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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DDZ9V1CS-7 Diodes Incorporated DDZ9V1CS-7 0.3800
RFQ
 ECAD 113 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 DDZ9V1 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 7 v 9.07 v 8 옴
DDTC144VCA-7-F Diodes Incorporated DDTC144VCA-7-F 0.2200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC144 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 10 KOHMS
FMMT415TC Diodes Incorporated FMMT415TC -
RFQ
 ECAD 8004 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT415 330 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 100 v 500 MA 100NA (ICBO) npn-눈사태- 500mv @ 1ma, 10ma 25 @ 10MA, 10V 40MHz
ZXM41N10FTA Diodes Incorporated zxm41n10fta -
RFQ
 ECAD 5495 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 100 v 170ma (TA) 3V, 4.5V 8ohm @ 150ma, 4.5v 1.5V @ 1mA ± 40V 25 pf @ 25 v - 360MW (TA)
ZUMT618TA Diodes Incorporated Zumt618ta 0.3900
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 Zumt618 385 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 20 v 1.25 a 10NA NPN 250MV @ 50MA, 1.25A 200 @ 500ma, 2v 210MHz
DFLZ5V1-7 Diodes Incorporated DFLZ5V1-7 0.4900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 PowerDI®123 DFLZ5 1 W. PowerDI ™ 123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 2.5 µa @ 1 v 5.1 v 6 옴
DMN62D1LFD-13 Diodes Incorporated DMN62D1LFD-13 0.4300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn DMN62 MOSFET (금속 (() X1-DFN1212-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 400MA (TA) 1.8V, 4V 2ohm @ 100ma, 4v 1V @ 250µA 0.55 nc @ 4.5 v ± 20V 36 pf @ 25 v - 500MW (TA)
ZXT951KQTC Diodes Incorporated ZXT951KQTC 1.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ZXT951 2.1 w TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 2,500 60 v 6 a 20NA (ICBO) PNP 400mv @ 600ma, 6a 100 @ 2a, 1v 120MHz
DMT6005LSS-13 Diodes Incorporated DMT6005LSSSS-13 1.5600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMT6005 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 13.5A (TA) 4.5V, 10V 6MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 47.1 NC @ 10 v ± 20V 2962 pf @ 30 v - 1.3W (TA)
DDTA124GE-7-F Diodes Incorporated DDTA124GE-7-F 0.0605
RFQ
 ECAD 5505 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 DDTA124 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS
DDC144EU-7-F Diodes Incorporated DDC144EU-7-F 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDC144 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47kohms 47kohms
SDT5A50SAF-13 Diodes Incorporated SDT5A50SAF-13 0.3600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 SDT5A50 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 10,000
DMT10H010LSSQ-13 Diodes Incorporated DMT10H010LSSQ-13 0.7085
RFQ
 ECAD 5859 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 31-DMT10H010LSSQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 12A (TA) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 13a, 10V 2.8V @ 250µA 58.4 NC @ 10 v ± 20V 4166 pf @ 50 v - 1.9W (TA)
SBR20U100CTFP-G Diodes Incorporated SBR20U100CTFP-G 1.2100
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SBR20 슈퍼 슈퍼 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 짐 1 음극 음극 공통 100 v 10A 700 mV @ 10 a 500 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C
2N7002T-7-F-52 Diodes Incorporated 2N7002T-7-F-52 0.0584
RFQ
 ECAD 3735 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-523 다운로드 31-2N7002T-7-F-52 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 115MA (TA) 5V, 10V 7.5ohm @ 50ma, 5V 2V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 25 v - 150MW (TA)
ZTX457 Diodes Incorporated ZTX457 0.6100
RFQ
 ECAD 5221 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX457 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ZTX457-NDR 귀 99 8541.29.0075 4,000 300 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 10ma, 100ma 50 @ 50MA, 10V 75MHz
DDTB114EU-7-F Diodes Incorporated DDTB114EU-7-F -
RFQ
 ECAD 9929 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 표면 표면 SC-70, SOT-323 DDTB114 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA pnp- 사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 56 @ 50MA, 5V 200MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
ZTX450STZ Diodes Incorporated ZTX450STZ 0.8000
RFQ
 ECAD 4822 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 컷 컷 (CT) 활동적인 - 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX450 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 45 v 1 a - NPN 250mv @ 15ma, 150ma 100 @ 150ma, 10V 150MHz
ZTX601ASTOB Diodes Incorporated ztx601astob -
RFQ
 ECAD 8594 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX601 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 160 v 1 a 10µA npn-달링턴 1.2v @ 10ma, 1a 2000 @ 500ma, 10V 250MHz
MMDT3904-7-F Diodes Incorporated MMDT3904-7-F 0.2800
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT3904 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40V 200ma 50NA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
ZVP0545GTC Diodes Incorporated ZVP0545GTC -
RFQ
 ECAD 2251 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 450 v 75MA (TA) 10V 150ohm @ 50ma, 10V 4.5V @ 1mA ± 20V 120 pf @ 25 v - 2W (TA)
ZTX658STOA Diodes Incorporated ZTX658STOA -
RFQ
 ECAD 4532 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX658 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 400 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 10ma, 100ma 50 @ 100MA, 5V 50MHz
DXTP3C100PSQ-13 Diodes Incorporated DXTP3C100PSQ-13 0.6100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DXTP3C100 5 w PowerDi5060-8 (Q 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 2,500 100 v 3 a 100NA PNP 360mv @ 200ma, 2a 170 @ 500ma, 10V 125MHz
DDTA142JU-7-F Diodes Incorporated DDTA142JU-7-F -
RFQ
 ECAD 3962 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 표면 표면 SC-70, SOT-323 DDTA142 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 56 @ 10ma, 5V 200MHz 470 옴 10 KOHMS
MMBTA63-7-F Diodes Incorporated MMBTA63-7-F 0.2200
RFQ
 ECAD 59 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA63 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 500 MA 100NA (ICBO) pnp- 달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V 125MHz
MBR1060CTF-G1 Diodes Incorporated MBR1060CTF-G1 -
RFQ
 ECAD 8219 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MBR106 Schottky TO-220F-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 5a 750 mV @ 5 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
FCX605TA Diodes Incorporated FCX605TA 0.6500
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA FCX605 1 W. SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 120 v 1 a 10µA npn-달링턴 1.5v @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 5V 150MHz
SBR40U200CTB Diodes Incorporated SBR40U200CTB 1.9200
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SBR40 슈퍼 슈퍼 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 SBR40U200CTBDI 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 20A 930 MV @ 20 a 50 ns 200 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C
ZXTP19020DFFTA Diodes Incorporated ZXTP19020DFFTA 0.7800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 ZXTP19020 1.5 w SOT-23F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 20 v 5.5 a 50NA (ICBO) PNP 175MV @ 550MA, 5.5A 300 @ 100MA, 2V 176MHz
BSR43TA Diodes Incorporated BSR43TA 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BSR43 1 W. SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 5V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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