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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
FR604-T Diodes Incorporated FR604-T -
RFQ
 ECAD 8546 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 R-6, 축, FR604 기준 R-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 6 a 150 ns 10 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
DMN601DWK-7-50 Diodes Incorporated DMN601DWK-7-50 0.0900
RFQ
 ECAD 4359 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN601 MOSFET (금속 (() 200MW (TA) SOT-363 다운로드 31-DMN601DWK-7-50 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 305MA (TA) 2ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 1mA 0.304NC @ 4.5V 50pf @ 25V 기준
DMP4025LK3Q-13 Diodes Incorporated DMP4025LK3Q-13 0.3526
RFQ
 ECAD 2895 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMP4025 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMP4025LK3Q-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 6.7A (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 3a, 10V 1.8V @ 250µA 33.7 NC @ 10 v ± 20V 1643 PF @ 20 v - 1.7W (TA)
DCP53-16-13 Diodes Incorporated DCP53-16-13 -
RFQ
 ECAD 3050 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA DCP53 1 W. SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 200MHz
DTH3006PT Diodes Incorporated dth3006pt 2.6400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 기준 TO-247-2 (7 HE) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-DTH3006PT 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.4 V @ 30 a 45 ns 100 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 30A 155pf @ 4V, 1MHz
APD260VG-G1 Diodes Incorporated APD260VG-G1 -
RFQ
 ECAD 8991 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 APD260 Schottky DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 500 mV @ 2 a 500 µa @ 40 v -65 ° C ~ 125 ° C 2A -
DMP56D0UV-7-50 Diodes Incorporated DMP56D0UV-7-50 0.0888
RFQ
 ECAD 5725 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DMP56 MOSFET (금속 (() 400MW (TA) SOT-563 다운로드 31-DMP56D0UV-7-50 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 50V 160MA (TA) 6ohm @ 100ma, 4v 1.2V @ 250µA 0.58NC @ 4V 50.54pf @ 25V 논리 논리 게이트
DDTA123YKA-7-F Diodes Incorporated DDTA123YKA-7-F -
RFQ
 ECAD 7113 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTA123 200 MW SC-59-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 10 KOHMS
MMBZ5229BS-7 Diodes Incorporated MMBZ5229BS-7 -
RFQ
 ECAD 6420 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMBZ5229BS 200 MW SOT-363 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2 독립 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 4.3 v 22 옴
1N4937_HF-A52 Diodes Incorporated 1N4937_HF-A52 -
RFQ
 ECAD 3938 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 마지막으로 마지막으로 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4937 기준 DO-41 - 31-1N4937_HF-A52 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
AZ23C5V6W-7-F Diodes Incorporated AZ23C5V6W-7-F 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-70, SOT-323 AZ23C5V6 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 2 v 5.6 v 40
DMP32D9UDAQ-7B Diodes Incorporated DMP32D9UDAQ-7B 0.0357
RFQ
 ECAD 1414 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 없음 DMP32 MOSFET (금속 (() 360MW (TA) X2-DFN0806-6 다운로드 31-DMP32D9UDAQ-7B 귀 99 8541.29.0095 10,000 2 p 채널 (채널) 30V 220MA (TA) 5ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA 350NC @ 4.5V 21.8pf @ 15V 기준
2N7002T-7-G Diodes Incorporated 2N7002T-7-G -
RFQ
 ECAD 3306 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 2N7002 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2N7002T-7-GDI 귀 99 8541.21.0095 3,000
LS4148W Diodes Incorporated LS4148W -
RFQ
 ECAD 8847 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 마지막으로 마지막으로 표면 표면 1206 (3216 메트릭) LS4148 기준 1206 - 31-LS4148W 귀 99 8541.10.0070 1 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1 V @ 10 ma 4 ns 5 µa @ 75 v -65 ° C ~ 175 ° C 150ma 4pf @ 0V, 1MHz
DMC3016LDV-7 Diodes Incorporated DMC3016LDV-7 0.2475
RFQ
 ECAD 3423 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMC3016 MOSFET (금속 (() 900MW (TA) PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 보완 p 채널 및 30V 21A (TC), 15a (TC) 12mohm @ 7a, 10v, 25mohm @ 7a, 10v 2.4V @ 250µA 9.5NC @ 4.5V 1184pf @ 15v, 1188pf @ 15v -
2N7002-7-F-50 Diodes Incorporated 2N7002-7-F-50 0.0314
RFQ
 ECAD 7966 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 31-2N7002-7-F-50 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 170ma (TA) 5V, 10V 5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.23 nc @ 4.5 v ± 20V 50 pf @ 25 v - 370MW (TA)
MMBT2222AQ-7-F Diodes Incorporated MMBT2222AQ-7-F 0.0306
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2222 310 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-MMBT2222AQ-7-FTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 600 MA 10NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
DMTH10H025LPS-13 Diodes Incorporated DMTH10H025LPS-13 0.3335
RFQ
 ECAD 2692 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH10 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 DMTH10H025LPS-13DI 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 9.3A (TA), 45A (TC) 6V, 10V 23mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 1477 pf @ 50 v - 3.2W (TA), 79W (TC)
BZT52C43Q-7-F Diodes Incorporated BZT52C43Q-7-F 0.0384
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.98% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 370 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-BZT52C43Q-7-FTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 32 v 43 v 100 옴
DFLS160Q-7-52 Diodes Incorporated DFLS160Q-7-52 0.1081
RFQ
 ECAD 4393 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 표면 표면 PowerDI®123 DFLS160 Schottky PowerDI ™ 123 다운로드 31-DFLS160Q-7-52 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 500 mV @ 1 a 12 ns 100 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 67pf @ 10V, 1MHz
S2BA Diodes Incorporated S2BA -
RFQ
 ECAD 4506 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 SMA 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-S2BA 귀 99 8541.10.0080 1 짐 100 v 1.15 V @ 1.5 a 1.5 µs 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 20pf @ 4V, 1MHz
DMN3009LFVWQ-13 Diodes Incorporated DMN3009LFVWQ-13 0.3836
RFQ
 ECAD 3992 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn DMN3009 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN3009LFVWQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 15 v - 1W (TA)
SBR2U150SA-13 Diodes Incorporated SBR2U150SA-13 0.6700
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SBR2U150 슈퍼 슈퍼 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 150 v 800 mV @ 2 a 75 µa @ 150 v -65 ° C ~ 175 ° C 2A -
DMN6140L-7-50 Diodes Incorporated DMN6140L-7-50 0.0686
RFQ
 ECAD 3274 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN6140 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 31-DMN6140L-7-50 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 1.6A (TA) 4.5V, 10V 140mohm @ 1.8a, 10V 3V @ 250µA 8.6 NC @ 10 v ± 20V 315 pf @ 40 v - 700MW (TA)
AZ23C20-7-G Diodes Incorporated AZ23C20-7-G -
RFQ
 ECAD 7136 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 AZ23C20 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 AZ23C20-7-GDI 귀 99 8541.10.0050 3,000
BAV116HWF-7 Diodes Incorporated bav116hwf-7 0.0652
RFQ
 ECAD 4659 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F bav116 기준 SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 짐 130 v 1.25 V @ 150 mA 3 µs 5 na @ 75 v -65 ° C ~ 150 ° C 215MA 5pf @ 0V, 1MHz
DMN10H220LQ-7 Diodes Incorporated DMN10H220LQ-7 0.4600
RFQ
 ECAD 6083 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN10 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 1.6A (TA) 4.5V, 10V 220mohm @ 1.6a, 10V 2.5V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 16V 401 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
DDZ20CS-7 Diodes Incorporated DDZ20CS-7 0.0531
RFQ
 ECAD 7585 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 DDZ20 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 15 v 20 v 28 옴
LMN400B01-7 Diodes Incorporated LMN400B01-7 -
RFQ
 ECAD 6690 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 50V PNP, 60V N- 채널 로드로드 표면 표면 SOT-23-6 LMN400 SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 400MA PNP, 115MA pnp 바이어스 사전, n- 채널 사전 바이어스
SDM1100LP-7 Diodes Incorporated SDM1100LP-7 0.4700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-udfn SDM1100 Schottky U-DFN2020-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 770 mv @ 1 a 350 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 40pf @ 5V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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