C 1A -
MUR160-T Diodes Incorporated MUR160-T 0.1827
RFQ
ECAD 7251 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 MUR160 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.25 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
AZ23C5V1-7 Diodes Incorporated AZ23C5V1-7 -
RFQ
ECAD 5320 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C5V1 300MW SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 5.1 v 60 옴
BZT52C11LP-7 Diodes Incorporated BZT52C11LP-7 0.4500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 0402 (1006 메트릭) BZT52 250 MW X1-DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
ZHCS506TC Diodes Incorporated ZHCS506TC -
RFQ
ECAD 1545 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZHCS506 Schottky SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 630 mV @ 500 mA 10 ns 40 µa @ 45 v 125 ° C (°) 500ma 20pf @ 25V, 1MHz
S2KA-13 Diodes Incorporated S2KA-13 0.3500
RFQ
ECAD 837 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000
MMDT4401Q-7-F Diodes Incorporated MMDT4401Q-7-F 0.0616
RFQ
ECAD 3103 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT4401 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40V 600ma 100NA 2 NPN (() 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 1V 250MHz
UDZ4V3B-7 Diodes Incorporated UDZ4V3B-7 0.0409
RFQ
ECAD 1779 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3.02% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 UDZ4V3 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 1 v 4.3 v 100 옴
2DC4617QLP-7 Diodes Incorporated 2DC4617QLP-7 0.2100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn 2DC4617 250 MW X1-DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) NPN 200mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 100MHz
MMBZ5244B-7-F-31 Diodes Incorporated MMBZ5244B-7-F-31 -
RFQ
ECAD 7706 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-MMBZ5244B-7-F-31TR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 10 v 14 v 15 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고