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디스크리트 반도체(13379)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 다이오드 전압 - 역방향(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 냄비를 조건으로 Q@VR, F
DMTH10H010SPS-13 Diodes Incorporated DMTH10H010SPS-13 1.2600
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 ECAD 9 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN DMTH10 MOSFET(금속) 전력DI5060-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 100V 11.8A(Ta), 123A(Tc) 6V, 10V 8.8m옴 @ 13A, 10V 4V @ 250μA 56.4nC @ 10V ±20V 50V에서 4468pF - 1.5W(타)
DP0150ALP4-7 Diodes Incorporated DP0150ALP4-7 -
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 ECAD 2912 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN DP0150 450mW X2-DFN1006-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. DP0150ALP4-7DI EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 80MHz
DMN2710UT-13 Diodes Incorporated DMN2710UT-13 0.0598
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 ECAD 5031 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-523 DMN2710 MOSFET(금속) SOT-523 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMN2710UT-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 20V 870mA(타) 1.8V, 4.5V 450m옴 @ 600mA, 4.5V 1V @ 250μA 0.6nC @ 4.5V ±6V 16V에서 42pF - 320mW(타)
ZHCS506TA Diodes Incorporated ZHCS506TA 0.5300
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 ECAD 37 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZHCS506 쇼트키 SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 60V 500mA에서 630mV 10ns 40μA @ 45V 125°C(최대) 500mA 20pF @ 25V, 1MHz
AZ23C27-7-G Diodes Incorporated AZ23C27-7-G -
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 ECAD 7468 0.00000000 다이 통합 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 AZ23C27 - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. AZ23C27-7-GDI EAR99 8541.10.0050 3,000
ZTX651 Diodes Incorporated ZTX651 0.8600
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 ECAD 2139 0.00000000 다이 통합 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 E-라인-3 ZTX651 1W E-라인(TO-92 호환) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. ZTX651-NDR EAR99 8541.29.0075 4,000 60V 2A 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 200mA, 2A - 175MHz
BZX84B4V3-7-F Diodes Incorporated BZX84B4V3-7-F 0.1900
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 ECAD 3 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 3μA @ 1V 4.3V 90옴
DDZ6V8BQ-7 Diodes Incorporated DDZ6V8BQ-7 0.0508
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 ECAD 4835 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±3% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-123 DDZ6V8 310mW SOD-123 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 100nA @ 5V 6.8V 5옴
FZT1151ATA Diodes Incorporated FZT1151ATA 0.8600
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 ECAD 115 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA FZT1151 2.5W SOT-223-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 40V 3A 100nA PNP 300mV @ 250mA, 3A 250 @ 500mA, 2V 145MHz
DMP2070UCB6-7 Diodes Incorporated DMP2070UCB6-7 -
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 ECAD 8783 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-UFBGA, WLBGA DMP2070 MOSFET(금속) U-WLB1510-6 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 2.5A(타) 1.5V, 4.5V 70m옴 @ 1A, 4.5V 1V @ 250μA 2.9nC @ 4.5V ±8V 10V에서 210pF - 920mW(타)
MMBZ5235BT-7-F Diodes Incorporated MMBZ5235BT-7-F 0.4000
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 ECAD 5 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SOT-523 MMBZ5235 150mW SOT-523 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 5V에서 3μA 6.8V 5옴
ZXTD6717E6TC Diodes Incorporated ZXTD6717E6TC -
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 ECAD 1680 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 ZXTD6717 1.1W SOT-26 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 10,000 15V, 12V 1.5A, 1.25A 10nA NPN, PNP 245mV @ 20mA, 1.5A / 240mV @ 100mA, 1.25A 250 @ 500mA, 2V / 200 @ 500mA, 2V 180MHz, 220MHz
SDM03U40-7 Diodes Incorporated SDM03U40-7 0.2000
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 ECAD 61 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-79, SOD-523 SDM03U40 쇼트키 SOD-523 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 30V 370mV @ 1mA 500nA @ 30V -40°C ~ 125°C 30mA 2pF @ 1V, 1MHz
ZXM64N035GTA Diodes Incorporated ZXM64N035GTA -
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 ECAD 3717 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA MOSFET(금속) SOT-223-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 35V 4.8A(Ta), 6.7A(Tc) 4.5V, 10V 50m옴 @ 3.7A, 10V 1V @ 250μA 27nC @ 10V ±20V 25V에서 950pF - 2W(타)
DMT6013LSS-13 Diodes Incorporated DMT6013LSS-13 0.1914
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 ECAD 6293 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) DMT6013 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. DMT6013LSS-13DI EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 10A(타) 4.5V, 10V 14.3m옴 @ 10A, 10V 2.5V @ 250μA 15nC @ 10V ±20V 30V에서 1081pF - 1.4W(타)
DZ23C4V3-7 Diodes Incorporated DZ23C4V3-7 -
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 ECAD 3889 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23C4V3 300mW SOT-23-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 1쌍씩 시작됩니다 4.3V 95옴
DMTH10H032SPSW-13 Diodes Incorporated DMTH10H032SPSW-13 0.2451
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 ECAD 6078 0.00000000 다이 통합 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장, 일부 8파워TDFN DMTH10 MOSFET(금속) PowerDI5060-8(UX부) 다운로드 31-DMTH10H032SPSW-13 EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 100V 25A(TC) 10V 32m옴 @ 5A, 10V 4V @ 250μA 8nC @ 10V ±20V 544pF @ 50V - 3.2W(타)
ZTX415STZ Diodes Incorporated ZTX415STZ 6.5536
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 ECAD 5133 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 박스(TB) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 E-Line-3, 구성부품 ZTX415 680mW E-라인(TO-92 호환) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,000 100V 500mA 100nA(ICBO) NPN - 눈사태 모드 500mV @ 1mA, 10mA 25 @ 10mA, 10V 40MHz
1N5407G-T Diodes Incorporated 1N5407G-T 0.1134
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 ECAD 6127 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 스루홀 DO-201AD, 축 1N5407 기준 DO-201AD 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0080 1,200 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 800V 1.1V @ 3A 2μs 800V에서 5μA -65°C ~ 150°C 3A 40pF @ 4V, 1MHz
DMT6004SCT Diodes Incorporated DMT6004SCT 1.8900
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 ECAD 8665 0.00000000 다이 통합 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 DMT6004 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. DMT6004SCTDI-5 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 100A(Tc) 10V 3.65m옴 @ 100A, 10V 4V @ 250μA 95.4nC @ 10V ±20V 30V에서 4556pF - 2.3W(Ta), 113W(Tc)
FES1DE-7 Diodes Incorporated FES1DE-7 0.0796
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 ECAD 4446 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 DO-219AA 기준 DO-219AA 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-FES1DE-7TR EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 200V 920mV @ 1A 25ns 200V에서 5μA -55°C ~ 150°C 1A 20pF @ 4V, 1MHz
SBR20A40CT Diodes Incorporated SBR20A40CT 1.5200
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 ECAD 6575 0.00000000 다이 통합 SBR® 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-3 SBR20 슈퍼 배리어 TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍씩 시작됩니다 40V 10A 600mV @ 20A 40V에서 500μA -65°C ~ 150°C
ZMV933TA Diodes Incorporated ZMV933TA -
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 ECAD 8235 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 SC-76, SOD-323 ZMV933 SOD-323 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 12pF @ 4V, 50MHz 하나의 12V - 150 @ 4V, 50MHz
DDTB122LC-7 Diodes Incorporated DDTB122LC-7 -
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 ECAD 5773 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTB122 200mW SOT-23-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 500mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 300mV @ 2.5mA, 50mA 56 @ 50mA, 5V 200MHz 220옴 10kΩ
MMDT3904-7 Diodes Incorporated MMDT3904-7 -
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 ECAD 5200 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT3904 200mW SOT-363 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 200mA 50nA(ICBO) 2 NPN(이중) 300mV @ 5mA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 300MHz
ZXMN6A07FTC Diodes Incorporated ZXMN6A07FTC -
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 ECAD 3188 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXMN6 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 60V 1.2A(타) 4.5V, 10V 250m옴 @ 1.8A, 10V 3V @ 250μA 3.2nC @ 10V ±20V 40V에서 166pF - 625mW(타)
VN10LPSTOA Diodes Incorporated VN10LPSTOA -
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 ECAD 7397 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 E-Line-3, 구성부품 MOSFET(금속) E-라인(TO-92 호환) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,000 N채널 60V 270mA(타) 5V, 10V 5옴 @ 500mA, 10V 2.5V @ 1mA ±20V 25V에서 60pF - 625mW(타)
DMP1070UCA3-7A Diodes Incorporated DMP1070UCA3-7A -
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 ECAD 5486 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN DMP1070 MOSFET(금속) X4-DSN0607-3 - 31-DMP1070UCA3-7ATR 1 P채널 12V 3.6A(타) 1.5V, 4.5V 70m옴 @ 400mA, 4.5V 250μA에서 0.95V 1.45nC @ 4.5V -6V 6V에서 147pF - 710mW
MMBZ5243BT-7-G Diodes Incorporated MMBZ5243BT-7-G -
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 ECAD 5914 0.00000000 다이 통합 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. MMBZ5243BT-7-GDI EAR99 8541.10.0050 3,000
ZTX553STZ Diodes Incorporated ZTX553STZ 0.2320
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 ECAD 4127 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 박스(TB) 활동적인 -55°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 E-Line-3, 구성부품 ZTX553 1W E-라인(TO-92 호환) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,000 100V 1A 100nA(ICBO) PNP 250mV @ 15mA, 150mA 40 @ 150mA, 10V 150MHz
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