| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMTH8001STLWQ-13 | 5.2600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 다이오드 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerSFN | MOSFET(금속) | POWERDI1012-8 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 31-DMTH8001STLWQ-13TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,500 | N채널 | 80V | 270A(Tc) | 10V | 1.7m옴 @ 30A, 10V | 4V @ 250μA | 138nC @ 10V | ±20V | 50V에서 8894pF | - | 6W(Ta), 250W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN10H170SFG-13 | 0.5800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 다이오드 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | DMN10 | MOSFET(금속) | 파워DI3333-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 100V | 2.9A(Ta), 8.5A(Tc) | 4.5V, 10V | 122m옴 @ 3.3A, 10V | 3V @ 250μA | 14.9nC @ 10V | ±20V | 870.7pF @ 25V | - | 940mW(타) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DCX69-16-13 | - | ![]() | 1304 | 0.00000000 | 다이오드 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-243AA | DCX69 | 1W | SOT-89-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 20V | 1A | 100nA(ICBO) | PNP | 500mV @ 100mA, 1A | 100 @ 500mA, 1V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5239BTS-7-F | 0.1300 | ![]() | 5923 | 0.00000000 | 다이오드 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MMBZ5239 | 200mW | SOT-363 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3면 | 900mV @ 10mA | 7V에서 3μA | 9.1V | 10옴 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMNH6010SCTBQ-13 | 1.7042 | ![]() | 8660 | 0.00000000 | 다이오드 통합 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | DMNH6010 | MOSFET(금속) | TO-263AB(D²PAK) | 다운로드 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 31-DMNH6010SCTBQ-13TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 60V | 133A(Tc) | 10V | 10m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 46nC @ 10V | ±20V | 25V에서 2692pF | - | 5W(Ta), 375W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXMN3A03E6TA | 0.8300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 다이오드 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-23-6 | ZXMN3 | MOSFET(금속) | SOT-23-6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 3.7A(타) | 4.5V, 10V | 50m옴 @ 7.8A, 10V | 1V @ 250μA | 12.6nC @ 10V | ±20V | 25V에서 600pF | - | 1.1W(타) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DDTC123JE-7 | 0.3500 | ![]() | 670 | 0.00000000 | 다이오드 통합 | - | 컷테이프(CT) | 활동적인 | 표면 실장 | SOT-523 | DDTC123 | 150mW | SOT-523 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 500nA | NPN - 사전 바이어스됨 | 250μA에서 300mV, 5mA | 80 @ 10mA, 5V | 250MHz | 2.2kΩ | 47kΩ | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5221BS-7-F | 0.2800 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 다이오드 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | SC-76, SOD-323 | MMSZ5221 | 200mW | SOD-323 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900mV @ 10mA | 100μA @ 1V | 2.4V | 30옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN1150UFL3-7 | 0.0860 | ![]() | 4796 | 0.00000000 | 다이오드 통합 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-XFDFN 옆형 패드 | DMN1150 | MOSFET(금속) | 390mW | X2-DFN1310-6(유형B) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 N채널(듀얼) | 12V | 2A | 150m옴 @ 1A, 4.5V | 1V @ 250μA | 1.4nC @ 4.5V | 115pF @ 6V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | S1GB-13-G | - | ![]() | 8373 | 0.00000000 | 다이오드 통합 | * | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | S1GB-13-GDI | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C27W-7 | 0.1000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 다이오드 통합 | * | 컷테이프(CT) | 활동적인 | BZX84 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1034-BZX84C27W-7DKR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZTX869 | 1.1700 | ![]() | 2546 | 0.00000000 | 다이오드 통합 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 200°C (TJ) | 스루홀 | E-라인-3 | 1.2W | E-라인(TO-92 호환) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 4,000 | 25V | 5A | 50nA(ICBO) | NPN | 220mV @ 100mA, 5A | 300 @ 1A, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SB560B | - | ![]() | 2384 | 0.00000000 | 다이오드 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | DO-201AD, 축 | 쇼트키 | DO-201AD | 다운로드 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 60V | 670mV @ 5A | 60V에서 500μA | -65°C ~ 150°C | 5A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HER301-T | - | ![]() | 4386 | 0.00000000 | 다이오드 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | DO-201AD, 축 | HER301 | 기준 | DO-201AD | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 50V | 1.1V @ 3A | 50ns | 50V에서 10μA | -65°C ~ 150°C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PD3Z284C15-7 | 0.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 다이오드 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | PowerDI™ 323 | PD3Z284 | 500mW | PowerDI™ 323 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1V @ 100mA | 100nA @ 10.5V | 15V | 15옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| DN0150BLP4-7B | - | ![]() | 3257 | 0.00000000 | 다이오드 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-XFDFN | DN0150 | 450mW | X2-DFN1006-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN | 250mV @ 10mA, 100mA | 200 @ 2mA, 6V | 60MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMN2069FTA | 0.1240 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 다이오드 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET(금속) | SOT-23-3 | 다운로드 | RoHS 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 1.4A(타) | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5227BT-7-G | - | ![]() | 5072 | 0.00000000 | 다이오드 통합 | * | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | MMBZ5227BT-7-GDI | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN3029LFG-7 | 0.1514 | ![]() | 1011 | 0.00000000 | 다이오드 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | DMN3029 | MOSFET(금속) | POWERDI3333-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 30V | 5.3A(타) | 4.5V, 10V | 18.6m옴 @ 10A, 10V | 250μA에서 1.8V | 11.3nC @ 10V | ±25V | 15V에서 580pF | - | 1W(타) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C13-7-G | - | ![]() | 1735년 | 0.00000000 | 다이오드 통합 | * | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | BZX84 | - | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | BZX84C13-7-GDI | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMT32M5LPS-13 | 0.3373 | ![]() | 8186 | 0.00000000 | 다이오드 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | DMT32 | MOSFET(금속) | 전력DI5060-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 150A(Tc) | 4.5V, 10V | 2m옴 @ 30A, 10V | 3V @ 1mA | 68nC @ 10V | ±20V | 3944pF @ 25V | - | 100W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
| FZT603TA | 0.6800 | ![]() | 37 | 0.00000000 | 다이오드 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | FZT603 | 2W | SOT-223-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 80V | 2A | 10μA | NPN-달링턴 | 1.13V @ 20mA, 2A | 5000 @ 500mA, 5V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| FZT649TC | 0.2610 | ![]() | 3547 | 0.00000000 | 다이오드 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | FZT649 | 2W | SOT-223-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 4,000 | 25V | 3A | 100nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 300mA, 3A | 100 @ 1A, 2V | 240MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMTH15H017SPSWQ-13 | 0.8967 | ![]() | 2998년 | 0.00000000 | 다이오드 통합 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장, 일부 | 8파워TDFN | DMTH15 | MOSFET(금속) | PowerDI5060-8(UX부) | - | 31-DMTH15H017SPSWQ-13 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 150V | 11A(타), 61A(Tc) | 8V, 10V | 19m옴 @ 20A, 10V | 4V @ 250μA | 34nC @ 10V | ±20V | 75V에서 2344pF | - | 1.5W(타) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ20DSF-7 | 0.0355 | ![]() | 6183 | 0.00000000 | 다이오드 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | ±3% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | SC-90, SOD-323F | DDZ20 | 500mW | SOD-323F | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900mV @ 10mA | 70nA @ 18.7V | 20.22V | 50옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B340LB-13 | - | ![]() | 5264 | 0.00000000 | 다이오드 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | 표면 실장 | DO-214AA, SMB | B340 | 쇼트키 | 건축 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 40V | 450mV @ 3A | 40V에서 2mA | -55°C ~ 125°C | 3A | 180pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN3009SFGQ-7 | 0.9700 | ![]() | 4094 | 0.00000000 | 다이오드 통합 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | DMN3009 | MOSFET(금속) | 파워DI3333-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | N채널 | 30V | 16A(Ta), 45A(Tc) | 4.5V, 10V | 5.5m옴 @ 20A, 10V | 2.5V @ 250μA | 42nC @ 10V | ±20V | 2nF @ 15V | - | 900mW(타) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | S2MA-13-F | 0.4500 | ![]() | 54 | 0.00000000 | 다이오드 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | DO-214AC, SMA | S2M | 기준 | SMA | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 1000V | 1.15V @ 1.5A | 1000V에서 5μA | -65°C ~ 150°C | 1.5A | 20pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN3055LFDBQ-7 | 0.1294 | ![]() | 1416 | 0.00000000 | 다이오드 통합 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-UDFN 옆패드 | DMN3055 | - | 810mW(타) | U-DFN2020-6(B형) | 다운로드 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 31-DMN3055LFDBQ-7TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 N채널(듀얼) | 30V | 5A(타) | 40m옴 @ 3A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 11.2nC @ 10V | 458pF @ 15V | - | |||||||||||||||||||||||||||
| T16M35T800HC | 0.9300 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 다이오드 통합 | - | 튜브 | 활동적인 | T16M35 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 31-T16M35T800HC | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 |

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