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불연속 불연속 제품 (13379)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
MBRF2060CT-I-JT Diodes Incorporated MBRF2060CT-I-JT -
RFQ
 ECAD 2294 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 튜브 쓸모없는 - 1 (무제한) 영향을받습니다 MBRF2060CT-I-JTDI 귀 99 8541.10.0080 50
BAV99BRVA-7 Diodes Incorporated BAV99BRVA-7 0.3700
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 bav99 기준 SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 연결 연결 시리즈 75 v 215MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 2.5 µa @ 75 v -65 ° C ~ 150 ° C
PR3003-T Diodes Incorporated PR3003-T -
RFQ
 ECAD 4652 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 1,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.2 v @ 3 a 150 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1MHz
DZ23C30-7-F Diodes Incorporated DZ23C30-7-F 0.0756
RFQ
 ECAD 2055 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 음극 음극 공통 30 v 80 옴
DDTA144TE-7 Diodes Incorporated DDTA144TE-7 0.3500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 DDTA144 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
BAS521-7 Diodes Incorporated BAS521-7 0.3700
RFQ
 ECAD 187 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 BAS521 기준 SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.1 v @ 100 ma 50 ns 150 NA @ 250 v -65 ° C ~ 150 ° C 250ma 5pf @ 0V, 1MHz
DDTD122LC-7 Diodes Incorporated DDTD122LC-7 -
RFQ
 ECAD 5255 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTD122 200 MW SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 56 @ 50MA, 5V 200MHz 220 옴 10 KOHMS
ZTX788A Diodes Incorporated ZTX788A -
RFQ
 ECAD 9331 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX788 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 15 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 330mv @ 200ma, 3a 300 @ 10ma, 1v 100MHz
DZT658-13 Diodes Incorporated DZT658-13 -
RFQ
 ECAD 2183 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA DZT658 1 W. SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 400 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 10ma, 100ma 40 @ 200ma, 10V 50MHz
SBR20U100CTFP-G Diodes Incorporated SBR20U100CTFP-G 1.2100
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SBR20 슈퍼 슈퍼 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 짐 1 음극 음극 공통 100 v 10A 700 mV @ 10 a 500 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C
BC848C-7-F Diodes Incorporated BC848C-7-F 0.2000
RFQ
 ECAD 632 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 15NA NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 300MHz
ZXM62P03E6TC Diodes Incorporated ZXM62P03E6TC -
RFQ
 ECAD 9910 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 MOSFET (금속 (() SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ZXM62P03E6TCDI 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 30 v 1.5A (TA) 4.5V, 10V 230mohm @ 800ma, 4.5v 1V @ 250µA 10.2 NC @ 10 v ± 20V 330 pf @ 25 v - 625MW (TA)
BZX84C3V0-7 Diodes Incorporated BZX84C3V0-7 -
RFQ
 ECAD 5314 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 3 v 95 옴
DDZ27DSF-7 Diodes Incorporated DDZ27DSF-7 0.0531
RFQ
 ECAD 7375 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F DDZ27 500MW SOD-323F 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DDZ27DSF-7TR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 70 na @ 25 v 26.97 v 70 옴
RDBF258-13 Diodes Incorporated RDBF258-13 0.2272
RFQ
 ECAD 9868 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 리드 RDBF258 기준 DBF - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 1.3 V @ 2.5 a 5 µa @ 800 v 2.5 a 단일 단일 800 v
DMP3056LVT-13 Diodes Incorporated DMP3056LVT-13 -
RFQ
 ECAD 9490 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) - - DMP3056 MOSFET (금속 (() - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 30 v 4.3A (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 6a, 10V 2.1V @ 250µA 11.8 nc @ 10 v ± 25V 642 pf @ 25 v - 1.38W
GDZ13LP3-7 Diodes Incorporated GDZ13LP3-7 0.2700
RFQ
 ECAD 2718 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0201 (0603 메트릭) GDZ13 250 MW X3-DFN0603-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 8 v 13 v
BZX84C3V0-7-G Diodes Incorporated BZX84C3V0-7-G -
RFQ
 ECAD 8897 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 BZX84 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BZX84C3V0-7-GDI 귀 99 8541.10.0050 3,000
BZX84C2V4TS-7-F Diodes Incorporated BZX84C2V4TS-7-F 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BZX84 200 MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 3 독립 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
DMG9933USD-13 Diodes Incorporated DMG9933USD-13 0.4100
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMG9933 MOSFET (금속 (() 1.15W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 20V 4.6a 75mohm @ 4.8a, 4.5v 1.1V @ 250µA 6.5NC @ 4.5V 608.4pf @ 6v 논리 논리 게이트
MMSZ5257BQ-7-F Diodes Incorporated MMSZ5257BQ-7-F 0.0365
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 MMSZ5257 370 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-MMSZ5257BQ-7-FTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 25 v 33 v 58 옴
BZT52C24-13-G Diodes Incorporated BZT52C24-13-G -
RFQ
 ECAD 3516 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 BZT52 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BZT52C24-13-GDI 귀 99 8541.10.0050 10,000
DP0150ALP4-7 Diodes Incorporated DP0150ALP4-7 -
RFQ
 ECAD 2912 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DP0150 450 MW X2-DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DP0150ALP4-7DI 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 120 @ 2MA, 6V 80MHz
DN0150ALP4-7B Diodes Incorporated DN0150ALP4-7B -
RFQ
 ECAD 7220 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DN0150 450 MW X2-DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 120 @ 2MA, 6V 60MHz
MMST2907A-7-F Diodes Incorporated MMST2907A-7-F 0.2800
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMST2907 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 600 MA 10NA (ICBO) PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
MBR10150CT Diodes Incorporated MBR10150CT -
RFQ
 ECAD 6242 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR10150 Schottky TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 MBR10150CTDI 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 5a 890 mV @ 5 a 500 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C
DDTC144WCA-7 Diodes Incorporated DDTC144WCA-7 0.1000
RFQ
 ECAD 252 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 활동적인 DDTC144 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1034-DDTC144WCA-7DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000
DMN2710UDWQ-7 Diodes Incorporated dmn2710udwq-7 0.0706
RFQ
 ECAD 6818 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN2710 - 360MW (TA) SOT-363 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-dmn2710udwq-7tr 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 800MA (TA) 450mohm @ 600ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.6NC @ 4.5V 42pf @ 16V -
PDS360-13 Diodes Incorporated PDS360-13 1.1900
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI ™ 5 PDS360 Schottky PowerDI ™ 5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 620 MV @ 3 a 150 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
SBL835 Diodes Incorporated SBL835 -
RFQ
 ECAD 3624 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 550 mV @ 8 a 500 µa @ 35 v -65 ° C ~ 150 ° C 8a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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