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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
DDZ6V8ASF-7 Diodes Incorporated ddz6v8asf-7 0.0286
RFQ
 ECAD 8982 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.63% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F DDZ6V8 500MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 7.5 µa @ 4 v 6.46 v 30 옴
DMG7N65SCT Diodes Incorporated DMG7N65SCT -
RFQ
 ECAD 8539 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 DMG7N65 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 7.7A (TC) 10V 1.4ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 25.2 NC @ 10 v ± 30V 886 pf @ 50 v - 125W (TC)
ZXTP2008ZQTA Diodes Incorporated ZXTP2008ZQTA 0.9500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA ZXTP2008 1.5 w SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 30 v 5.5 a 20NA PNP 175MV @ 500MA, 5.5A 100 @ 1a, 1v 110MHz
ZVP2106ASTOB Diodes Incorporated zvp2106astob -
RFQ
 ECAD 9273 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 p 채널 60 v 280MA (TA) 10V 5ohm @ 500ma, 10V 3.5V @ 1mA ± 20V 100 pf @ 18 v - 700MW (TA)
LS4148W Diodes Incorporated LS4148W -
RFQ
 ECAD 8847 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 마지막으로 마지막으로 표면 표면 1206 (3216 메트릭) LS4148 기준 1206 - 31-LS4148W 귀 99 8541.10.0070 1 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1 V @ 10 ma 4 ns 5 µa @ 75 v -65 ° C ~ 175 ° C 150ma 4pf @ 0V, 1MHz
DMN53D0LW-13 Diodes Incorporated DMN53D0LW-13 0.0357
RFQ
 ECAD 4212 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMN53 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMN53D0LW-13DITR 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 50 v 360MA (TA) 5V, 10V 2ohm @ 270ma, 10V 1.5V @ 100µa 1.2 NC @ 10 v ± 20V 45.8 pf @ 25 v - 320MW (TA)
DMN66D0LDWQ-13 Diodes Incorporated DMN66D0LDWQ-13 0.0500
RFQ
 ECAD 4375 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN66 MOSFET (금속 (() 400MW (TA) SOT-363 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN66D0LDWQ-13TR 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 60V 217MA (TA) 6ohm @ 115ma, 5V 2V @ 250µA 0.9NC @ 10V 29.3pf @ 25v -
MMBZ5227B-7-F Diodes Incorporated MMBZ5227B-7-F 0.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5227 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 15 µa @ 1 v 3.6 v 24 옴
SDM1100LP-7 Diodes Incorporated SDM1100LP-7 0.4700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-udfn SDM1100 Schottky U-DFN2020-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 770 mv @ 1 a 350 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 40pf @ 5V, 1MHz
BAV116HWF-7 Diodes Incorporated bav116hwf-7 0.0652
RFQ
 ECAD 4659 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F bav116 기준 SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 짐 130 v 1.25 V @ 150 mA 3 µs 5 na @ 75 v -65 ° C ~ 150 ° C 215MA 5pf @ 0V, 1MHz
LMN400B01-7 Diodes Incorporated LMN400B01-7 -
RFQ
 ECAD 6690 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 50V PNP, 60V N- 채널 로드로드 표면 표면 SOT-23-6 LMN400 SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 400MA PNP, 115MA pnp 바이어스 사전, n- 채널 사전 바이어스
S2BA Diodes Incorporated S2BA -
RFQ
 ECAD 4506 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 SMA 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-S2BA 귀 99 8541.10.0080 1 짐 100 v 1.15 V @ 1.5 a 1.5 µs 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 20pf @ 4V, 1MHz
MMBT2907AQ-7-F Diodes Incorporated MMBT2907AQ-7-F 0.0375
RFQ
 ECAD 8344 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2907 310 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-MMBT2907AQ-7-FTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
DMN6140L-7-50 Diodes Incorporated DMN6140L-7-50 0.0686
RFQ
 ECAD 3274 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN6140 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 31-DMN6140L-7-50 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 1.6A (TA) 4.5V, 10V 140mohm @ 1.8a, 10V 3V @ 250µA 8.6 NC @ 10 v ± 20V 315 pf @ 40 v - 700MW (TA)
AZ23C15-7-G Diodes Incorporated AZ23C15-7-G -
RFQ
 ECAD 1483 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 AZ23C15 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 AZ23C15-7-GDI 귀 99 8541.10.0050 3,000
DMN3009LFVWQ-13 Diodes Incorporated DMN3009LFVWQ-13 0.3836
RFQ
 ECAD 3992 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn DMN3009 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN3009LFVWQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 15 v - 1W (TA)
SBR2U150SA-13 Diodes Incorporated SBR2U150SA-13 0.6700
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SBR2U150 슈퍼 슈퍼 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 150 v 800 mV @ 2 a 75 µa @ 150 v -65 ° C ~ 175 ° C 2A -
DMN10H220LQ-7 Diodes Incorporated DMN10H220LQ-7 0.4600
RFQ
 ECAD 6083 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN10 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 1.6A (TA) 4.5V, 10V 220mohm @ 1.6a, 10V 2.5V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 16V 401 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
BCP5316QTA-52 Diodes Incorporated BCP5316QTA-52 0.0736
RFQ
 ECAD 1555 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP5316 2 w SOT-223 다운로드 31-BCP5316QTA-52 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 150MHz
SBR40U150CT-2223 Diodes Incorporated SBR40U150CT-2223 -
RFQ
 ECAD 8833 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 대부분 마지막으로 마지막으로 구멍을 구멍을 TO-220-3 슈퍼 슈퍼 TO-220-3 - 31-SBR40U150CT-2223 1 짐 1 음극 음극 공통 150 v 20A 860 mV @ 20 a 500 µa @ 150 v -65 ° C ~ 175 ° C
DMTH10H032LFVW-7 Diodes Incorporated DMTH10H032LFVW-7 0.2264
RFQ
 ECAD 3422 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn DMTH10 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX - 31-DMTH10H032LFVW-7 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 26A (TC) 4.5V, 10V 30mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 11.9 NC @ 10 v ± 20V 683 pf @ 50 v - 1.7W (TA)
ZXMN6A08E6TA Diodes Incorporated zxmn6a08e6ta 0.8300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 ZXMN6 MOSFET (금속 (() SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 2.8A (TA) 4.5V, 10V 80mohm @ 4.8a, 10V 1V @ 250µA 5.8 nc @ 10 v ± 20V 459 pf @ 40 v - 1.1W (TA)
BZT52C4V7SQ-7-F Diodes Incorporated BZT52C4V7SQ-7-F 0.0359
RFQ
 ECAD 9738 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.38% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZT52 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-BZT52C4V7SQ-7-FTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 2 v 4.7 v 80 옴
1SMB5925B-13 Diodes Incorporated 1SMB5925B-13 0.4400
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5925 3 w SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 5 µa @ 8 v 10 v 4.5 옴
DDZ9V1B-7 Diodes Incorporated DDZ9V1B-7 0.0630
RFQ
 ECAD 6576 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 DDZ9V1 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 7 v 8.79 v 8 옴
DMN3010LFG-13 Diodes Incorporated DMN3010LFG-13 0.2083
RFQ
 ECAD 3566 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMN3010 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMN3010LFG-13DI 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 11A (TA), 30A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 18a, 10V 2.5V @ 250µA 37 NC @ 10 v ± 20V 2075 pf @ 15 v - 900MW (TA)
SBR4040CT Diodes Incorporated SBR4040CT 1.1600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SBR4040 슈퍼 슈퍼 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 20A 530 mV @ 20 a 500 µa @ 40 v -65 ° C ~ 150 ° C
DMN2028USS-13 Diodes Incorporated DMN2028USS-13 0.6000
RFQ
 ECAD 6451 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMN2028 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 7.3A (TA) 1.5V, 4.5V 20mohm @ 9.4a, 4.5v 1.3V @ 250µA 11.6 NC @ 4.5 v ± 8V 1000 pf @ 10 v - 1.56W (TA)
BZX84C2V4S-7 Diodes Incorporated BZX84C2V4S-7 -
RFQ
 ECAD 2561 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BZX84 200 MW SOT-363 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2 독립 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
B320AQ-13-F Diodes Incorporated B320AQ-13-F 0.3600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA B320 Schottky SMA - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 200pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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