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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
DMT10H009SSS-13 Diodes Incorporated DMT10H009SSS-13 0.4606
RFQ
 ECAD 2155 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) - - DMT10 MOSFET (금속 (() - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 12A (TA), 42A (TC) 10V 9mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 29.8 nc @ 10 v ± 20V 2085 pf @ 50 v - 1.4W (TA)
BZT52C30-13 Diodes Incorporated BZT52C30-13 -
RFQ
 ECAD 6093 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 21 v 30 v 80 옴
DDZ36Q-7 Diodes Incorporated DDZ36Q-7 0.0508
RFQ
 ECAD 7905 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 DDZ36 310 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 30 v 36.28 v 85 옴
DMT3008LFDF-13 Diodes Incorporated DMT3008LFDF-13 0.2730
RFQ
 ECAD 1824 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMT3008 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMT3008LFDF-13DI 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 30 v 12A (TA) 4.5V, 10V 10mohm @ 9a, 10V 3V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 886 pf @ 15 v - 800MW (TA)
MMBZ5257B-7-G Diodes Incorporated MMBZ5257B-7-G -
RFQ
 ECAD 6213 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MMBZ5257B-7-GDI 귀 99 8541.10.0050 3,000
DMP4065S-7 Diodes Incorporated DMP4065S-7 0.4300
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP4065 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 40 v 2.4A (TA) 4.5V, 10V 80mohm @ 4.2a, 10V 3V @ 250µA 12.2 NC @ 10 v ± 20V 587 pf @ 20 v - 720MW (TA)
SD940-T Diodes Incorporated SD940-T -
RFQ
 ECAD 7068 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 1,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 480 mV @ 9 a 800 µa @ 40 v -65 ° C ~ 150 ° C 9a 900pf @ 4V, 1MHz
MMBZ5250BW-7-F Diodes Incorporated MMBZ5250BW-7-F 0.3200
RFQ
 ECAD 6968 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMBZ5250 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 15 v 20 v 25 옴
DDZ6V8C-7 Diodes Incorporated ddz6v8c-7 0.0435
RFQ
 ECAD 3128 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 DDZ6V8 310 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 5 v 6.8 v 5 옴
PR2003G-T Diodes Incorporated PR2003G-T -
RFQ
 ECAD 9390 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-15 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 V @ 2 a 150 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A 35pf @ 4V, 1MHz
S1BB-13-G Diodes Incorporated S1BB-13-G -
RFQ
 ECAD 9397 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 S1BB-13-GDI 귀 99 8541.10.0080 3,000
SBR40U60CT-G-2223 Diodes Incorporated SBR40U60CT-G-2223 -
RFQ
 ECAD 3484 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 마지막으로 마지막으로 구멍을 구멍을 TO-220-3 슈퍼 슈퍼 TO-220-3 - 31-SBR40U60CT-G-2223 1 짐 1 음극 음극 공통 60 v 20A 600 mV @ 20 a 500 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C
MMSZ5228BS-7 Diodes Incorporated MMSZ5228BS-7 -
RFQ
 ECAD 2201 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 MMSZ5228B 200 MW SOD-323 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 3.9 v 23 옴
DMP2070UCB6-7 Diodes Incorporated DMP2070UCB6-7 -
RFQ
 ECAD 8783 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-UFBGA, WLBGA DMP2070 MOSFET (금속 (() U-WLB1510-6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 2.5A (TA) 1.5V, 4.5V 70mohm @ 1a, 4.5v 1V @ 250µA 2.9 NC @ 4.5 v ± 8V 210 pf @ 10 v - 920MW (TA)
DMN32D4SDW-7 Diodes Incorporated DMN32D4SDW-7 0.4500
RFQ
 ECAD 6281 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN32 MOSFET (금속 (() 290MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 650ma 400mohm @ 250ma, 10V 1.6V @ 250µA 1.3NC @ 10V 50pf @ 15V -
STPR1040 Diodes Incorporated STPR1040 0.6900
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 STPR10 기준 to220ab ((wx) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-SPR1040 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 5a 1.3 V @ 5 a 35 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C
DMP2065UQ-7 Diodes Incorporated DMP2065UQ-7 0.4800
RFQ
 ECAD 8337 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2065 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4A (TA) 1.8V, 4.5V 60mohm @ 4.2a, 4.5v 900MV @ 250µA 10.2 NC @ 4.5 v ± 12V 808 pf @ 15 v - 900MW
BZT52C3V3T-7 Diodes Incorporated BZT52C3V3T-7 0.2100
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZT52 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
PD3Z284C6V2-7 Diodes Incorporated PD3Z284C6V2-7 0.1465
RFQ
 ECAD 4088 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 PowerDI ™ 323 PD3Z284 500MW PowerDI ™ 323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
DMN6013LFG-13 Diodes Incorporated DMN6013LFG-13 0.2923
RFQ
 ECAD 9089 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMN6013 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 10.3A (TA), 45A (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 55.4 NC @ 10 v ± 20V 2577 pf @ 30 v - 1W (TA)
DMC1018UPD-13 Diodes Incorporated DMC1018UPD-13 -
RFQ
 ECAD 8536 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMC1018 MOSFET (금속 (() 2.3W PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 12V, 20V 9.5A, 6.9A 17mohm @ 11.8a, 4.5v 1.5V @ 250µA 30.4NC @ 8V 1525pf @ 6v -
DMC1229UFDB-13 Diodes Incorporated DMC1229UFDB-13 0.1472
RFQ
 ECAD 6244 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMC1229 MOSFET (금속 (() 1.4W u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 및 p 채널 12V 5.6a, 3.8a 29mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 19.6nc @ 8v 914pf @ 6v 논리 논리 게이트
DMT2005UDV-13 Diodes Incorporated DMT2005UDV-13 0.2289
RFQ
 ECAD 5745 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT2005 MOSFET (금속 (() 900MW (TA) PowerDI3333-8 (유형 UXC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 24V 50A (TC) 7mohm @ 14a, 10V 1.5V @ 250µA 46.7NC @ 10V 2060pf @ 10V -
2N7002DWA-7 Diodes Incorporated 2N7002DWA-7 -
RFQ
 ECAD 5577 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 2N7002 MOSFET (금속 (() 300MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 180ma 6ohm @ 115ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.87NC @ 10V 25V @ 25V 논리 논리 게이트
BZT52HC12WF-7 Diodes Incorporated BZT52HC12WF-7 0.2500
RFQ
 ECAD 436 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.42% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 12 v 10 옴
MMBZ5235BT-7-G Diodes Incorporated MMBZ5235BT-7-G -
RFQ
 ECAD 5487 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MMBZ5235BT-7-GDI 귀 99 8541.10.0050 3,000
DMT6015LPDW-13 Diodes Incorporated DMT6015LPDW-13 0.2970
RFQ
 ECAD 9287 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMT6015 MOSFET (금속 (() 2.4W (TA), 7.9W (TC) PowerDi5060-8 (유형 UXD) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMT6015LPDW-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 9.4A (TA), 17.1A (TC) 18mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 15.7NC @ 10V 808pf @ 30V -
BZT52C15TQ-7-F Diodes Incorporated BZT52C15TQ-7-F 0.0474
RFQ
 ECAD 1359 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZT52 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 10.5 v 15 v 30 옴
DMJ70H601SK3-13 Diodes Incorporated DMJ70H601SK3-13 -
RFQ
 ECAD 9481 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMJ70 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 700 v 8A (TC) 10V 600mohm @ 2.1a, 10V 4V @ 250µA 20.9 NC @ 10 v ± 30V 686 pf @ 50 v - 125W (TC)
DMN53D0LV-7 Diodes Incorporated DMN53D0LV-7 0.4400
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DMN53 MOSFET (금속 (() 430MW (TA) SOT-563 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 50V 350MA (TA) 1.6ohm @ 500ma, 10V 1.5V @ 250µA 0.6NC @ 4.5V 46pf @ 25v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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