| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 자연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN32D4SDW-13 | 0.0672 | ![]() | 4096 | 0.00000000 | 다이 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMN32 | MOSFET(금속) | 290mW | SOT-363 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | DMN32D4SDW-13DI | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 2 N채널(듀얼) | 30V | 650mA | 400m옴 @ 250mA, 10V | 250μA에서 1.6V | 1.3nC @ 10V | 50pF @ 15V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR10U150CT | 0.7440 | ![]() | 1474 | 0.00000000 | 다이 통합 | SBR® | 튜브 | 활동적인 | 스루홀 | TO-220-3 | SBR10 | 슈퍼 배리어 | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | SBR10U150CTDI | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 1쌍의 세션이 시작됩니다 | 150V | 5A | 10A에서 880mV | 150V에서 200μA | -65°C ~ 175°C | ||||||||||||||||||||||||||||
| DMP2305UQ-7 | 0.1079 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 다이 통합 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DMP2305 | MOSFET(금속) | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 31-DMP2305UQ-7TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 20V | 4.2A(타) | 1.8V, 4.5V | 60m옴 @ 4.2A, 4.5V | 250μA에서 900mV | 7.6nC @ 4.5V | ±8V | 20V에서 727pF | - | 1.4W | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN3010LSS-13 | 0.2741 | ![]() | 7226 | 0.00000000 | 다이 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | DMN3010 | MOSFET(금속) | 8-SOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 16A(타) | 4.5V, 10V | 9m옴 @ 16A, 10V | 2V @ 250μA | 43.7nC @ 10V | ±20V | 2096pF @ 15V | - | 2.5W(타) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN2009UFDF-7 | 0.1462 | ![]() | 9524 | 0.00000000 | 다이 통합 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-UDFN 옆패드 | DMN2009 | MOSFET(금속) | U-DFN2020-6(F형) | - | 31-DMN2009UFDF-7 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 20V | 12.8A(타) | 2.5V, 4.5V | 9m옴 @ 8.5A, 4.5V | 250μA에서 1.4V | 27.9nC @ 10V | ±12V | 1083pF @ 10V | - | 1.3W(타) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5818-B | - | ![]() | 9121 | 0.00000000 | 다이 통합 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | DO-204AL, DO-41, 축방향 | 1N5818 | 쇼트키 | DO-41 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | 1N5818-BDI | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 30V | 550mV @ 1A | 30V에서 1mA | -65°C ~ 125°C | 1A | 110pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR2A150SP5-13 | 0.2103 | ![]() | 5206 | 0.00000000 | 다이 통합 | SBR® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | 파워DI™ 5 | SBR2A150 | 슈퍼 배리어 | 파워DI™ 5 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | SBR2A150SP5-13DI | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 150V | 800mV @ 2A | 150V에서 100μA | -65°C ~ 150°C | 2A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDM100K30L-7-2477 | - | ![]() | 4660 | 0.00000000 | 다이 통합 | - | 대부분 | 마지막 구매 | 표면 실장 | SC-76, SOD-323 | 쇼트키 | SOD-323 | - | 31-SDM100K30L-7-2477 | 1 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 30V | 485mV @ 1A | 20V에서 100μA | -65°C ~ 125°C | 1A | 22pF @ 10V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN2016LFG-7 | 0.6500 | ![]() | 24 | 0.00000000 | 다이 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerUDFN | DMN2016 | MOSFET(금속) | 770mW | U-DFN3030-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 N채널(이중) 시작 | 20V | 5.2A | 18m옴 @ 6A, 4.5V | 250μA에서 1.1V | 16nC @ 4.5V | 1472pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS8402DW-7-G | - | ![]() | 3359 | 0.00000000 | 다이 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BSS8402 | MOSFET(금속) | 200mW(타) | SOT-363 | 다운로드 | 31-BSS8402DW-7-GTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N 및 P 채널 보완 | 60V, 50V | 115mA(타), 130mA(타) | 13.5옴 @ 500mA, 10V, 10옴 @ 100mA, 5V | 2.5V @ 250μA, 2V @ 1mA | - | 50pF @ 25V, 45pF @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBG2040CT | - | ![]() | 8671 | 0.00000000 | 다이 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | SBG2040CT | 쇼트키 | TO-263AB(D²PAK) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1쌍의 세션이 시작됩니다 | 40V | 20A | 550mV @ 10A | 40V에서 1mA | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR5H150VP-E1 | - | ![]() | 9853 | 0.00000000 | 다이 통합 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | DO-201AA, DO-27, 축방향 | 쇼트키 | DO-201 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 150V | 920mV @ 5A | 150V에서 8μA | 175°C(최대) | 5A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5234BS-7-F | 0.0630 | ![]() | 7783 | 0.00000000 | 다이 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | SC-76, SOD-323 | MMSZ5234 | 200mW | SOD-323 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900mV @ 10mA | 4V에서 5μA | 6.2V | 7옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP2006UFG-7 | - | ![]() | 5780 | 0.00000000 | 다이 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | DMP2006 | MOSFET(금속) | 파워DI3333-8 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | P채널 | 20V | 17.5A(Ta), 40A(Tc) | 1.5V, 4.5V | 5.2m옴 @ 15A, 4.5V | 1V @ 250μA | 140nC @ 10V | ±10V | 10V에서 5404pF | - | 2.3W(타) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | UF2004-A52 | - | ![]() | 6246 | 0.00000000 | 다이 통합 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | DO-204AC, DO-15, 축방향 | 기준 | DO-15 | 다운로드 | 31-UF2004-A52 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 1 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 400V | 1.3V @ 2A | 50ns | 400V에서 5μA | -65°C ~ 150°C | 2A | 50pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZTX689B | 0.4326 | ![]() | 5024 | 0.00000000 | 다이 통합 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 200°C (TJ) | 스루홀 | E-라인-3 | ZTX689 | 1W | E-라인(TO-92 호환) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 4,000 | 20V | 3A | 100nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 10mA, 2A | 500 @ 100mA, 2V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV199DW-13-F | - | ![]() | 6364 | 0.00000000 | 다이 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | BAV199 | - | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 31-BAV199DW-13-FTR | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS116LP3-7 | 0.3500 | ![]() | 78 | 0.00000000 | 다이 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | 0201(0603미터법) | BAS116 | 기준 | X3-DFN0603-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 85V | 1.35V @ 150mA | 3μs | 75V에서 10nA | -65°C ~ 150°C | 215mA | 3pF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMT32M4LFG-7 | 0.3870 | ![]() | 2239 | 0.00000000 | 다이 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | DMT32 | MOSFET(금속) | POWERDI3333-8 | 다운로드 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 31-DMT32M4LFG-7TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 30V | 30A(Ta), 100A(Tc) | 4.5V, 10V | 1.7m옴 @ 20A, 10V | 3V @ 250μA | 67nC @ 10V | ±20V | 15V에서 4366pF | - | 1.1W | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5256BT-7-G | - | ![]() | 6738 | 0.00000000 | 다이 통합 | * | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | MMBZ5256BT-7-GDI | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMT10H010LSSQ-13 | 0.7085 | ![]() | 5859 | 0.00000000 | 다이 통합 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | MOSFET(금속) | 8-SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 31-DMT10H010LSSQ-13TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 100V | 12A(타) | 4.5V, 10V | 9.5m옴 @ 13A, 10V | 2.8V @ 250μA | 58.4nC @ 10V | ±20V | 50V에서 4166pF | - | 1.9W(타) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN4034SSD-13 | 0.8400 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 다이 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | DMN4034 | MOSFET(금속) | 1.8W | 8-SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 N채널(듀얼) | 40V | 4.8A | 34m옴 @ 6A, 10V | 3V @ 250μA | 18nC @ 10V | 20V에서 453pF | 게임 레벨 레벨 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | S1J-13-F | 0.2500 | ![]() | 105 | 0.00000000 | 다이 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | DO-214AC, SMA | S1J | 기준 | SMA | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 600V | 1.1V @ 1A | 3μs | 600V에서 5μA | -65°C ~ 150°C | 1A | 10pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S5MB-13 | 0.4200 | ![]() | 725 | 0.00000000 | 다이 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | DO-214AA, SMB | 기준 | 건축 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 1000V | 1.15V @ 5A | 1000V에서 10μA | -65°C ~ 150°C | 5A | 28pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| FS1MED-7 | 0.3600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 다이 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | DO-219AA | 기준 | DO-219AA | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 31-FS1MED-7TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 1000V | 1.1V @ 1A | 1μs | 1000V에서 5μA | -55°C ~ 150°C | 1A | 7.6pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SD103BW-7-F-36 | - | ![]() | 4665 | 0.00000000 | 다이 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | SOD-123 | 쇼트키 | SOD-123 | - | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 30V | 600mV @ 200mA | 10ns | 20V에서 5μA | -55°C ~ 150°C | 350mA | 28pF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DL4004-13-F | - | ![]() | 9389 | 0.00000000 | 다이 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | DO-213AB, MELF(유리) | DL4004 | 기준 | 멜프 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 400V | 1.1V @ 1A | 400V에서 5μA | -55°C ~ 150°C | 1A | 15pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| DSS5220TQ-13 | 0.0906 | ![]() | 2570 | 0.00000000 | 다이 통합 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DSS5220 | 600mW | SOT-23-3 | 다운로드 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 20V | 2A | 100nA(ICBO) | PNP | 250mV @ 100mA, 2A | 225 @ 100mA, 2V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMPH6050SFG-13 | 0.2482 | ![]() | 1422 | 0.00000000 | 다이 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | DMPH6050 | MOSFET(금속) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | DMPH6050SFG-13DI | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 60V | 6.1A(Ta), 18A(Tc) | 4.5V, 10V | 50m옴 @ 7A, 10V | 3V @ 250μA | 24.1nC @ 10V | ±20V | 30V에서 1293pF | - | 3.2W | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DFLS260-7 | 0.4800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 다이 통합 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | POWERDI®123 | DFLS260 | 쇼트키 | 파워DI™ 123 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 60V | 620mV @ 2A | 60V에서 100μA | -55°C ~ 125°C | 2A | - |

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