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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | TT3M_HF | - | ![]() | 8665 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 날개 | 기준 | TT | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-TT3M_HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 1.5 a | 5 µa @ 1000 v | 3 a | 단일 단일 | 1kv | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
fs1me_hf | 0.0814 | ![]() | 3413 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | FS | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-219AA | 기준 | F1A (DO219AA) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-fs1me_hftr | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 짐 | 1000 v | 1.1 v @ 1 a | 1.6 µs | 5 µa @ 1000 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 7.6pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMT35M4LFDF4-13 | 0.1716 | ![]() | 2426 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-powerxdfn | DMT35M4LF | MOSFET (금속 (() | X2-DFN2020-6 (유형 w) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMT35M4LFDF4-13TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | n 채널 | 30 v | 12A (TA) | 4.5V, 10V | 9MOHM @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 14.9 NC @ 10 v | ± 20V | 1009 pf @ 15 v | - | 910MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
BZX84C2V4Q-7-F | 0.0357 | ![]() | 8338 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 8.33% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 31-BZX84C2V4Q-7-FTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 50 µa @ 1 v | 2.4 v | 100 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
DMP3045LVT-7 | 0.1309 | ![]() | 9473 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | DMP3045 | MOSFET (금속 (() | TSOT-26 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMP3045LVT-7TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 5.4A (TA) | 4.5V, 10V | 42MOHM @ 4.9A, 10V | 2.1V @ 250µA | 14.3 NC @ 10 v | ± 20V | 749 pf @ 15 v | - | 1.2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DXTP22040DFG-7 | 0.1798 | ![]() | 1081 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 8-powervdfn | 1.07 w | PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DXTP22040DFG-7TR | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 40 v | 2 a | 20NA | PNP | 600mv @ 300ma, 3a | 340 @ 100MA, 2V | 120MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN4020LFDEQ-7 | 0.1455 | ![]() | 1366 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-powerudfn | DMN4020 | MOSFET (금속 (() | u-dfn2020-6 (e 형 e) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMN4020LFDEQ-7TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 8.6A (TA) | 4.5V, 10V | 21mohm @ 8a, 10V | 2.4V @ 250µA | 25.3 NC @ 10 v | ± 20V | 1201 pf @ 20 v | - | 850MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP2090UFDB-7 | 0.1264 | ![]() | 9540 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | DMP2090 | MOSFET (금속 (() | 790MW (TA) | u-dfn2020-6 (유형 b) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMP2090UFDB-7TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널 채널) 공통 소스 | 20V | 3.2A (TA) | 90mohm @ 4a, 4.5v | 1V @ 250µA | 6.8nc @ 4.5v | 634pf @ 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
babs1100-tr | - | ![]() | 6988 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 날개 | Babs11 | 기준 | ABS | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-BABS1100-TR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 850 mv @ 1 a | 10 µa @ 100 v | 1 a | 단일 단일 | 100 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXMP6A17DN8QTC | 0.4557 | ![]() | 3951 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ZXMP6A17 | MOSFET (금속 (() | 1.25W (TA) | 도 8- | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-zxmp6a17dn8qtctr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 p 채널 (채널) | 60V | 2.7A (TA) | 125mohm @ 2.3a, 10V | 1V @ 250µA | 17.7NC @ 10V | 637pf @ 30v | - | |||||||||||||||||||||||||||||
ADTA144WCAQ-13 | 0.0526 | ![]() | 1323 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ADTA144 | 310 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-ADTA144WCAQ-13TR | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 56 @ 10ma, 5V | 250MHz | 47 Kohms | 22 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMNH15H110SPS-13 | - | ![]() | 7844 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | DMNH15 | MOSFET (금속 (() | PowerDI5060-8 | - | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMNH15H110SPS-13TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 150 v | 27A (TC) | 6V, 10V | 90mohm @ 2a, 10V | 4V @ 250µA | 25.5 nc @ 10 v | ± 20V | 989 pf @ 75 v | - | 1.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
DDTC124EUAQ-13-F | 0.0352 | ![]() | 9182 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | DDTC124 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DDTC124EUAQ-13-FTR | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | npn-사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 56 @ 5MA, 5V | 250MHz | 22 KOHMS | 22 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5243BQ-7-F | 0.0365 | ![]() | 3040 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | 370 MW | SOD-123 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-MMSZ5243BQ-7-FTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 500 NA @ 9.9 v | 13 v | 13 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMT69M5LFVW-13 | 0.2741 | ![]() | 9182 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMT69M5LFVW-13TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 14.8A (TA), 40.6A (TC) | 4.5V, 10V | 8.3mohm @ 13.5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 28.4 NC @ 10 v | ± 20V | 1406 pf @ 30 v | - | 2.74W (TA), 20.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
DMP6250SEQ-13 | 0.1455 | ![]() | 7225 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | SOT-223-3 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMP6250SEQ-13TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 6.1A (TC) | 4.5V, 10V | 250mohm @ 1a, 10V | 3V @ 250µA | 9.7 NC @ 10 v | ± 20V | 551 pf @ 30 v | - | 1.8W (TA), 14W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMT35M4LFDF-7 | 0.4800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | DMT35M4LF | MOSFET (금속 (() | u-dfn2020-6 (f 형) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 13A (TC) | 4.5V, 10V | 6MOHM @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 14.9 NC @ 10 v | ± 20V | 1009 pf @ 15 v | - | 860MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN3032LFDBWQ-7 | 0.2909 | ![]() | 9437 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | DMN3032 | MOSFET (금속 (() | 820MW | U-DFN2020-6 (SWP) 유형 b | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMN3032LFDBWQ-7TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 5.5A (TA) | 30mohm @ 5.8a, 10V | 2V @ 250µA | 10.6NC @ 10V | 500pf @ 15V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMT32M4LFG-7 | 0.3870 | ![]() | 2239 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | DMT32 | MOSFET (금속 (() | PowerDI3333-8 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMT32M4LFG-7TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 30 v | 30A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 1.7mohm @ 20a, 10V | 3V @ 250µA | 67 NC @ 10 v | ± 20V | 4366 pf @ 15 v | - | 1.1W | |||||||||||||||||||||||||||
ZVP1320FQTA | 0.2058 | ![]() | 8744 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-ZVP1320FQTART | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 200 v | 65MA (TA) | 10V | 80ohm @ 30ma, 10V | 3.5V @ 1mA | 1.2 NC @ 10 v | ± 20V | 25 pf @ 100 v | - | 500MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
DMT69M5LCG-7 | 0.2725 | ![]() | 8132 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | V-DFN3333-8 (유형 b) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMT69M5LCG-7TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 60 v | 14.6A (TA), 52.1A (TC) | 4.5V, 10V | 8.3mohm @ 13.5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 28.4 NC @ 10 v | ± 20V | 1406 pf @ 30 v | - | 1.37W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
DDTA114ECAQ-7-F | 0.0393 | ![]() | 6858 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DDTA114 | 200 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DDTA114ECAQ-7-FTR | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 30 @ 5MA, 5V | 250MHz | 10 KOHMS | 10 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2A07G-A52 | - | ![]() | 8207 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | 2A07 | 기준 | DO-15 | - | 영향을받지 영향을받지 | 31-2A07G-A52 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 1000 v | 1.1 v @ 2 a | 5 µa @ 1000 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 2A | 40pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMTH41M2SPSQ-13 | 2.7300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | DMTH41 | MOSFET (금속 (() | PowerDi5060-8 (k) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 225A (TC) | 10V | 1.2MOHM @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 138 NC @ 10 v | ± 20V | 11085 pf @ 20 v | - | 3.4W (TA), 158W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
DMN2991UFB4-7B | 0.0440 | ![]() | 8438 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | DMN2991 | MOSFET (금속 (() | X2-DFN1006-3 | 다운로드 | 31-DMN2991UFB4-7B | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | n 채널 | 20 v | 500MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 990mohm @ 100ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 0.28 nc @ 4.5 v | ± 8V | 14.6 pf @ 16 v | - | 360MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
DMN2992UFB4Q-7B | 0.2500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | DMN2992 | MOSFET (금속 (() | X2-DFN1006-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | n 채널 | 20 v | 830MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 990mohm @ 100ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 0.41 NC @ 4.5 v | ± 8V | 15.6 pf @ 16 v | - | 380MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBU30T08 | 1.5880 | ![]() | 8429 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | GBU30 | 기준 | GBU | - | 31-GBU30T08 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 v @ 15 a | 10 µa @ 800 v | 30 a | 단일 단일 | 800 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP2042UCP4-7 | 0.4200 | ![]() | 3645 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-XFBGA | DMP2042 | MOSFET (금속 (() | x1-dsn1010-4 (c 형) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 3.4A (TA) | 2.5V, 4.5V | 48mohm @ 1a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 2.5 NC @ 4.5 v | -6V | 218 pf @ 10 v | - | 860MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TT8M_HF | 0.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 날개 | TT8 | 기준 | TT | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 1 V @ 4 a | 5 µa @ 1000 v | 8 a | 단일 단일 | 1kv | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TT10m-13 | 0.6300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 날개 | TT10M | 기준 | TTL | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 1.05 V @ 5 a | 5 µa @ 1000 v | 10 a | 단일 단일 | 1kv |
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