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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항- 터베이스 이미 (R2)
UG2002-T Diodes Incorporated UG2002-T -
RFQ
 ECAD 3864 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 2 a 50 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1MHz
BAS21-7 Diodes Incorporated BAS21-7 -
RFQ
 ECAD 3509 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS21 기준 SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 200 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
PD3Z284C8V2-7 Diodes Incorporated PD3Z284C8V2-7 0.1465
RFQ
 ECAD 7138 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 PowerDI ™ 323 PD3Z284 500MW PowerDI ™ 323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 700 na @ 5 v 8.2 v 10 옴
SBL3030PT Diodes Incorporated sbl3030pt -
RFQ
 ECAD 7871 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 SBL3030 Schottky to-3p 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 15a 550 mV @ 15 a 1 ma @ 30 v -65 ° C ~ 150 ° C
MBR20100CT Diodes Incorporated MBR20100ct -
RFQ
 ECAD 2345 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 Schottky TO-220-3 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 840 mV @ 10 a 50 na @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C
DMN61D9UV-7 Diodes Incorporated dmn61d9uv-7 -
RFQ
 ECAD 6729 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN61 SOT-23-3 다운로드 31-dmn61d9uv-7 쓸모없는 1
ZMM5226B-7 Diodes Incorporated ZMM5226B-7 -
RFQ
 ECAD 3307 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 ZMM5226 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 25 µa @ 1 v 3.3 v 28 옴
SBR3045CT-G Diodes Incorporated SBR3045CT-G 1.3300
RFQ
 ECAD 6672 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SBR3045 슈퍼 슈퍼 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 SBR3045CT-GDI 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 700 mV @ 15 a 500 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
ZVP2106AS Diodes Incorporated ZVP2106AS -
RFQ
 ECAD 9217 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) MOSFET (금속 (() To-92 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 p 채널 60 v 280MA (TA) 10V 5ohm @ 500ma, 10V 3.5V @ 1mA ± 20V 100 pf @ 18 v - 700MW (TA)
BAS7005TC Diodes Incorporated BAS7005TC -
RFQ
 ECAD 3045 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS7005 Schottky SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 70 v 15MA (DC) 410 mV @ 1 ma 200 na @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
MMBD4448HCQW-7-G Diodes Incorporated MMBD4448HCQW-7-G -
RFQ
 ECAD 5661 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MMBD4448HCQW-7-GDI 귀 99 8541.10.0070 3,000
DMTH32M5LPS-13 Diodes Incorporated DMTH32M5LPS-13 0.3947
RFQ
 ECAD 7535 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH32 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 170A (TC) 4.5V, 10V 2.2MOHM @ 30A, 10V 3V @ 1mA 68 NC @ 10 v ± 16V 3944 pf @ 25 v - 3.2W (TA), 100W (TC)
MBR30100CT-LJ Diodes Incorporated MBR30100CT-LJ -
RFQ
 ECAD 6034 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 MBR30100CT-LJDI 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 15a 840 mV @ 15 a 50 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C
B220A-13-F Diodes Incorporated B220A-13-F 0.4700
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA B220 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 2 a 500 µa @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A 200pf @ 4V, 1MHz
DMP2021UFDE-13 Diodes Incorporated DMP2021UFDE-13 0.1685
RFQ
 ECAD 7862 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerudfn DMP2021 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (e 형 e) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 20 v 11.1A (TA) 1.5V, 4.5V 16mohm @ 7a, 4.5v 1V @ 250µA 59 NC @ 8 v ± 10V 2760 pf @ 15 v - 1.9W (TA)
SDMP0340LT-7-F Diodes Incorporated SDMP0340LT-7-F 0.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 SDMP0340 Schottky SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 370 mV @ 1 ma 1 µa @ 10 v -40 ° C ~ 125 ° C 30ma 2pf @ 1v, 1MHz
B160AE-13 Diodes Incorporated B160AE-13 0.0549
RFQ
 ECAD 1318 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA B160 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 650 mV @ 1 a 200 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 45pf @ 4V, 1MHz
DDTA115GCA-7-F Diodes Incorporated DDTA115GCA-7-F 0.0386
RFQ
 ECAD 2998 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTA115 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 82 @ 5MA, 5V 250MHz 100 KOHMS
BAS70W-04-7-F Diodes Incorporated BAS70W-04-7-F 0.3600
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 BAS70 Schottky SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 70 v 70MA (DC) 1 V @ 15 ma 5 ns 100 na @ 50 v 150 ° C (°)
B360AX-13 Diodes Incorporated B360AX-13 0.0808
RFQ
 ECAD 1998 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA B360 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 31-b360ax-13tr 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 580 mV @ 3 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SD101A-A Diodes Incorporated SD101A-A -
RFQ
 ECAD 1645 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 SD101A Schottky DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 60 v 1 V @ 15 ma 1 ns 200 na @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 15MA 2pf @ 0V, 1MHz
BAS70T-7-F Diodes Incorporated BAS70T-7-F 0.4600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 BAS70 Schottky SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 70 v 1 V @ 15 ma 5 ns 100 na @ 50 v -55 ° C ~ 125 ° C 70ma 2pf @ 0V, 1MHz
DMP2070UQ-13 Diodes Incorporated DMP2070UQ-13 0.0911
RFQ
 ECAD 7641 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2070 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMP2070UQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 20 v 4.6A (TC) 1.8V, 4.5V 44mohm @ 2a, 4.5v 950MV @ 250µA 8.2 NC @ 8 v ± 8V 118 pf @ 10 v - 830MW
BAS70-05-7 Diodes Incorporated BAS70-05-7 -
RFQ
 ECAD 3700 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS70 Schottky SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 70 v 70MA (DC) 1 V @ 15 ma 5 ns 100 na @ 50 v -55 ° C ~ 125 ° C
FZT796ATC Diodes Incorporated FZT796ATC -
RFQ
 ECAD 4961 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT796 2 w SOT-223-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 4,000 200 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 20ma, 200ma 300 @ 10ma, 10V 100MHz
UG2004-T Diodes Incorporated UG2004-T -
RFQ
 ECAD 5489 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 2 a 50 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1MHz
DMTH4014LFVW-7 Diodes Incorporated DMTH4014LFVW-7 0.1942
RFQ
 ECAD 8783 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMTH4014LFVW-7TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 11.5A (TA), 49.8A (TC) 4.5V, 10V 13.7mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 11.2 NC @ 10 v ± 20V 750 pf @ 20 v 기준 3.1W (TA), 57.7W (TC)
FR1M-13-F Diodes Incorporated FR1M-13-F -
RFQ
 ECAD 4586 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AA, SMB FR1M 기준 SMB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
DMP3048LSD-13 Diodes Incorporated DMP3048LSD-13 0.2097
RFQ
 ECAD 5062 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMP3048 MOSFET (금속 (() 1.7W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 30V 4.8A (TA) 48mohm @ 5a, 10V 1.3V @ 250µA 13.5NC @ 4.5V 1438pf @ 15V -
DDZ9691Q-7 Diodes Incorporated DDZ9691Q-7 0.2900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 DDZ9691 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 1 v 6.2 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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