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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
DMP2008UFG-13 Diodes Incorporated DMP2008UFG-13 0.6100
RFQ
ECAD 25 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP2008 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 14A (TA), 54A (TC) 1.5V, 4.5V 8mohm @ 12a, 4.5v 1V @ 250µA 72 NC @ 4.5 v ± 8V 6909 pf @ 10 v - 2.4W (TA), 41W (TC)
ZXT11N15DFTA Diodes Incorporated zxt11n15dfta 0.6300
RFQ
ECAD 3176 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXT11N15 625 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 15 v 3 a 100NA NPN 150mv @ 150ma, 3a 300 @ 200ma, 2v 145MHz
DDTC143TUA-7 Diodes Incorporated DDTC143TUA-7 0.3900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 DDTC143 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
B340A-13-F Diodes Incorporated B340A-13-F 0.4300
RFQ
ECAD 131 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA B340 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 200pf @ 4V, 1MHz
DDZ9694S-7 Diodes Incorporated DDZ9694S-7 0.4500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 DDZ9694 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 6.2 v 8.2 v
KBP208G Diodes Incorporated KBP208G 0.6400
RFQ
ECAD 58 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBP KBP208 기준 KBP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 35 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 800 v 2 a 단일 단일 800 v
ZUMT2369ATA Diodes Incorporated Zumt2369ata 0.4200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1034-zumt2369atadkr 귀 99 8541.29.0095 3,000
ZTX849 Diodes Incorporated ZTX849 1.0200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX849 1.2 w e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 4,000 30 v 5 a 50NA (ICBO) NPN 220mv @ 200ma, 5a 100 @ 1a, 1v 100MHz
DFLS230L-7 Diodes Incorporated DFLS230L-7 0.6100
RFQ
ECAD 20 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI®123 DFLS230 Schottky PowerDI ™ 123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 420 MV @ 2 a 1 ma @ 30 v -40 ° C ~ 125 ° C 2A 76pf @ 10V, 1MHz
ZX5T851GTA Diodes Incorporated ZX5T851GTA 0.8900
RFQ
ECAD 143 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA ZX5T851 3 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 6 a 20NA (ICBO) NPN 260mv @ 300ma, 6a 100 @ 2a, 1v 130MHz
DMP210DUFB4-7B Diodes Incorporated DMP210DUFB4-7B -
RFQ
ECAD 7897 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMP210 MOSFET (금속 (() X2-DFN1006-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMP210DUFB4-7BDI 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 20 v 200MA (TA) 1.2V, 4.5V 5ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA ± 10V 175 pf @ 15 v - 350MW (TA)
DMN10H170SFG-7 Diodes Incorporated DMN10H170SFG-7 0.5800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMN10 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 100 v 2.9A (TA), 8.5A (TC) 4.5V, 10V 122mohm @ 3.3a, 10V 3V @ 250µA 14.9 NC @ 10 v ± 20V 870.7 pf @ 25 v - 940MW (TA)
BZX84C13T-7-F Diodes Incorporated BZX84C13T-7-F 0.0630
RFQ
ECAD 3365 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOT-523 BZX84 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 13 v 30 옴
MJD32CQ-13 Diodes Incorporated MJD32CQ-13 0.6100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MJD32 15 w TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 100 v 3 a 1µA PNP 1.2v @ 375ma, 3a 10 @ 3a, 4v 3MHz
ZXTP19100CZTA Diodes Incorporated ZXTP19100CZTA 0.7400
RFQ
ECAD 3561 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA ZXTP19100 2.4 w SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 100 v 2 a 50NA (ICBO) PNP 295mv @ 200ma, 2a 200 @ 100ma, 2v 142MHz
DFLZ11Q-7 Diodes Incorporated DFLZ11Q-7 0.1348
RFQ
ECAD 8895 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.45% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerDI®123 DFLZ11 1 W. PowerDI ™ 123 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DFLZ11Q-7TR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 4 µa @ 8.2 v 11 v 7 옴
GBJ1008-F Diodes Incorporated GBJ1008-F 1.6693
RFQ
ECAD 7086 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ1008 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 15 1.05 V @ 5 a 10 µa @ 800 v 10 a 단일 단일 800 v
BS870Q-7-F Diodes Incorporated BS870Q-7-F 0.3000
RFQ
ECAD 3999 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BS870 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 250MA (TA) 10V 5ohm @ 200ma, 10V 3V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 10 v - 300MW
BZT52C2V4-13-F Diodes Incorporated BZT52C2V4-13-F 0.0269
RFQ
ECAD 5237 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 8% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BZT52C2V4-13-FDI 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
BSS84-7-F Diodes Incorporated BSS84-7-F 0.2400
RFQ
ECAD 7 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS84 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 50 v 130MA (TA) 5V 10ohm @ 100ma, 5V 2V @ 1mA ± 20V 45 pf @ 25 v - 300MW (TA)
DMN67D8LDW-7 Diodes Incorporated DMN67D8LDW-7 0.0756
RFQ
ECAD 3181 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN67 MOSFET (금속 (() 320MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 230ma 5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.82NC @ 10V 25V @ 25V -
FZTA92TA Diodes Incorporated fzta92ta -
RFQ
ECAD 6250 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA fzta92 2 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 300 v 500 MA 250NA (ICBO) PNP 500mv @ 2ma, 20ma 25 @ 30MA, 10V 50MHz
MMSZ5234B-7-F Diodes Incorporated MMSZ5234B-7-F 0.2100
RFQ
ECAD 115 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5234 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 4 v 6.2 v 7 옴
MMBZ5225BS-7-F Diodes Incorporated MMBZ5225BS-7-F 0.0756
RFQ
ECAD 7710 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMBZ522 200 MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2 독립 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 3 v 30 옴
ZTX753STZ Diodes Incorporated ZTX753STZ 0.8600
RFQ
ECAD 5977 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 컷 컷 (CT) 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX753 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 100 v 2 a 10µA (ICBO) PNP 500mv @ 200ma, 2a - 140MHz
MMBZ5248B-7 Diodes Incorporated MMBZ5248B-7 -
RFQ
ECAD 4076 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5248B 350 MW SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 14 v 18 v 21 옴
SR506-T Diodes Incorporated SR506-T -
RFQ
ECAD 8846 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR506 Schottky Do-201ad 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 670 mV @ 5 a 1 ma @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C 5a -
B1100B-13 Diodes Incorporated B1100B-13 -
RFQ
ECAD 4777 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AA, SMB B1100 Schottky SMB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 790 MV @ 1 a 500 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 80pf @ 4V, 1MHz
DDTC124XUA-7 Diodes Incorporated DDTC124XUA-7 0.3900
RFQ
ECAD 42 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 활동적인 DDTC124 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1034-DDTC124XUA-7DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000
LBN150B02-7 Diodes Incorporated LBN150B02-7 -
RFQ
ECAD 3767 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 LBN150 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 LBN150B02-7DI 쓸모없는 0000.00.0000 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고