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불연속 불연속 제품 (13379)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
B240LA-13-F	-	RFQ	7060	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	B240	기준		SMA	-				31-B240LA-13-F			1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		430 mv @ 2 a		2 ma @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	260pf @ 4V, 1MHz
BZX84C43Q-13-F	0.0283	RFQ	9871	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.98%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		300MW	SOT-23-3	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-BZX84C43Q-13-FTR	귀 99	8541.10.0050	10,000																	900 mV @ 10 ma		100 na @ 30.1 v									43 v	150 옴
DMN4031SSD-13	0.6300	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMN4031	MOSFET (금속 (()	1.42W	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)			40V	5.2A		31mohm @ 6a, 10V	3V @ 250µA	18.6NC @ 10V		945pf @ 20V	논리 논리 게이트
2DB1689-7	-	RFQ	9813	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	2DB1689		300MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							12 v	1.5 a			100NA (ICBO)			PNP	200mv @ 25ma, 500ma	270 @ 200MA, 2V	300MHz
BZX84B16-7-F	0.1900	RFQ	655	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		100 na @ 11.2 v									16 v	40
DMT6004SPS-13	1.5600	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	DMT6004	MOSFET (금속 (()		PowerDI5060-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널	60 v	23A (TA)	10V	3.1mohm @ 50a, 10V	4V @ 250µA	95.4 NC @ 10 v	± 20V	4556 pf @ 30 v	-	2.5W (TA)
DMTH6004SPS-13	0.7938	RFQ	6336	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	DMTH6004	MOSFET (금속 (()		PowerDI5060-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널	60 v	25A (TA), 100A (TC)	10V	3.1mohm @ 50a, 10V	4V @ 250µA	95.4 NC @ 10 v	± 20V	4556 pf @ 30 v	-	2.1W (TA), 167W (TC)
DDZX18CQ-7	-	RFQ	7258	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2.53%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DDZX18		300MW	SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-DDZX18CQ-7TR	귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		50 na @ 14 v									18 v	23 옴
BZT52C16-13-F	0.2100	RFQ	16	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	BZT52		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																	900 mV @ 10 ma		100 na @ 11.2 v									16 v	40
N6051D	-	RFQ	7512	다이오드가 다이오드가	-	대부분	쓸모없는									-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1
BZT52C6V8SQ-7-F	-	RFQ	7982	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5.88%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52		200 MW	SOD-323	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-BZT52C6V8SQ-7-FTR	귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		1 µa @ 4 v									6.8 v	15 옴
MSB22ML	-	RFQ	1081	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 리드		기준		MSBL	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-msb22mtr	귀 99	8541.10.0080	2,500																	920 MV @ 1.1 a		5 µa @ 1000 v		2.2 a				단일 단일	1kv
DMN2040U-13	0.3900	RFQ	9	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMN2040	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000			n 채널	20 v	6A (TA)	2.5V, 4.5V	25mohm @ 8.2a, 4.5v	1.2V @ 250µA	7.5 NC @ 4.5 v	± 12V	667 pf @ 10 v	-	800MW (TA)
DMP6350SQ-7	0.4600	RFQ	1	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMP6350	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			p 채널	60 v	1.5A (TA)	4.5V, 10V	350mohm @ 900ma, 10V	3V @ 250µA	4.1 NC @ 10 v	± 20V	206 pf @ 30 v	-	720MW
DMN52D0LT-13	0.3800	RFQ	7821	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-523	DMN52	MOSFET (금속 (()		SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.21.0095	10,000			n 채널	50 v	350MA (TA)	1.8V, 5V	2ohm @ 50ma, 5V	1.2V @ 250µA	1.5 nc @ 10 v	± 12V	40 pf @ 25 v	-	500MW (TA)
SDT20A60VCTFP	0.7108	RFQ	4403	다이오드가 다이오드가	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	SDT20	Schottky		ITO-220AB	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-SDT20A60VCTFP	귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	60 v	10A	570 mV @ 10 a		200 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C
DDC142JU-7-F	-	RFQ	3916	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DDC142		200MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							50V	100ma			500NA			2 npn--바이어스 (듀얼)	300MV @ 250µA, 5MA	56 @ 10ma, 5V	200MHz	470ohms	10kohms
S5KP5M-13	0.8400	RFQ	5	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	PowerDI ™ 5	S5KP5	기준		PowerDI ™ 5	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000		짐													800 v		990 MV @ 5 a	3 µs	10 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	50pf @ 4V, 1MHz
DXTP5860CFDB-7	0.1473	RFQ	4921	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-udfn n 패드	DXTP5860		690 MW	u-dfn2020-3 (유형 b)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							60 v	4 a			100NA			PNP	450MV @ 250MA, 5A	170 @ 500ma, 2V	130MHz
DMTH45M5LPDWQ-13	1.3100	RFQ	5030	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	DMTH45M	MOSFET (금속 (()	3W (TA), 60W (TC)	PowerDI5060-8 (유형 UXD)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)			40V	79A (TC)		5.5mohm @ 25a, 10V	2.3V @ 250µA	13.9NC @ 10V		978pf @ 20V	기준
DMP2160UW-7	0.3800	RFQ	50	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	DMP2160	MOSFET (금속 (()		SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			p 채널	20 v	1.5A (TA)	1.8V, 4.5V	100mohm @ 1.5a, 4.5v	900MV @ 250µA		± 12V	627 pf @ 10 v	-	350MW (TA)
UDZ11B-7	0.0605	RFQ	6856	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	UDZ11		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																			100 na @ 8 v									11 v	30 옴
MMBZ5250BTS-7-F	0.1300	RFQ	6753	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MMBZ5250		200 MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000	3 독립																900 mV @ 10 ma		100 na @ 15 v									20 v	25 옴
DFLS240L-7-G	-	RFQ	6016	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	PowerDI®123	DFLS240	Schottky		PowerDI ™ 123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	31-DFLS240L-7-GTR	귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		500 mV @ 2 a		100 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	90pf @ 10V, 1MHz
D2G-T	0.0567	RFQ	7949	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	T1, 방향 축	D2G	기준		T-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	5,000		짐													100 v		1 V @ 1 a	2 µs	5 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	8pf @ 4V, 1MHz
DMN6069SFVWQ-13	0.1790	RFQ	4709	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	8-powervdfn	DMN6069	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMN6069SFVWQ-13TR	귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널	60 v	4A (TA), 14A (TC)	4.5V, 10V	69mohm @ 3a, 10V	3V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 20V	740 pf @ 30 v	-	2.5W (TA)
DMT616MLSS-13	0.1589	RFQ	5902	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMT616	MOSFET (금속 (()		8-SOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMT616MLSS-13DI	귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널	60 v	10A (TA)	4.5V, 10V	14mohm @ 8.5a, 10V	2.2V @ 250µA	13.6 NC @ 10 v	± 20V	785 pf @ 30 v	-	1.39W (TA)
STPR1060	0.6680	RFQ	7924	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	STPR10	기준		to220ab ((wx)	다운로드				31-spr1060	귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	600 v	5a	1.5 v @ 5 a	50 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C
DMN3029LFG-7	0.1514	RFQ	1011	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	DMN3029	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,000			n 채널	30 v	5.3A (TA)	4.5V, 10V	18.6MOHM @ 10A, 10V	1.8V @ 250µA	11.3 NC @ 10 v	± 25V	580 pf @ 15 v	-	1W (TA)
DSC05120	6.0400	RFQ	50	다이오드가 다이오드가	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2		SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky		to220AC ((wx)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-DSC05120	귀 99	8541.10.0080	50		복구 복구 복구 없음> 500ma (io)													1200 v		1.7 V @ 5 a	0 ns	190 µa @ 1200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	5a	310pf @ 100mv, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (13379)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²