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불연속 불연속 제품 (13379)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	전압 - 평가	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	현재 현재 (amp)	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
FR604-T	-	RFQ	8546	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는					구멍을 구멍을	R-6, 축,	FR604	기준		R-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													400 v	1.3 V @ 6 a	150 ns	10 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 175 ° C	6A	-
DMN601DWK-7-50	0.0900	RFQ	4359	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인			-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DMN601	MOSFET (금속 (()	200MW (TA)	SOT-363	다운로드				31-DMN601DWK-7-50	귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)				60V	305MA (TA)		2ohm @ 500ma, 10V	2.5V @ 1mA	0.304NC @ 4.5V		50pf @ 25V	기준
DMP4025LK3Q-13	0.3526	RFQ	2895	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	DMP4025	MOSFET (금속 (()		TO-252, (D-PAK)	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMP4025LK3Q-13TR	귀 99	8541.29.0095	2,500			p 채널		40 v	6.7A (TA)	4.5V, 10V	25mohm @ 3a, 10V	1.8V @ 250µA	33.7 NC @ 10 v	± 20V	1643 PF @ 20 v	-	1.7W (TA)
DCP53-16-13	-	RFQ	3050	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	DCP53		1 W.	SOT-223-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,500																						80 v	1 a	100NA (ICBO)			PNP	500mv @ 50ma, 500ma	100 @ 150ma, 2v	200MHz
dth3006pt	2.6400	RFQ	6	다이오드가 다이오드가	-	튜브	활동적인					구멍을 구멍을	TO-247-2		기준		TO-247-2 (7 HE)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-DTH3006PT	귀 99	8541.10.0080	30		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v	2.4 V @ 30 a	45 ns	100 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	30A	155pf @ 4V, 1MHz
APD260VG-G1	-	RFQ	8991	다이오드가 다이오드가	-	대부분	쓸모없는					구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	APD260	Schottky		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													60 v	500 mV @ 2 a		500 µa @ 40 v	-65 ° C ~ 125 ° C	2A	-
DMP56D0UV-7-50	0.0888	RFQ	5725	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	SOT-563, SOT-666	DMP56	MOSFET (금속 (()	400MW (TA)	SOT-563	다운로드				31-DMP56D0UV-7-50	귀 99	8541.21.0095	3,000	2 p 채널 (채널)				50V	160MA (TA)		6ohm @ 100ma, 4v	1.2V @ 250µA	0.58NC @ 4V		50.54pf @ 25V	논리 논리 게이트
DDTA123YKA-7-F	-	RFQ	7113	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는					표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DDTA123		200 MW	SC-59-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																						50 v	100 MA	500NA			pnp- 사전-	300MV @ 500µA, 10MA	33 @ 10ma, 5V	250MHz	2.2 Kohms	10 KOHMS
MMBZ5229BS-7	-	RFQ	6420	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MMBZ5229BS		200 MW	SOT-363	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000	2 독립															900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v							4.3 v	22 옴
1N4937_HF-A52	-	RFQ	3938	다이오드가 다이오드가	-	대부분	마지막으로 마지막으로					구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4937	기준		DO-41	-				31-1N4937_HF-A52	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v	1.2 v @ 1 a	200 ns	5 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
AZ23C5V6W-7-F	0.4300	RFQ	3	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	SC-70, SOT-323	AZ23C5V6		200 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000	1 양극 양극 공통															900 mV @ 10 ma		1 µa @ 2 v							5.6 v	40
DMP32D9UDAQ-7B	0.0357	RFQ	1414	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	6-SMD,, 없음	DMP32	MOSFET (금속 (()	360MW (TA)	X2-DFN0806-6	다운로드				31-DMP32D9UDAQ-7B	귀 99	8541.29.0095	10,000	2 p 채널 (채널)				30V	220MA (TA)		5ohm @ 100ma, 4.5v	1V @ 250µA	350NC @ 4.5V		21.8pf @ 15V	기준
2N7002T-7-G	-	RFQ	3306	다이오드가 다이오드가	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는							2N7002				-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2N7002T-7-GDI	귀 99	8541.21.0095	3,000
LS4148W	-	RFQ	8847	다이오드가 다이오드가	-	대부분	마지막으로 마지막으로					표면 표면	1206 (3216 메트릭)	LS4148	기준		1206	-				31-LS4148W	귀 99	8541.10.0070	1		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													75 v	1 V @ 10 ma	4 ns	5 µa @ 75 v	-65 ° C ~ 175 ° C	150ma	4pf @ 0V, 1MHz
DMC3016LDV-7	0.2475	RFQ	3423	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8-powervdfn	DMC3016	MOSFET (금속 (()	900MW (TA)	PowerDI3333-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,000	n 보완 p 채널 및				30V	21A (TC), 15a (TC)		12mohm @ 7a, 10v, 25mohm @ 7a, 10v	2.4V @ 250µA	9.5NC @ 4.5V		1184pf @ 15v, 1188pf @ 15v	-
2N7002-7-F-50	0.0314	RFQ	7966	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2N7002	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드				31-2N7002-7-F-50	귀 99	8541.21.0095	3,000			n 채널		60 v	170ma (TA)	5V, 10V	5ohm @ 500ma, 10V	2.5V @ 250µA	0.23 nc @ 4.5 v	± 20V	50 pf @ 25 v	-	370MW (TA)
MMBT2222AQ-7-F	0.0306	RFQ	3	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT2222		310 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-MMBT2222AQ-7-FTR	귀 99	8541.21.0075	3,000																						40 v	600 MA	10NA			NPN	1V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	300MHz
DMTH10H025LPS-13	0.3335	RFQ	2692	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	8-powertdfn	DMTH10	MOSFET (금속 (()		PowerDI5060-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	DMTH10H025LPS-13DI	귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널		100 v	9.3A (TA), 45A (TC)	6V, 10V	23mohm @ 20a, 10V	3V @ 250µA	21 NC @ 10 v	± 20V	1477 pf @ 50 v	-	3.2W (TA), 79W (TC)
BZT52C43Q-7-F	0.0384	RFQ	3	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.98%		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	SOD-123	BZT52		370 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-BZT52C43Q-7-FTR	귀 99	8541.10.0050	3,000																900 mV @ 10 ma		100 na @ 32 v							43 v	100 옴
DFLS160Q-7-52	0.1081	RFQ	4393	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인					표면 표면	PowerDI®123	DFLS160	Schottky		PowerDI ™ 123	다운로드				31-DFLS160Q-7-52	귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													60 v	500 mV @ 1 a	12 ns	100 µa @ 60 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	67pf @ 10V, 1MHz
S2BA	-	RFQ	4506	다이오드가 다이오드가	-	대부분	쓸모없는					표면 표면	DO-214AC, SMA		기준		SMA	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-S2BA	귀 99	8541.10.0080	1		짐													100 v	1.15 V @ 1.5 a	1.5 µs	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	20pf @ 4V, 1MHz
DMN3009LFVWQ-13	0.3836	RFQ	3992	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면, 마운트 측면	8-powervdfn	DMN3009	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMN3009LFVWQ-13TR	귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널		30 v	60A (TC)	4.5V, 10V	5MOHM @ 30A, 10V	2.5V @ 250µA	42 NC @ 10 v	± 20V	2000 pf @ 15 v	-	1W (TA)
SBR2U150SA-13	0.6700	RFQ	17	다이오드가 다이오드가	SBR®	테이프 & tr (TR)	활동적인					표면 표면	DO-214AC, SMA	SBR2U150	슈퍼 슈퍼		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	5,000		짐													150 v	800 mV @ 2 a		75 µa @ 150 v	-65 ° C ~ 175 ° C	2A	-
DMN6140L-7-50	0.0686	RFQ	3274	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMN6140	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드				31-DMN6140L-7-50	귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널		60 v	1.6A (TA)	4.5V, 10V	140mohm @ 1.8a, 10V	3V @ 250µA	8.6 NC @ 10 v	± 20V	315 pf @ 40 v	-	700MW (TA)
AZ23C20-7-G	-	RFQ	7136	다이오드가 다이오드가	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는							AZ23C20				-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	AZ23C20-7-GDI	귀 99	8541.10.0050	3,000
bav116hwf-7	0.0652	RFQ	4659	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인					표면 표면	SOD-123F	bav116	기준		SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		짐													130 v	1.25 V @ 150 mA	3 µs	5 na @ 75 v	-65 ° C ~ 150 ° C	215MA	5pf @ 0V, 1MHz
AZ23C15-7-G	-	RFQ	1483	다이오드가 다이오드가	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는							AZ23C15				-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	AZ23C15-7-GDI	귀 99	8541.10.0050	3,000
DMN10H220LQ-7	0.4600	RFQ	6083	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMN10	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널		100 v	1.6A (TA)	4.5V, 10V	220mohm @ 1.6a, 10V	2.5V @ 250µA	8.3 NC @ 10 v	± 16V	401 pf @ 25 v	-	1.3W (TA)
DDZ20CS-7	0.0531	RFQ	7585	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 3%		-65 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	SC-76, SOD-323	DDZ20		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																900 mV @ 10 ma		50 na @ 15 v							20 v	28 옴
LMN400B01-7	-	RFQ	6690	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		50V PNP, 60V N- 채널		로드로드	표면 표면	SOT-23-6	LMN400			SOT-26	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000				400MA PNP, 115MA																							pnp 바이어스 사전, n- 채널 사전 바이어스

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (13379)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²