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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
RS2M-13 Diodes Incorporated RS2M-13 -
RFQ
 ECAD 4779 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB RS2M 기준 SMB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 V @ 1.5 a 500 ns 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.5A 30pf @ 4V, 1MHz
BZT52C8V2SQ-7-F Diodes Incorporated BZT52C8V2SQ-7-F 0.0359
RFQ
 ECAD 1820 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.1% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZT52 200 MW SOD-323 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-BZT52C8V2SQ-7-FTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 500 na @ 5 v 8.2 v 15 옴
MMDT5451-7 Diodes Incorporated MMDT5451-7 -
RFQ
 ECAD 9923 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT5451 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 160V, 150V 200ma 50NA (ICBO) NPN, PNP 200mv @ 5ma, 50ma / 500mv @ 5ma, 50ma 80 @ 10ma, 5V / 60 @ 10MA, 5V 300MHz
ZTX603STZ Diodes Incorporated ZTX603STZ 0.3682
RFQ
 ECAD 4367 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & t (TB) 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX603 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 80 v 1 a 10µA npn-달링턴 1v @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 5V 150MHz
MMSZ5248BQ-13-F Diodes Incorporated MMSZ5248BQ-13-F 0.0286
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 MMSZ5248 370 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-MMSZ5248BQ-13-FTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 14 v 18 v 21 옴
MBRF20150CT-LJ Diodes Incorporated MBRF20150CT-LJ -
RFQ
 ECAD 1127 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF20150 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 10A 900 mV @ 10 a 50 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C
SD101BW-13 Diodes Incorporated SD101BW-13 -
RFQ
 ECAD 4409 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SOD-123 SD101B Schottky SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 50 v 950 mV @ 15 mA 1 ns 200 na @ 40 v -65 ° C ~ 125 ° C 15MA 2.1pf @ 0v, 1MHz
DMG3414U-7 Diodes Incorporated DMG3414U-7 0.4600
RFQ
 ECAD 240 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMG3414 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 4.2A (TA) 1.8V, 4.5V 25mohm @ 8.2a, 4.5v 900MV @ 250µA 9.6 NC @ 4.5 v ± 8V 829.9 pf @ 10 v - 780MW (TA)
DMT4005SCT Diodes Incorporated DMT4005SCT 1.7200
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 DMT4005 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 4.7mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 49.1 NC @ 10 v ± 20V 3062 pf @ 20 v - 2.3W (TA), 104W (TC)
SDT12A120P5-13 Diodes Incorporated SDT12A120P5-13 0.7500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI ™ 5 SDT12 Schottky PowerDI ™ 5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 800 mV @ 12 a 500 µa @ 120 v -55 ° C ~ 150 ° C 12a -
FMMT549ATC Diodes Incorporated FMMT549ATC -
RFQ
 ECAD 9351 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT549A 500MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 30 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 1ma, 100ma 150 @ 500ma, 2V 100MHz
BAS20-7 Diodes Incorporated BAS20-7 -
RFQ
 ECAD 4379 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS20 기준 SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 150 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 150 v -65 ° C ~ 150 ° C 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
1N5406-B Diodes Incorporated 1N5406-B -
RFQ
 ECAD 2990 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 1N5406 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 1N5406-BDI 귀 99 8541.10.0080 500 짐 600 v 1 V @ 3 a 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 25pf @ 4V, 1MHz
MMBZ5228B-7-F Diodes Incorporated MMBZ5228B-7-F 0.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5228 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 3.9 v 23 옴
DMG4800LFG-7 Diodes Incorporated DMG4800LFG-7 0.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerudfn DMG4800 MOSFET (금속 (() U-DFN3030-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 7.44A (TA) 4.5V, 10V 17mohm @ 9a, 10V 1.5V @ 250µA 9.47 NC @ 5 v ± 25V 798 pf @ 10 v - 940MW (TA)
MBR230S1F-7-52 Diodes Incorporated MBR230S1F-7-52 0.0965
RFQ
 ECAD 4402 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 표면 표면 SOD-123F Schottky SOD-123F 다운로드 31-MBR230S1F-7-52 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 420 MV @ 2 a 1 ma @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A 75pf @ 10V, 1MHz
DMP4015SK3Q-13 Diodes Incorporated DMP4015SK3Q-13 1.0400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMP4015 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 14A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 9.8a, 10V 2.5V @ 250µA 47.5 nc @ 5 v ± 25V 4234 pf @ 20 v - 3.5W (TA)
SDT8A60VP5-13 Diodes Incorporated SDT8A60VP5-13 0.1382
RFQ
 ECAD 4148 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI ™ 5 Schottky PowerDI ™ 5 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-SDT8A60VP5-13TR 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 540 mV @ 8 a 200 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
SK14-13 Diodes Incorporated SK14-13 -
RFQ
 ECAD 4490 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SK14 Schottky SMB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 1 a 500 µa @ 40 v -65 ° C ~ 125 ° C 1A 110pf @ 4V, 1MHz
SBR02U100LPQ-7B Diodes Incorporated SBR02U100LPQ-7B 0.1519
RFQ
 ECAD 2912 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 0402 (1006 메트릭) SBR02 슈퍼 슈퍼 X1-DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 짐 100 v 800 mv @ 200 ma 1 µa @ 75 v -65 ° C ~ 150 ° C 250ma -
BAS299-7 Diodes Incorporated BAS299-7 0.3400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS299 기준 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.25 V @ 300 ma 6 ns 1 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 430ma 3pf @ 0V, 1MHz
BZT52C39-7-G Diodes Incorporated BZT52C39-7-G -
RFQ
 ECAD 7692 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 BZT52 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BZT52C39-7-GDI 귀 99 8541.10.0050 3,000
ZTX851 Diodes Incorporated ZTX851 1.0200
RFQ
 ECAD 2690 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX851 1.2 w e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 ZTX851-NDR 귀 99 8541.29.0075 4,000 60 v 5 a 50NA (ICBO) NPN 250mv @ 200ma, 5a 100 @ 2a, 1v 130MHz
ZTX788BSTOB Diodes Incorporated ZTX788BSTOB -
RFQ
 ECAD 8838 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX788B 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 15 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 450MV @ 10MA, 2A 500 @ 10ma, 2v 100MHz
BZX84C6V2W-7 Diodes Incorporated BZX84C6V2W-7 -
RFQ
 ECAD 6490 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 6% -65 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84 200 MW SOT-323 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
SBR10150CTE Diodes Incorporated sbr10150cte 0.7560
RFQ
 ECAD 1520 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA SBR10150 슈퍼 슈퍼 TO-262 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 5a 920 MV @ 5 a 250 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
DMC3061SVTQ-7-52 Diodes Incorporated DMC3061SVTQ-7-52 0.1059
RFQ
 ECAD 8800 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMC3061 MOSFET (금속 (() 880MW TSOT-26 다운로드 31-DMC3061SVTQ-7-52 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 보완 p 채널 및 30V 3.4A (TA), 2.7A (TA) 60mohm @ 3.1a, 10v, 95mohm @ 2.7a, 10v 1.8V @ 250µA, 2.2V @ 250µA 6.6NC @ 10V, 6.8NC @ 10V 27.6pf @ 15V, 28.7pf @ 15V 기준
BC847BLP4-7 Diodes Incorporated BC847BLP4-7 -
RFQ
 ECAD 6227 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn BC847 250 MW X2-DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
B340BQ-13-F Diodes Incorporated B340BQ-13-F 0.4600
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB B340 Schottky SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 200pf @ 4V, 1MHz
G30H120CTFW Diodes Incorporated G30H120CTFW 0.8700
RFQ
 ECAD 7849 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-G30H120CTFW 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 30A 840 mV @ 15 a 5 µa @ 120 v -55 ° C ~ 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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