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불연속 불연속 제품 (13379)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)
S2AA-13-F	0.4500	RFQ	31	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	S2A	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	5,000		짐													50 v		1.15 V @ 1.5 a		5 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1.5A	20pf @ 4V, 1MHz
DMP510DL-13	0.0488	RFQ	7822	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMP510	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMP510DL-13DI	귀 99	8541.21.0095	10,000			p 채널	50 v	180MA (TA)	5V	10ohm @ 100ma, 5V	2V @ 1mA		± 30V	24.6 pf @ 25 v	-	310MW (TA)
SD101A-A	-	RFQ	1645	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	SD101A	Schottky		DO-35	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													60 v		1 V @ 15 ma	1 ns	200 na @ 50 v	-65 ° C ~ 175 ° C	15MA	2pf @ 0V, 1MHz
DXTN07045DFG-7	0.5700	RFQ	5943	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	8-powervdfn	DXTN07045		900 MW	PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	2,000																							45 v	3 a	20NA (ICBO)			NPN	300mv @ 5ma, 1a	500 @ 100MA, 2V	150MHz
FMMT597TC	-	RFQ	5194	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	FMMT597		500MW	SOT-23-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000																							300 v	200 MA	100NA			PNP	250mv @ 20ma, 100ma	100 @ 50MA, 10V	75MHz
DMN66D0LW-7	0.4100	RFQ	5503	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	DMN66	MOSFET (금속 (()		SOT-323	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			n 채널	60 v	115MA (TA)	5V, 10V	6ohm @ 115ma, 5V	2V @ 250µA		± 20V	23 pf @ 25 v	-	200MW (TA)
BZT52C8V2TQ-7-F	0.2700	RFQ	3	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.1%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZT52		300MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		700 na @ 5 v							8.2 v	15 옴
MMBZ5240BTS-7-F	0.1300	RFQ	6606	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MMBZ5240		200 MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000	3 독립																900 mV @ 10 ma		3 µa @ 8 v							10 v	17 옴
DDZ9693S-7	0.3400	RFQ	3	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	DDZ9693		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		100 na @ 5.7 v							7.5 v
DMT6017LFV-7	0.2145	RFQ	4053	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	DMT6017	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8 (유형 UX)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000			n 채널	65 v	36A (TC)	4.5V, 10V	20mohm @ 6a, 10V	2.3V @ 250µA	15.3 NC @ 10 v	± 16V	891 pf @ 30 v	-	2.12W (TA), 39.06W (TC)
APT13003HZTR-G1	-	RFQ	8972	다이오드가 다이오드가	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	APT13003		1.1 w	To-92	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,000																							465 v	1.5 a	-			NPN	400mv @ 250ma, 1a	13 @ 500ma, 2v	4MHz
2N7002WKX-7	-	RFQ	9537	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	2N7002	MOSFET (금속 (()		SOT-323	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			n 채널	60 v	115MA (TA)	5V, 10V	7.5ohm @ 50ma, 5V	2V @ 250µA		± 20V	50 pf @ 25 v	-	200MW (TA)
BZX84C5V6S-7	-	RFQ	2945	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BZX84		200 MW	SOT-363	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000	2 독립																900 mV @ 10 ma		1 µa @ 2 v							5.6 v	40
PR3002G-T	-	RFQ	6002	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향		기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	1,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		1.3 v @ 3 a	150 ns	5 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4V, 1MHz
BC846BQ-13-F	0.0280	RFQ	4820	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC846		310 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-BC846BQ-13-FTR	귀 99	8541.21.0075	10,000																							65 v	100 MA	15NA			NPN	600mv @ 5ma, 100ma	200 @ 2mA, 5V	300MHz
BZT52C18-13	-	RFQ	3249	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	BZT52		500MW	SOD-123	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																	900 mV @ 10 ma		100 na @ 12.6 v							18 v	45 옴
DMT6016LSS-13	0.6000	RFQ	41	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMT6016	MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널	60 v	9.2A (TA)	4.5V, 10V	18mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	17 nc @ 10 v	± 20V	864 pf @ 30 v	-	1.5W (TA)
ZXMN6A07ZTA	0.5700	RFQ	5289	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-	표면 표면	TO-243AA	ZXMN6	MOSFET (금속 (()		SOT-89-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널	60 v	1.9A (TA)	4.5V, 10V	250mohm @ 1.8a, 10V	3V @ 250µA	3.2 NC @ 10 v	± 20V	166 pf @ 40 v	-	1.5W (TA)
BZX84B22-7-F	0.0337	RFQ	4129	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		100 na @ 15.4 v							22 v	55 옴
DDZ2V4BSF-7	0.2100	RFQ	1	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 4%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-90, SOD-323F	DDZ2V4		500MW	SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		120 µa @ 1 v							2.53 v	100 옴
BZT585B15T-7	0.2300	RFQ	320	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZT585		350 MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	1.1 v @ 100 ma		50 na @ 10.5 v							15 v	15 옴
DMN2300UFD-7	0.3600	RFQ	3	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-udfn	DMN2300	MOSFET (금속 (()		X1-DFN1212-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			n 채널	20 v	1.21A (TA)	1.5V, 4.5V	200mohm @ 900ma, 4.5v	950MV @ 250µA	2 nc @ 4.5 v	± 8V	67.62 pf @ 25 v	-	470MW (TA)
ZVN0540ASTOB	-	RFQ	6456	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	e-line-3		MOSFET (금속 (()		e- 라인 (TO-92 호환)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,000			n 채널	400 v	90MA (TA)	10V	50ohm @ 100ma, 10V	3V @ 1mA		± 20V	70 pf @ 25 v	-	700MW (TA)
ZXTN2010GTA	0.8200	RFQ	1	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	ZXTN2010		3 w	SOT-223-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0075	1,000																							60 v	6 a	50NA (ICBO)			NPN	260mv @ 300ma, 6a	100 @ 2a, 1v	130MHz
BZX84C10-7-F	0.1500	RFQ	33	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		200 na @ 7 v							10 v	20 옴
MJD340-13	0.2093	RFQ	5002	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	MJD340		15 w	TO-252-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500																							300 v	500 MA	100µA (ICBO)			NPN	-	30 @ 50MA, 10V	-
MMBD4448HTM-7-F	0.4300	RFQ	210	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOT-23-6	MMBD4448	기준		SOT-26	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												3 독립	80 v	250ma	1.25 V @ 150 mA	4 ns	100 na @ 70 v	-65 ° C ~ 150 ° C
DMP6110SFDFQ-7	0.6000	RFQ	1583	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드	DMP6110	MOSFET (금속 (()		u-dfn2020-6 (f 형)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			p 채널	60 v	3.5A (TA)	4.5V, 10V	110mohm @ 4.5a, 10V	3V @ 250µA	17.2 NC @ 10 v	± 20V	969 pf @ 30 v	-	760MW (TA)
MMBZ5246B-7-F	0.2100	RFQ	24	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5246		350 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		100 na @ 12 v							16 v	17 옴
DDTC143TCA-7	-	RFQ	5930	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DDTC143		200 MW	SOT-23-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							50 v	100 MA	500NA (ICBO)			npn-사전-	300mv @ 250µa, 2.5ma	100 @ 1ma, 5V	250MHz	4.7 Kohms

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (13379)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²