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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
BSS138Q-7-F Diodes Incorporated BSS138Q-7-F 0.2900
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS138 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 200MA (TA) 10V 3.5ohm @ 220ma, 10V 1.5V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 10 v - 300MW (TA)
MMBT2907A-13 Diodes Incorporated MMBT2907A-13 -
RFQ
 ECAD 7023 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 60 v 600 MA 10NA (ICBO) PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
BSS138-13-F Diodes Incorporated BSS138-13-F 0.0340
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS138 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 50 v 200MA (TA) 10V 3.5ohm @ 220ma, 10V 1.5V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 10 v - 300MW (TA)
ADTB122LCQ-13 Diodes Incorporated ADTB122LCQ-13 -
RFQ
 ECAD 7809 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 ADTB122 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-ADTB122LCQ-13TR 쓸모없는 10,000
DMP3028LK3Q-13 Diodes Incorporated DMP3028LK3Q-13 0.6200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMP3028 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 27A (TC) 4.5V, 10V 25mohm @ 7a, 10V 2.4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1241 pf @ 15 v - 2.8W (TA)
SBR3A40SA-13 Diodes Incorporated SBR3A40SA-13 0.0804
RFQ
 ECAD 3066 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SBR3A40 슈퍼 슈퍼 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 3 a 400 µa @ 40 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
DMN3023L-13 Diodes Incorporated DMN3023L-13 0.0930
RFQ
 ECAD 8065 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3023 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMN3023L-13DI 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 30 v 6.2A (TA) 2.5V, 10V 25mohm @ 4a, 10V 1.8V @ 250µA 18.4 NC @ 10 v ± 20V 873 pf @ 15 v - 900MW (TA)
PD3S230LQ-7 Diodes Incorporated PD3S230LQ-7 0.5800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI ™ 323 PD3S230 Schottky PowerDI ™ 323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 450 mV @ 2 a 1.5 ma @ 30 v -65 ° C ~ 125 ° C 2A 40pf @ 10V, 1MHz
1N4005L-T Diodes Incorporated 1N4005L-T -
RFQ
 ECAD 7511 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4005 기준 DO-41 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 600 v 1 V @ 1 a 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
DST857BDJ-7 Diodes Incorporated DST857BDJ-7 0.4000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-963 DST857 300MW SOT-963 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45V 100ma 15NA (ICBO) 2 PNP (() 500mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 340MHz
BZT52C5V6TQ-7-F Diodes Incorporated BZT52C5V6TQ-7-F 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.14% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZT52 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 2 v 5.6 v 40
SDT40100CTFP Diodes Incorporated SDT40100CTFP 0.7316
RFQ
 ECAD 3984 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SDT40100 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 790 mV @ 20 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
MMBT2907A-7-F-31 Diodes Incorporated MMBT2907A-7-F-31 -
RFQ
 ECAD 9998 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 - rohs 준수 1 (무제한) 31-MMBT2907A-7-F-31TR 쓸모없는 3,000
MBR10100CD-G1 Diodes Incorporated MBR10100CD-G1 -
RFQ
 ECAD 1484 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모 쓸모 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MBR1010 Schottky TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 80 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 5a 850 mV @ 5 a 100 @ 100 v 150 ° C (°)
DFLZ15Q-7 Diodes Incorporated DFLZ15Q-7 0.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 PowerDI®123 DFLZ15 1 W. PowerDI ™ 123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 11 v 15 v 1 옴
D3Z8V2BF-7 Diodes Incorporated D3Z8V2BF-7 0.2000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F D3Z8V2 400MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 500 na @ 5 v 8.19 v 10 옴
UG3001-T Diodes Incorporated UG3001-T -
RFQ
 ECAD 4691 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 1,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 3 a 50 ns 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
BC846AW-7-F Diodes Incorporated BC846AW-7-F 0.2000
RFQ
 ECAD 104 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC846 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 MA 20NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 300MHz
1N4742A-T Diodes Incorporated 1N4742A-T -
RFQ
 ECAD 6818 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4742 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 9.1 v 12 v 9 옴
BZX84C8V2T-7-F Diodes Incorporated BZX84C8V2T-7-F 0.0630
RFQ
 ECAD 4297 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOT-523 BZX84 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 700 na @ 5 v 8.2 v 15 옴
BZT52C20Q-7-F Diodes Incorporated BZT52C20Q-7-F 0.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 370 MW SOD-123 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 14 v 20 v 55 옴
DMN3053L-13 Diodes Incorporated DMN3053L-13 0.0974
RFQ
 ECAD 3520 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3053 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMN3053L-13DI 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 30 v 4A (TA) 2.5V, 10V 45mohm @ 4a, 10V 1.4V @ 250µA 17.2 NC @ 10 v ± 12V 676 pf @ 15 v - 760MW (TA)
SBRT3M60P1-7 Diodes Incorporated SBRT3M60P1-7 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI®123 SBRT3 슈퍼 슈퍼 PowerDI ™ 123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 60 v 590 mV @ 3 a 100 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZX84C22T-7-F Diodes Incorporated BZX84C22T-7-F 0.3400
RFQ
 ECAD 5729 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.67% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOT-523 BZX84 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 15.4 v 22 v 55 옴
DCP56-13 Diodes Incorporated DCP56-13 -
RFQ
 ECAD 4812 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA DCP56 1 W. SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 150ma, 2v 200MHz
ZHCS350QTA Diodes Incorporated ZHCS350QTA 0.1580
RFQ
 ECAD 6301 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 Schottky SOD-523 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-ZHCS350QTART 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 810 mV @ 350 mA 1.6 ns 12 µa @ 30 v 125 ° C 510ma 6pf @ 25V, 1MHz
BZX84C10-7-G Diodes Incorporated BZX84C10-7-G -
RFQ
 ECAD 4590 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 BZX84 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BZX84C10-7-GDI 귀 99 8541.10.0050 3,000
ES2D-13-F Diodes Incorporated ES2D-13-F 0.4600
RFQ
 ECAD 109 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB ES2D 기준 SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 920 MV @ 2 a 25 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 25pf @ 4V, 1MHz
SDT15H50P5-13 Diodes Incorporated SDT15H50P5-13 0.2175
RFQ
 ECAD 9337 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI ™ 5 Schottky PowerDI ™ 5 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-SDT15H50P5-13TR 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 470 mV @ 15 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a -
DMN2004VK-7 Diodes Incorporated DMN2004VK-7 0.4300
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DMN2004 MOSFET (금속 (() 250MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 540ma 550mohm @ 540ma, 4.5V 1V @ 250µA - 150pf @ 16V 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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