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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DMN2053UQ-13 Diodes Incorporated DMN2053UQ-13 0.0517
RFQ
 ECAD 2069 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2053 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 31-DMN2053UQ-13 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 6.5A (TA) 1.8V, 10V 29mohm @ 6a, 10V 1.2V @ 250µA 4.6 NC @ 4.5 v ± 12V 414 pf @ 10 v - 800MW (TA)
SDMP0340LT-7-F Diodes Incorporated SDMP0340LT-7-F 0.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 SDMP0340 Schottky SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 370 mV @ 1 ma 1 µa @ 10 v -40 ° C ~ 125 ° C 30ma 2pf @ 1v, 1MHz
BAW156-F Diodes Incorporated BAW156-F -
RFQ
 ECAD 9056 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAW156 기준 SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 85 v 140ma (DC) 1.1 v @ 50 ma 3 µs 5 na @ 75 v -65 ° C ~ 150 ° C
DP0150ALP4-7B Diodes Incorporated DP0150ALP4-7B -
RFQ
 ECAD 2589 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DP0150 450 MW X2-DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 120 @ 2MA, 6V 80MHz
MBR2060CT-G1 Diodes Incorporated MBR2060CT-G1 -
RFQ
 ECAD 7639 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR2060 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 810 mv @ 10 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
AZ23C39-7-F Diodes Incorporated AZ23C39-7-F 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C39 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 39 v 90 옴
B0520LW-7 Diodes Incorporated B0520LW-7 -
RFQ
 ECAD 1650 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SOD-123 B0520 Schottky SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 385 mV @ 500 mA 250 µa @ 20 v -65 ° C ~ 125 ° C 500ma 170pf @ 0V, 1MHz
BZT52C4V7-13-G Diodes Incorporated BZT52C4V7-13-G -
RFQ
 ECAD 8011 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 BZT52 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BZT52C4V7-13-GDI 귀 99 8541.10.0050 10,000
ZXMN10A11GTA Diodes Incorporated zxmn10a11gta 0.7300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA ZXMN10 MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 1.7A (TA) 6V, 10V 350mohm @ 2.6a, 10V 4V @ 250µA 5.4 NC @ 10 v ± 20V 274 pf @ 50 v - 2W (TA)
BAS40BRW-7 Diodes Incorporated BAS40BRW-7 -
RFQ
 ECAD 4226 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BAS40 Schottky SOT-363 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 연결 연결 시리즈 40 v 200MA (DC) 1 v @ 40 ma 5 ns 200 na @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C
UF1501S-B Diodes Incorporated UF1501S-B -
RFQ
 ECAD 8044 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 1.5 a 50 ns 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.5A 35pf @ 4V, 1MHz
MBR6045PT Diodes Incorporated MBR6045PT -
RFQ
 ECAD 7238 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MBR6045PT Schottky to-3p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 60a 750 MV @ 60 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
B340-13 Diodes Incorporated B340-13 -
RFQ
 ECAD 1020 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC B340 Schottky SMC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A 200pf @ 4V, 1MHz
MMSTA05-7 Diodes Incorporated MMSTA05-7 -
RFQ
 ECAD 5342 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMSTA05 200 MW SOT-323 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 500 MA 100NA NPN 250mv @ 10ma, 100ma 100 @ 100ma, 1v 100MHz
DDC114EUQ-7-F Diodes Incorporated DDC114EUQ-7-F 0.0756
RFQ
 ECAD 9291 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101, DDC (XXXX) u 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDC114 200MW SOT-363 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-DDC114EUQ-7-FTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
B250A-13-F Diodes Incorporated B250A-13-F 0.4300
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA B250 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 2 a 500 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A 200pf @ 4V, 1MHz
MBR1060 Diodes Incorporated MBR1060 -
RFQ
 ECAD 9543 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 MBR106 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 MBR1060DI 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 950 MV @ 10 a 100 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C 10A 400pf @ 4V, 1MHz
ZXM62N03GTA Diodes Incorporated ZXM62N03GTA -
RFQ
 ECAD 2818 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 3.4A (TA), 4.7A (TC) 4.5V, 10V 110mohm @ 2.2a, 10V 1V @ 250µA 9.6 NC @ 10 v ± 20V 380 pf @ 25 v - 2W (TA)
PR1003L-T Diodes Incorporated PR1003L-T -
RFQ
 ECAD 6553 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 PR1003 기준 DO-41 - 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.2 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
S1A-13 Diodes Incorporated S1A-13 -
RFQ
 ECAD 9446 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA S1A 기준 SMA 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 50 v 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
DMP1008UCB9-7 Diodes Incorporated DMP1008UCB9-7 0.3007
RFQ
 ECAD 8938 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 9-UFBGA, WLBGA DMP1008 MOSFET (금속 (() U-WLB1515-9 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMP1008UCB9-7TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 9.8A (TA) 2.5V, 4.5V 5.7mohm @ 2a, 4.5v 1.1V @ 250µA 8.2 NC @ 4.5 v -6V 900 pf @ 4 v - 840MW (TA)
BAS21TW-7 Diodes Incorporated BAS21TW-7 0.3800
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BAS21 기준 SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 3 독립 250 v 200MA (DC) 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C
BZT52C30-13 Diodes Incorporated BZT52C30-13 -
RFQ
 ECAD 6093 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 21 v 30 v 80 옴
DMC4040SSDQ-13 Diodes Incorporated DMC4040SSDQ-13 0.3563
RFQ
 ECAD 2975 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMC4040 MOSFET (금속 (() 17.2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 보완 p 채널 및 40V 7.5A (TA) 25mohm @ 3a, 10V 1.8V @ 250µA 16nc @ 4.5v 1790pf @ 20V 논리 논리 게이트
SDT5A100SB-13 Diodes Incorporated SDT5A100SB-13 0.4400
RFQ
 ECAD 7862 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SDT5A100 Schottky SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 660 mV @ 5 a 50 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
DXTN10060DFJBWQ-7 Diodes Incorporated DXTN10060DFJBWQ-7 0.4400
RFQ
 ECAD 445 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn n 패드 1.8 w W-DFN2020-3 (유형 a) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 60 v 4 a 100NA NPN 320mv @ 200ma, 4a 340 @ 200ma, 2v 125MHz
ZTX789ASTOB Diodes Incorporated ztx789astob -
RFQ
 ECAD 7281 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX789A 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 25 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100ma, 3a 300 @ 10ma, 2v 100MHz
ZTX1147ASTOB Diodes Incorporated ztx1147astob -
RFQ
 ECAD 5554 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX1147A 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 12 v 4 a 100NA PNP 235mv @ 70ma, 4a 250 @ 500ma, 2V 115MHz
DXTN03060CFG-7 Diodes Incorporated DXTN03060CFG-7 0.6600
RFQ
 ECAD 3974 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn 1.2 w PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 60 v 6 a 50NA NPN 260mv @ 300ma, 6a 200 @ 2a, 2v 140MHz
MBR20H100CTF-E1 Diodes Incorporated MBR20H100CTF-E1 -
RFQ
 ECAD 2627 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 Schottky TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 770 MV @ 10 a 4.5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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