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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
MMBT6427-7-F Diodes Incorporated MMBT6427-7-F 0.2400
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT6427 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 40 v 500 MA 1µA npn-달링턴 1.5V @ 500µA, 500mA 20000 @ 100MA, 5V -
BC847BFZ-7B Diodes Incorporated BC847BFZ-7B 0.4100
RFQ
 ECAD 1624 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn BC847 435 MW X2-DFN0606-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA NPN 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
ZXTN2038FTA Diodes Incorporated zxtn2038fta 0.3800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXTN2038 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 1 a 100NA NPN 500mv @ 100ma, 1a 100 @ 500ma, 5V 150MHz
DMC3400SDW-13 Diodes Incorporated DMC3400SDW-13 0.4100
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMC3400 MOSFET (금속 (() 310MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 및 p 채널 30V 650MA, 450MA 400mohm @ 590ma, 10V 1.6V @ 250µA 1.4NC @ 10V 55pf @ 15V -
B230-13-F Diodes Incorporated B230-13-F 0.4600
RFQ
 ECAD 121 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB B230 Schottky SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 2 a 500 µa @ 30 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A 200pf @ 4V, 1MHz
DMTH10H025LK3Q-13 Diodes Incorporated DMTH10H025LK3Q-13 1.0200
RFQ
 ECAD 8246 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMTH10 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 51.7A (TC) 4.5V, 10V 22MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 1477 pf @ 50 v - 3.1W (TA)
PDS3200Q-13 Diodes Incorporated PDS3200Q-13 1.7000
RFQ
 ECAD 703 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI ™ 5 PDS3200 Schottky PowerDI ™ 5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 880 mV @ 6 a 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
DXTN22040DFG-7 Diodes Incorporated DXTN22040DFG-7 0.6400
RFQ
 ECAD 2085 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn 1.1 w PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 40 v 2 a 50NA NPN 600mv @ 300ma, 3a 300 @ 500ma, 2V 198MHz
DMN3010LSS-13 Diodes Incorporated DMN3010LSS-13 0.2741
RFQ
 ECAD 7226 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMN3010 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 16A (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 16a, 10V 2V @ 250µA 43.7 NC @ 10 v ± 20V 2096 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
DMTH15H017SPS-13 Diodes Incorporated DMTH15H017SPS-13 0.6125
RFQ
 ECAD 7792 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH15 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMTH15H017SPS-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 11A (TA), 61A (TC) 8V, 10V 19mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 2344 pf @ 75 v - 1.5W (TA), 107W (TC)
MMBT2222A-7-F-79 Diodes Incorporated MMBT2222A-7-F-79 -
RFQ
 ECAD 3246 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 MMBT2222 - rohs 준수 1 (무제한) 31-MMBT222A-7-F-79TR 쓸모없는 3,000
BCW68HTA Diodes Incorporated BCW68HTA 0.4300
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW68 330 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 800 MA 20NA PNP 300mv @ 10ma, 100ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
FZT1051ATA Diodes Incorporated fzt1051ata 0.8100
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT1051 2.5 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 40 v 5 a 10NA NPN 340mv @ 100ma, 5a 270 @ 1a, 2v 155MHz
ZTX455 Diodes Incorporated ZTX455 0.7700
RFQ
 ECAD 7384 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX455 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ZTX455-NDR 귀 99 8541.29.0075 4,000 140 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 15ma, 150ma 100 @ 150ma, 10V 100MHz
DFLS1150Q-7 Diodes Incorporated DFLS1150Q-7 0.5600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI®123 DFLS1150 Schottky PowerDI ™ 123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 820 MV @ 1 a -55 ° C ~ 175 ° C 1A 28pf @ 5V, 1MHz
DSC08065FP Diodes Incorporated DSC08065FP 4.6350
RFQ
 ECAD 6394 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 DSC08 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky ITO-220AC (20 wx) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DSC08065FP 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 8 a 0 ns 230 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a 295pf @ 100MV, 1MHz
ZXM66N03N8TA Diodes Incorporated zxm66n03n8ta -
RFQ
 ECAD 9602 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - Digi-Reel® 쓸모 쓸모 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 9A (TA) 15mohm @ 7.3a, 10V 1V @ 250µA -
ZTX601ASTOA Diodes Incorporated ztx601astoa -
RFQ
 ECAD 2318 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX601 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 160 v 1 a 10µA npn-달링턴 1.2v @ 10ma, 1a 2000 @ 500ma, 10V 250MHz
MMDT3904V-7 Diodes Incorporated MMDT3904V-7 -
RFQ
 ECAD 8148 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 MMDT3904 200MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40V 200ma - 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
BAW56HDWQ-13 Diodes Incorporated BAW56HDWQ-13 0.3300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 baw56 기준 SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 100 v 200MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 2.5 µa @ 75 v -65 ° C ~ 150 ° C
FMMT723TC Diodes Incorporated FMMT723TC -
RFQ
 ECAD 6182 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT723 625 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 100 v 1 a 100NA PNP 330mv @ 150ma, 1a 250 @ 500ma, 10V 200MHz
DDTC144VE-7-F Diodes Incorporated DDTC14VE-7-F 0.0605
RFQ
 ECAD 3664 0.00000000 다이오드가 다이오드가 DDTC (R1 R2 시리즈) e 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 DDTC144 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DDTC144VE-FDIT 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 10 KOHMS
B245BE-13 Diodes Incorporated B245BE-13 -
RFQ
 ECAD 7788 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 표면 표면 DO-214AA, SMB B245 Schottky SMB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 500 mV @ 2 a 200 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 93pf @ 4v, 1MHz
ZXTN19020CFFTA Diodes Incorporated ZXTN19020CFFTA 0.7000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 ZXTN19020 1.5 w SOT-23F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 20 v 7 a 50NA (ICBO) NPN 175mv @ 280ma, 7a 200 @ 100ma, 2v 150MHz
FMMTA92TC Diodes Incorporated FMMTA92TC -
RFQ
 ECAD 6040 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 fmmta92 330 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 300 v 200 MA 250NA (ICBO) PNP 500mv @ 2ma, 20ma 25 @ 30MA, 10V 50MHz
BCV48TA Diodes Incorporated BCV48TA -
RFQ
 ECAD 1785 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCV48 1 W. SOT-89-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 500 MA 100NA (ICBO) pnp- 달링턴 1V @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V 200MHz
ZTX948STZ Diodes Incorporated ZTX948STZ 0.4970
RFQ
 ECAD 5837 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 컷 컷 (CT) 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX948 1.2 w e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 2,000 20 v 4.5 a 50NA (ICBO) PNP 310mv @ 300ma, 5a 100 @ 1a, 1v 80MHz
BZX84C33-7-G Diodes Incorporated BZX84C33-7-G -
RFQ
 ECAD 4742 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 BZX84 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BZX84C33-7-GDI 귀 99 8541.10.0050 3,000
DDTC115TE-7 Diodes Incorporated DDTC115TE-7 0.3500
RFQ
 ECAD 481 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 활동적인 DDTC115 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
ZVN4424ASTOA Diodes Incorporated ZVN4424ASTOA -
RFQ
 ECAD 5815 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 240 v 260MA (TA) 2.5V, 10V 5.5ohm @ 500ma, 10V 1.8V @ 1mA ± 40V 200 pf @ 25 v - 750MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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