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불연속 불연속 제품 (13379)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
BZT52C3V3T-7	0.2100	RFQ	33	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZT52		300MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma	5 µa @ 1 v					3.3 v	95 옴
PD3Z284C6V2-7	0.1465	RFQ	4088	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	PowerDI ™ 323	PD3Z284		500MW	PowerDI ™ 323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	1.1 v @ 100 ma	3 µa @ 4 v					6.2 v	10 옴
DMN6013LFG-13	0.2923	RFQ	9089	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	DMN6013	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널	60 v	10.3A (TA), 45A (TC)	4.5V, 10V	13mohm @ 10a, 10V	3V @ 250µA	55.4 NC @ 10 v	± 20V	2577 pf @ 30 v	-	1W (TA)
DMC1018UPD-13	-	RFQ	8536	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	DMC1018	MOSFET (금속 (()	2.3W	PowerDI5060-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	n 및 p 채널			12V, 20V	9.5A, 6.9A		17mohm @ 11.8a, 4.5v	1.5V @ 250µA	30.4NC @ 8V		1525pf @ 6v	-
DMC1229UFDB-13	0.1472	RFQ	6244	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드	DMC1229	MOSFET (금속 (()	1.4W	u-dfn2020-6 (유형 b)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	10,000	n 및 p 채널			12V	5.6a, 3.8a		29mohm @ 5a, 4.5v	1V @ 250µA	19.6nc @ 8v		914pf @ 6v	논리 논리 게이트
DMT2005UDV-13	0.2289	RFQ	5745	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	DMT2005	MOSFET (금속 (()	900MW (TA)	PowerDI3333-8 (유형 UXC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)			24V	50A (TC)		7mohm @ 14a, 10V	1.5V @ 250µA	46.7NC @ 10V		2060pf @ 10V	-
2N7002DWA-7	-	RFQ	5577	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	2N7002	MOSFET (금속 (()	300MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)			60V	180ma		6ohm @ 115ma, 10V	2.5V @ 250µA	0.87NC @ 10V		25V @ 25V	논리 논리 게이트
BZT52HC12WF-7	0.2500	RFQ	436	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.42%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123F	BZT52		375 MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma	100 na @ 8 v					12 v	10 옴
MMBZ5235BT-7-G	-	RFQ	5487	다이오드가 다이오드가	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는									-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	MMBZ5235BT-7-GDI	귀 99	8541.10.0050	3,000
DMT6015LPDW-13	0.2970	RFQ	9287	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	DMT6015	MOSFET (금속 (()	2.4W (TA), 7.9W (TC)	PowerDi5060-8 (유형 UXD)	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMT6015LPDW-13TR	귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)			60V	9.4A (TA), 17.1A (TC)		18mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	15.7NC @ 10V		808pf @ 30V	-
BZT52C15TQ-7-F	0.0474	RFQ	1359	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZT52		300MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma	100 na @ 10.5 v					15 v	30 옴
DMJ70H601SK3-13	-	RFQ	9481	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	DMJ70	MOSFET (금속 (()		TO-252, (D-PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	75			n 채널	700 v	8A (TC)	10V	600mohm @ 2.1a, 10V	4V @ 250µA	20.9 NC @ 10 v	± 30V	686 pf @ 50 v	-	125W (TC)
DMN53D0LV-7	0.4400	RFQ	84	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	DMN53	MOSFET (금속 (()	430MW (TA)	SOT-563	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)			50V	350MA (TA)		1.6ohm @ 500ma, 10V	1.5V @ 250µA	0.6NC @ 4.5V		46pf @ 25v	-
MBR1545CT	-	RFQ	9890	다이오드가 다이오드가	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR1545CT	Schottky		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	MBR1545CTDI	귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	45 v	15a	840 mV @ 15 a	100 µa @ 45 v	-65 ° C ~ 150 ° C
DMC25D0UVT-13	0.1276	RFQ	5589	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	DMC25	MOSFET (금속 (()	1.2W	TSOT-23-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMC25D0UVT-13DI	귀 99	8541.29.0095	10,000	n 및 p 채널			25V, 30V	400ma, 3.2a		4ohm @ 400ma, 4.5v	1.5V @ 250µA	0.7nc @ 8v		26.2pf @ 10V	-
DMP31D0UFB4-7B	0.4600	RFQ	89	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-xfdfn	DMP31	MOSFET (금속 (()		X2-DFN1006-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000			p 채널	30 v	540MA (TA)	1.8V, 4.5V	1ohm @ 400ma, 4.5v	1.1V @ 250µA	0.9 nc @ 4.5 v	± 8V	76 pf @ 15 v	-	460MW (TA)
N6270D	-	RFQ	2298	다이오드가 다이오드가	-	대부분	쓸모없는									-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1
ZVP4525GTA-50	0.3906	RFQ	4033	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	ZVP4525	MOSFET (금속 (()		SOT-223	다운로드				31-ZVP4525GTA-50	귀 99	8541.29.0095	1,000			p 채널	250 v	265MA (TA)	3.5V, 10V	14ohm @ 200ma, 10V	2V @ 1mA	3 NC @ 10 v	± 40V	82 pf @ 25 v	-	2W (TA)
DMP2225L-7	-	RFQ	7820	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMP2225	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			p 채널	20 v	2.6A (TA)	2.5V, 4.5V	110mohm @ 2.6a, 4.5v	1.25V @ 250µA	5.3 NC @ 4.5 v	± 12V	250 pf @ 10 v	-	1.08W (TA)
2N7002Q-7-F	0.2400	RFQ	4	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2N7002	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			n 채널	60 v	170ma (TA)	5V, 10V	5ohm @ 500ma, 10V	2.5V @ 250µA	0.233 NC @ 10 v	± 20V	50 pf @ 25 v	-	370MW (TA)
HBDM60V600X-7	0.1280	RFQ	4211	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	HBDM60V600		200MW	SOT-363	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-HBDM60V600X-7TR	귀 99	8541.21.0095	3,000																				60V, 80V	600ma, 500ma	100NA, 50NA			1 NPN, 1 PNP (H-Bridge)	400mv @ 10ma, 100ma / 500mv @ 50ma, 500ma	250 @ 10ma, 1v / 100 @ 150ma, 10V	-
DMTH6016LFDFW-7	0.2725	RFQ	8530	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드	DMTH6016	MOSFET (금속 (()		U-DFN2020-6 (SWP) (F 형)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널	60 v	9.4A (TA)	4.5V, 10V	18mohm @ 10a, 10V	3V @ 250µA	15.3 NC @ 10 v	± 20V	925 pf @ 30 v	-	1.06W (TA)
SDT40H100CT	1.2800	RFQ	6499	다이오드가 다이오드가	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	SDT40	Schottky		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	100 v	20A	700 mV @ 20 a	120 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MMBZ5240B-7-G	-	RFQ	1588	다이오드가 다이오드가	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는									-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	MMBZ5240B-7-GDI	귀 99	8541.10.0050	3,000
DSS5140U-7	0.4300	RFQ	3589	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	DSS5140		400MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																				40 v	1 a	100NA			PNP	500mv @ 100ma, 1a	300 @ 100MA, 5V	150MHz
DMTH6005LK3Q-13	1.2400	RFQ	2543	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	DMTH6005	MOSFET (금속 (()		TO-252-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널	60 v	90A (TC)	4.5V, 10V	5.6mohm @ 50a, 10V	3V @ 250µA	47.1 NC @ 10 v	± 20V	2962 pf @ 30 v	-	2.1W (TA), 100W (TC)
DMNH6010SCTBQ-13	1.7042	RFQ	8660	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	DMNH6010	MOSFET (금속 (()		to-263ab (d²pak)	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMNH6010SCTBQ-13TR	귀 99	8541.29.0095	800			n 채널	60 v	133A (TC)	10V	10mohm @ 25a, 10V	4V @ 1MA	46 NC @ 10 v	± 20V	2692 pf @ 25 v	-	5W (TA), 375W (TC)
BZT52C16-13-G	-	RFQ	6068	다이오드가 다이오드가	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는					BZT52				-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	BZT52C16-13-GDI	귀 99	8541.10.0050	10,000
ADTC124EUAQ-7	0.0531	RFQ	6530	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-70, SOT-323	ADTC124		330 MW	SOT-323	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-ADTC124EUAQ-7TR	귀 99	8541.21.0075	3,000																				50 v	100 MA	500NA			npn-사전-	300MV @ 500µA, 10MA	56 @ 5MA, 5V	250MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
2N7002WKX-7	-	RFQ	9537	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	2N7002	MOSFET (금속 (()		SOT-323	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			n 채널	60 v	115MA (TA)	5V, 10V	7.5ohm @ 50ma, 5V	2V @ 250µA		± 20V	50 pf @ 25 v	-	200MW (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (13379)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²