SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
TT3M_HF Diodes Incorporated TT3M_HF -
RFQ
ECAD 8665 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 TT 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-TT3M_HFTR 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 1.5 a 5 µa @ 1000 v 3 a 단일 단일 1kv
FS1ME_HF Diodes Incorporated fs1me_hf 0.0814
RFQ
ECAD 3413 0.00000000 다이오드가 다이오드가 FS 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-219AA 기준 F1A (DO219AA) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-fs1me_hftr 귀 99 8541.10.0080 10,000 1000 v 1.1 v @ 1 a 1.6 µs 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7.6pf @ 4V, 1MHz
DMT35M4LFDF4-13 Diodes Incorporated DMT35M4LFDF4-13 0.1716
RFQ
ECAD 2426 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerxdfn DMT35M4LF MOSFET (금속 (() X2-DFN2020-6 (유형 w) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMT35M4LFDF4-13TR 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 30 v 12A (TA) 4.5V, 10V 9MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 14.9 NC @ 10 v ± 20V 1009 pf @ 15 v - 910MW (TA)
BZX84C2V4Q-7-F Diodes Incorporated BZX84C2V4Q-7-F 0.0357
RFQ
ECAD 8338 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 8.33% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-BZX84C2V4Q-7-FTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
DMP3045LVT-7 Diodes Incorporated DMP3045LVT-7 0.1309
RFQ
ECAD 9473 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMP3045 MOSFET (금속 (() TSOT-26 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMP3045LVT-7TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 5.4A (TA) 4.5V, 10V 42MOHM @ 4.9A, 10V 2.1V @ 250µA 14.3 NC @ 10 v ± 20V 749 pf @ 15 v - 1.2W (TA)
DXTP22040DFG-7 Diodes Incorporated DXTP22040DFG-7 0.1798
RFQ
ECAD 1081 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn 1.07 w PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DXTP22040DFG-7TR 귀 99 8541.29.0075 2,000 40 v 2 a 20NA PNP 600mv @ 300ma, 3a 340 @ 100MA, 2V 120MHz
DMN4020LFDEQ-7 Diodes Incorporated DMN4020LFDEQ-7 0.1455
RFQ
ECAD 1366 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerudfn DMN4020 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (e 형 e) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN4020LFDEQ-7TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 8.6A (TA) 4.5V, 10V 21mohm @ 8a, 10V 2.4V @ 250µA 25.3 NC @ 10 v ± 20V 1201 pf @ 20 v - 850MW (TA)
DMP2090UFDB-7 Diodes Incorporated DMP2090UFDB-7 0.1264
RFQ
ECAD 9540 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMP2090 MOSFET (금속 (() 790MW (TA) u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMP2090UFDB-7TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널 채널) 공통 소스 20V 3.2A (TA) 90mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 6.8nc @ 4.5v 634pf @ 10V -
BABS1100-TR Diodes Incorporated babs1100-tr -
RFQ
ECAD 6988 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 Babs11 기준 ABS 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-BABS1100-TR 귀 99 8541.10.0080 3,000 850 mv @ 1 a 10 µa @ 100 v 1 a 단일 단일 100 v
ZXMP6A17DN8QTC Diodes Incorporated ZXMP6A17DN8QTC 0.4557
RFQ
ECAD 3951 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ZXMP6A17 MOSFET (금속 (() 1.25W (TA) 도 8- 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-zxmp6a17dn8qtctr 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 60V 2.7A (TA) 125mohm @ 2.3a, 10V 1V @ 250µA 17.7NC @ 10V 637pf @ 30v -
ADTA144WCAQ-13 Diodes Incorporated ADTA144WCAQ-13 0.0526
RFQ
ECAD 1323 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ADTA144 310 MW SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-ADTA144WCAQ-13TR 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 10ma, 5V 250MHz 47 Kohms 22 KOHMS
DMNH15H110SPS-13 Diodes Incorporated DMNH15H110SPS-13 -
RFQ
ECAD 7844 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMNH15 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 - 영향을받지 영향을받지 31-DMNH15H110SPS-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 27A (TC) 6V, 10V 90mohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 25.5 nc @ 10 v ± 20V 989 pf @ 75 v - 1.5W (TA)
DDTC124EUAQ-13-F Diodes Incorporated DDTC124EUAQ-13-F 0.0352
RFQ
ECAD 9182 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DDTC124 200 MW SOT-323 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DDTC124EUAQ-13-FTR 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
MMSZ5243BQ-7-F Diodes Incorporated MMSZ5243BQ-7-F 0.0365
RFQ
ECAD 3040 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 370 MW SOD-123 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-MMSZ5243BQ-7-FTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 500 NA @ 9.9 v 13 v 13 옴
DMT69M5LFVW-13 Diodes Incorporated DMT69M5LFVW-13 0.2741
RFQ
ECAD 9182 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMT69M5LFVW-13TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 14.8A (TA), 40.6A (TC) 4.5V, 10V 8.3mohm @ 13.5a, 10V 2.5V @ 250µA 28.4 NC @ 10 v ± 20V 1406 pf @ 30 v - 2.74W (TA), 20.5W (TC)
DMP6250SEQ-13 Diodes Incorporated DMP6250SEQ-13 0.1455
RFQ
ECAD 7225 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMP6250SEQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 6.1A (TC) 4.5V, 10V 250mohm @ 1a, 10V 3V @ 250µA 9.7 NC @ 10 v ± 20V 551 pf @ 30 v - 1.8W (TA), 14W (TC)
DMT35M4LFDF-7 Diodes Incorporated DMT35M4LFDF-7 0.4800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMT35M4LF MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 13A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 14.9 NC @ 10 v ± 20V 1009 pf @ 15 v - 860MW (TA)
DMN3032LFDBWQ-7 Diodes Incorporated DMN3032LFDBWQ-7 0.2909
RFQ
ECAD 9437 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMN3032 MOSFET (금속 (() 820MW U-DFN2020-6 (SWP) 유형 b 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN3032LFDBWQ-7TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 5.5A (TA) 30mohm @ 5.8a, 10V 2V @ 250µA 10.6NC @ 10V 500pf @ 15V -
DMT32M4LFG-7 Diodes Incorporated DMT32M4LFG-7 0.3870
RFQ
ECAD 2239 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT32 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMT32M4LFG-7TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 30A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 67 NC @ 10 v ± 20V 4366 pf @ 15 v - 1.1W
ZVP1320FQTA Diodes Incorporated ZVP1320FQTA 0.2058
RFQ
ECAD 8744 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-ZVP1320FQTART 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 200 v 65MA (TA) 10V 80ohm @ 30ma, 10V 3.5V @ 1mA 1.2 NC @ 10 v ± 20V 25 pf @ 100 v - 500MW (TA)
DMT69M5LCG-7 Diodes Incorporated DMT69M5LCG-7 0.2725
RFQ
ECAD 8132 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() V-DFN3333-8 (유형 b) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMT69M5LCG-7TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 14.6A (TA), 52.1A (TC) 4.5V, 10V 8.3mohm @ 13.5a, 10V 2.5V @ 250µA 28.4 NC @ 10 v ± 20V 1406 pf @ 30 v - 1.37W (TA)
DDTA114ECAQ-7-F Diodes Incorporated DDTA114ECAQ-7-F 0.0393
RFQ
ECAD 6858 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTA114 200 MW SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DDTA114ECAQ-7-FTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
2A07G-A52 Diodes Incorporated 2A07G-A52 -
RFQ
ECAD 8207 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2A07 기준 DO-15 - 영향을받지 영향을받지 31-2A07G-A52 귀 99 8541.10.0080 1 1000 v 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 2A 40pf @ 4V, 1MHz
DMTH41M2SPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH41M2SPSQ-13 2.7300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH41 MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (k) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 225A (TC) 10V 1.2MOHM @ 30A, 10V 4V @ 250µA 138 NC @ 10 v ± 20V 11085 pf @ 20 v - 3.4W (TA), 158W (TC)
DMN2991UFB4-7B Diodes Incorporated DMN2991UFB4-7B 0.0440
RFQ
ECAD 8438 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMN2991 MOSFET (금속 (() X2-DFN1006-3 다운로드 31-DMN2991UFB4-7B 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 20 v 500MA (TA) 1.8V, 4.5V 990mohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.28 nc @ 4.5 v ± 8V 14.6 pf @ 16 v - 360MW (TA)
DMN2992UFB4Q-7B Diodes Incorporated DMN2992UFB4Q-7B 0.2500
RFQ
ECAD 9 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMN2992 MOSFET (금속 (() X2-DFN1006-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 20 v 830MA (TA) 1.8V, 4.5V 990mohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.41 NC @ 4.5 v ± 8V 15.6 pf @ 16 v - 380MW (TA)
GBU30T08 Diodes Incorporated GBU30T08 1.5880
RFQ
ECAD 8429 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU30 기준 GBU - 31-GBU30T08 귀 99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 15 a 10 µa @ 800 v 30 a 단일 단일 800 v
DMP2042UCP4-7 Diodes Incorporated DMP2042UCP4-7 0.4200
RFQ
ECAD 3645 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA DMP2042 MOSFET (금속 (() x1-dsn1010-4 (c 형) - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 3.4A (TA) 2.5V, 4.5V 48mohm @ 1a, 4.5v 1.2V @ 250µA 2.5 NC @ 4.5 v -6V 218 pf @ 10 v - 860MW (TA)
TT8M_HF Diodes Incorporated TT8M_HF 0.5000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 TT8 기준 TT - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1,500 1 V @ 4 a 5 µa @ 1000 v 8 a 단일 단일 1kv
TT10M-13 Diodes Incorporated TT10m-13 0.6300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 TT10M 기준 TTL - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1,500 1.05 V @ 5 a 5 µa @ 1000 v 10 a 단일 단일 1kv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고