SIC
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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
US1A-13-F Diodes Incorporated US1A-13-F 0.4300
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ECAD 27 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 DO-214AC, SMA US1A 기준 SMA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0080 5,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 50V 1V @ 1A 50ns 50V에서 5μA -65°C ~ 150°C 1A 20pF @ 4V, 1MHz
DMN3112SQ-7 Diodes Incorporated DMN3112SQ-7 -
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ECAD 4919 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3112 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMN3112SQ-7TR EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 5.8A(타) 4.5V, 10V 57m옴 @ 5.8A, 10V 2.2V @ 250μA ±20V 5V에서 268pF - 1.4W(타)
STPR1640 Diodes Incorporated STPR1640 0.8900
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ECAD 25 0.00000000 다이오드 통합 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-3 STPR16 기준 TO220AB(WX형) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-STPR1640 EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍씩 시작됩니다 400V 8A 1.3V @ 8A 35ns 400V에서 10μA -55°C ~ 150°C
DMP3028LFDEQ-7 Diodes Incorporated DMP3028LFDEQ-7 0.1262
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ECAD 8060 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-PowerUDFN DMP3028 MOSFET(금속) U-DFN2020-6(E형) 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMP3028LFDEQ-7TR EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 30V 6.8A(타) 4.5V, 10V 25m옴 @ 7A, 10V 2.4V @ 250μA 33nC @ 10V ±20V 15V에서 1860pF - 660mW(타)
DMT2005UDV-7 Diodes Incorporated DMT2005UDV-7 0.2289
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ECAD 1869년 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN DMT2005 MOSFET(금속) 900mW(타) PowerDI3333-8(UXC 유형) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,000 2 N채널(듀얼) 24V 50A(Tc) 7m옴 @ 14A, 10V 250μA에서 1.5V 46.7nC @ 10V 2060pF @ 10V -
MMBZ5242B-7-F Diodes Incorporated MMBZ5242B-7-F 0.1700
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ECAD 161 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5242 350mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 9.1V에서 1μA 12V 30옴
DMP1022UWS-7 Diodes Incorporated DMP1022UWS-7 0.3144
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ECAD 4000 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-VDFN DMP1022 MOSFET(금속) V-DFN3020-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 12V 7.2A(타) 1.8V, 4.5V 18m옴 @ 9A, 4.5V 1V @ 250μA 30nC @ 5V ±8V 2847pF @ 4V - 900mW(타)
MBR1040-LS Diodes Incorporated MBR1040-LS -
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ECAD 5879 0.00000000 다이오드 통합 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-220-2 MBR1040 쇼트키 TO-220AC - 31-MBR1040-LS 더 이상 사용하지 않는 경우 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 10A에서 840mV 40V에서 100μA -65°C ~ 150°C 10A 400pF @ 4V, 1MHz
SMAZ8V2-13-F Diodes Incorporated SMAZ8V2-13-F 0.4700
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ECAD 144 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 DO-214AC, SMA SMAZ8 1W SMA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2V @ 200mA 6V에서 5μA 8.2V 2옴
B0530W-7-F Diodes Incorporated B0530W-7-F 0.3300
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ECAD 7979 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-123 B0530 쇼트키 SOD-123 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 430mV @ 500mA 30V에서 130μA -65°C ~ 125°C 500mA 170pF @ 0V, 1MHz
DMP2040UVT-13 Diodes Incorporated DMP2040UVT-13 0.1027
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ECAD 1445 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) - - DMP2040 MOSFET(금속) - 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 10,000 P채널 20V 5.5A(Ta), 13A(Tc) 2.5V, 4.5V 38m옴 @ 8.9A, 4.5V 250μA에서 1.5V 8.6nC @ 4.5V ±12V 10V에서 834pF - 1.2W(타)
DMT64M8LCG-13 Diodes Incorporated DMT64M8LCG-13 0.3973
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ECAD 4643 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN MOSFET(금속) V-DFN3333-8(B형) 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMT64M8LCG-13TR EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 60V 16.1A(Ta), 77.8A(Tc) 4.5V, 10V 4.8m옴 @ 20A, 10V 2.4V @ 250μA 47.5nC @ 10V ±20V 30V에서 2664pF - 990mW(타)
SF10JG-B Diodes Incorporated SF10JG-B -
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ECAD 6006 0.00000000 다이오드 통합 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 DO-204AL, DO-41, 축방향 기준 DO-41 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0080 1,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 600V 1.5V @ 1A 50ns 600V에서 10μA -65°C ~ 150°C 1A 50pF @ 4V, 1MHz
DMT3006LDV-13 Diodes Incorporated DMT3006LDV-13 0.2545
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ECAD 7246 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN DMT3006 MOSFET(금속) 900mW(타) PowerDI3333-8(UXC 유형) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 0000.00.0000 3,000 2 N채널(듀얼) 30V 25A(TC) 10m옴 @ 9A, 10V 3V @ 250μA 16.7nC @ 10V 1155pF @ 15V -
BZX84C3V0S-7-F-79 Diodes Incorporated BZX84C3V0S-7-F-79 -
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ECAD 2264 0.00000000 다이오드 통합 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 BZX84 - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. BZX84C3V0S-7-F-79DI EAR99 8541.10.0050 3,000
DDZX15-7 Diodes Incorporated DDZX15-7 0.2500
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ECAD 2 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±3% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDZX15 300mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 12V에서 50nA 15V 18옴
S3KB-13 Diodes Incorporated S3KB-13 -
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ECAD 6496 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. 표면 실장 DO-214AA, SMB S3K 기준 건축 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 800V 1.15V @ 3A 800V에서 10μA -65°C ~ 150°C 3A 40pF @ 4V, 1MHz
DDZ9714-7 Diodes Incorporated DDZ9714-7 0.3600
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ECAD 617 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-123 DDZ9714 500mW SOD-123 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 50nA @ 25V 33V
DMC3016LSD-13 Diodes Incorporated DMC3016LSD-13 0.5500
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ECAD 12 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) DMC3016 MOSFET(금속) 1.2W 8-SO 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N 및 P 채널 30V 8.2A, 6.2A 16m옴 @ 12A, 10V 2.3V @ 250μA 25.1nC @ 10V 1415pF @ 15V 게임 레벨 레벨
ZVN4306AV Diodes Incorporated ZVN4306AV 1.5800
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ECAD 2213 0.00000000 다이오드 통합 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) ZVN4306 MOSFET(금속) TO-92 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. ZVN4306AV-NDR EAR99 8541.21.0095 4,000 N채널 60V 1.1A(타) 5V, 10V 330m옴 @ 3A, 10V 3V @ 1mA ±20V 25V에서 350pF - 850mW(타)
LBN150B02-7 Diodes Incorporated LBN150B02-7 -
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ECAD 3767 0.00000000 다이오드 통합 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 LBN150 - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. LBN150B02-7DI 더 이상 사용하지 않는 경우 0000.00.0000 3,000
DMN3061SVT-13 Diodes Incorporated DMN3061SVT-13 0.1185
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ECAD 6668 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 DMN3061 MOSFET(금속) 880mW TSOT-26 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMN3061SVT-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 2 N채널(듀얼) 30V 3.4A(타) 60m옴 @ 3.1A, 10V 250μA에서 1.8V 6.6nC @ 10V 278pF @ 15V -
BAS21Q-13-F Diodes Incorporated BAS21Q-13-F 0.0276
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ECAD 20 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 바스21 기준 SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-BAS21Q-13-FTR EAR99 8541.10.0070 10,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 250V 1.25V @ 200mA 50ns 100nA @ 250V -65°C ~ 150°C 200mA 5pF @ 0V, 1MHz
SD103AW-13-F Diodes Incorporated SD103AW-13-F 0.3800
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ECAD 60 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-123 SD103 쇼트키 SOD-123 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 10,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 600mV @ 200mA 10ns 30V에서 5μA -65°C ~ 125°C 350mA 28pF @ 0V, 1MHz
APT13005SU-G1 Diodes Incorporated APT13005SU-G1 -
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ECAD 6806 0.00000000 다이오드 통합 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-225AA, TO-126-3 APT13005 20W TO-126 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 450V 3.2A - NPN 1V @ 750mA, 3A 8 @ 2A, 5V 4MHz
BCX5610TA Diodes Incorporated BCX5610TA 0.4000
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ECAD 14 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA BCX5610 1W SOT-89-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 80V 1A 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 500mA 63 @ 150mA, 2V 150MHz
DMC25D0UVT-13 Diodes Incorporated DMC25D0UVT-13 0.1276
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ECAD 5589 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 DMC25 MOSFET(금속) 1.2W TSOT-23-6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. DMC25D0UVT-13DI EAR99 8541.29.0095 10,000 N 및 P 채널 25V, 30V 400mA, 3.2A 4옴 @ 400mA, 4.5V 250μA에서 1.5V 0.7nC @ 8V 26.2pF @ 10V -
ES1G-13-F Diodes Incorporated ES1G-13-F 0.4600
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ECAD 181 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 DO-214AC, SMA ES1G 기준 SMA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0080 5,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 400V 1.25V @ 1A 25ns 400V에서 5μA -55°C ~ 150°C 1A 20pF @ 4V, 1MHz
DDZ2V7ASF-7 Diodes Incorporated DDZ2V7ASF-7 0.1800
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ECAD 2 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±4% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F DDZ2V7 500mW SOD-323F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 120μA @ 1V 2.65V 110옴
DMP31D7LVQ-13 Diodes Incorporated DMP31D7LVQ-13 0.4500
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ECAD 10 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 DMP31 MOSFET(금속) 500mW(타) SOT-563 - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 2 P채널(듀얼) 30V 620mA(타) 900m옴 @ 420mA, 10V 2.6V @ 250μA 0.8nC @ 10V 19pF @ 15V 기준
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고