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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
ZUMT619TA Diodes Incorporated Zumt619ta 0.3900
RFQ
 ECAD 312 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 Zumt619 385 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 1 a 10NA NPN 270mv @ 50ma, 1a 200 @ 500ma, 2v 215MHz
ZTX455QSTZ Diodes Incorporated ZTX455QSTZ 0.2736
RFQ
 ECAD 7269 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & t (TB) 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-ZTX455QSTZTB 귀 99 8541.29.0075 4,000 140 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 15ma, 150ma 100 @ 150ma, 10V 100MHz
B245BE-13 Diodes Incorporated B245BE-13 -
RFQ
 ECAD 7788 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AA, SMB B245 Schottky SMB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 500 mV @ 2 a 200 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 93pf @ 4v, 1MHz
ZHCS400TA Diodes Incorporated ZHCS400TA 0.4000
RFQ
 ECAD 581 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 ZHCS400 Schottky SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 400 mA 40 µa @ 30 v - 400ma 20pf @ 25V, 1MHz
BZX84C11W-7 Diodes Incorporated BZX84C11W-7 -
RFQ
 ECAD 4811 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84 200 MW SOT-323 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
MMSZ5254B-7-F Diodes Incorporated MMSZ5254B-7-F 0.2200
RFQ
 ECAD 118 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5254 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 21 v 27 v 41 옴
SDT30100CTFP Diodes Incorporated SDT30100CTFP 0.9000
RFQ
 ECAD 6074 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SDT30100 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 SDT30100CTFPDI 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 15a 750 mV @ 15 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
DCX123JH-7 Diodes Incorporated DCX123JH-7 0.0945
RFQ
 ECAD 6143 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DCX123 150MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
BZX84C3V0Q-13-F Diodes Incorporated BZX84C3V0Q-13-F 0.0280
RFQ
 ECAD 4331 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.67% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-BZX84C3V0Q-13-FTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 3 v 95 옴
ZTX1147ASTOB Diodes Incorporated ztx1147astob -
RFQ
 ECAD 5554 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX1147A 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 12 v 4 a 100NA PNP 235mv @ 70ma, 4a 250 @ 500ma, 2V 115MHz
AZ23C39-7-F Diodes Incorporated AZ23C39-7-F 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C39 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 39 v 90 옴
RS1AB-13-G Diodes Incorporated RS1AB-13-G -
RFQ
 ECAD 2764 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 RS1AB-13-GDI 귀 99 8541.10.0080 3,000
ZHCS2000TC Diodes Incorporated ZHCS2000TC -
RFQ
 ECAD 5004 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-23-6 ZHCS2000 Schottky SOT-26 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 2 a 5.5 ns 300 µa @ 30 v 125 ° C (°) 2A 50pf @ 25V, 1MHz
DMT6012LFDF-7 Diodes Incorporated DMT6012LFDF-7 0.2542
RFQ
 ECAD 9789 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMT6012 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 9.5A (TA) 4.5V, 10V 14mohm @ 8.5a, 10V 2.3V @ 250µA 13.6 NC @ 10 v ± 20V 785 pf @ 30 v - 900MW (TA), 11W (TC)
ADTA144EUAQ-13 Diodes Incorporated ADTA144EUAQ-13 0.0267
RFQ
 ECAD 7724 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 ADTA144 330 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA - pnp- 사전- - - 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
SBR30A60CTFP Diodes Incorporated SBR30A60CTFP 2.0600
RFQ
 ECAD 2230 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SBR30 슈퍼 슈퍼 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 15a 600 mV @ 15 a 500 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C
ZTX795ASTOB Diodes Incorporated ztx795astob -
RFQ
 ECAD 3478 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX795A 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 140 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 250mv @ 50ma, 500ma 300 @ 10ma, 2v 100MHz
BSS138W-7 Diodes Incorporated BSS138W-7 -
RFQ
 ECAD 6571 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BSS138 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 200MA (TA) 10V 3.5ohm @ 220ma, 10V 1.5V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 10 v - 200MW (TA)
HER304-T Diodes Incorporated HER304-T -
RFQ
 ECAD 3221 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 HER304 기준 Do-201ad 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.1 v @ 3 a 50 ns 10 µa @ 300 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
PR1501S-T Diodes Incorporated PR1501S-T -
RFQ
 ECAD 5723 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 PR1501 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.2 v @ 1.5 a 150 ns 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
2DA2018-7 Diodes Incorporated 2DA2018-7 -
RFQ
 ECAD 4998 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 2DA2018 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 12 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 250mv @ 10ma, 200ma 270 @ 10MA, 2V 260MHz
SBR140S1FQ-7-52 Diodes Incorporated SBR140S1FQ-7-52 0.0700
RFQ
 ECAD 9407 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 표면 표면 SOD-123F 슈퍼 슈퍼 SOD-123F 다운로드 31-SBR140S1FQ-7-52 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 40 v 510 mV @ 1 a 100 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 110pf @ 4V, 1MHz
BAS40DW-04-7 Diodes Incorporated BAS40DW-04-7 -
RFQ
 ECAD 8082 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BAS40 Schottky SOT-363 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 연결 연결 시리즈 40 v 200MA (DC) 1 v @ 40 ma 5 ns 200 na @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C
DMTH12H007SPSWQ-13 Diodes Incorporated DMTH12H007SPSWQ-13 0.8698
RFQ
 ECAD 3971 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn DMTH12 MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (유형 ux) 다운로드 31-DMTH12H007SPSWQ-13 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 120 v 84A (TC) 6V, 10V 8.9mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 3142 pf @ 60 v - 3.5W
2DA1774S-7-F Diodes Incorporated 2DA1774S-7-F -
RFQ
 ECAD 9251 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 2DA1774 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 270 @ 1ma, 6V 140MHz
DDTA123TCA-7 Diodes Incorporated DDTA123TCA-7 0.1000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 DDTA123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
FMMTA56TA-79 Diodes Incorporated FMMTA56TA-79 -
RFQ
 ECAD 5429 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - rohs 준수 1 (무제한) 31-fmmta56ta-79tr 쓸모없는 3,000
DDZ2V7ASF-7 Diodes Incorporated DDZ2V7ASF-7 0.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 4% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F DDZ2V7 500MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 120 µa @ 1 v 2.65 v 110 옴
DMP3028LFDEQ-7 Diodes Incorporated DMP3028LFDEQ-7 0.1262
RFQ
 ECAD 8060 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerudfn DMP3028 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (e 형 e) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMP3028LFDEQ-7TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 6.8A (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 7a, 10V 2.4V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 20V 1860 pf @ 15 v - 660MW (TA)
S1J-13-F Diodes Incorporated S1J-13-F 0.2500
RFQ
 ECAD 105 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA S1J 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 600 v 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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