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디스크리트 반도체(13379)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 다이오드 전압 - 역방향(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1)
1N4936-T Diodes Incorporated 1N4936-T 0.2000
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 ECAD 30 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 스루홀 DO-204AL, DO-41, 축방향 1N4936 기준 DO-41 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0080 5,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 400V 1.2V @ 1A 200ns 400V에서 5μA -65°C ~ 150°C 1A 15pF @ 4V, 1MHz
BAS16VA-7 Diodes Incorporated BAS16VA-7 0.4100
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 ECAD 3 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 BAS16 기준 SOT-563 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 3면 100V 200mA(DC) 1.25V @ 150mA 4ns 80V에서 500nA -55°C ~ 150°C
DMTH4014LFVW-13 Diodes Incorporated DMTH4014LFVW-13 0.1942
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 ECAD 1305 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장, 일부 8-PowerVDFN MOSFET(금속) PowerDI3333-8(SWP) 내부 UX 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMTH4014LFVW-13TR EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 40V 11.5A(Ta), 49.8A(Tc) 4.5V, 10V 13.7m옴 @ 20A, 10V 3V @ 250μA 11.2nC @ 10V ±20V 20V에서 750pF 기준 3.1W(Ta), 57.7W(Tc)
2N7002V-7 Diodes Incorporated 2N7002V-7 -
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 ECAD 5159 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 2N7002 MOSFET(금속) 150mW SOT-563 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 60V 280mA 7.5옴 @ 50mA, 5V 2.5V @ 250μA - 50pF @ 25V -
DMS3014SFGQ-13 Diodes Incorporated DMS3014SFGQ-13 0.2571
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 ECAD 5848 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN DMS3014 MOSFET(금속) 파워DI3333-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 9.5A(타) 4.5V, 10V 14.5m옴 @ 10.4A, 10V 2.2V @ 250μA 19.3nC @ 10V ±12V 4310pF @ 15V - 1W(타)
APT13005TF-G1 Diodes Incorporated APT13005TF-G1 -
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 ECAD 8376 0.00000000 다이 통합 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 APT13005 28W TO-220-3 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. APT13005TF-G1DI EAR99 8541.29.0095 1,000 450V 4A - NPN 900mV @ 1A, 4A 8 @ 2A, 5V 4MHz
BAV20WQ-7-F Diodes Incorporated BAV20WQ-7-F 0.0375
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 ECAD 3 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-123 BAV20 기준 SOD-123 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-BAV20WQ-7-FTR EAR99 8541.10.0070 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 150V 1.25V @ 200mA 50ns 100nA @ 150V -55°C ~ 150°C 400mA 5pF @ 0V, 1MHz
DMT10H025SK3-13 Diodes Incorporated DMT10H025SK3-13 0.2361
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 ECAD 8840 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 DMT10 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 100V 41.2A(Tc) 6V, 10V 23m옴 @ 20A, 10V 4V @ 250μA 21.4nC @ 10V ±20V 50V에서 1544pF - 1.4W(타)
BZT52C7V5-7-G Diodes Incorporated BZT52C7V5-7-G -
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 ECAD 1487 0.00000000 다이 통합 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 BZT52 - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. BZT52C7V5-7-GDI EAR99 8541.10.0050 3,000
DMTH4011SPD-13 Diodes Incorporated DMTH4011SPD-13 0.7900
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 ECAD 1 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN DMTH4011 MOSFET(금속) 2.6W(타) 전력DI5060-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 40V 11.1A(Ta), 42A(Tc) 15m옴 @ 20A, 10V 4V @ 250μA 10.6nC @ 10V 805pF @ 20V -
DMTH6016LFVWQ-7 Diodes Incorporated DMTH6016LFVWQ-7 0.6400
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 ECAD 2 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장, 일부 8-PowerVDFN DMTH6016 MOSFET(금속) PowerDI3333-8(SWP) 내부 UX 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 60V 41A (Tc) 4.5V, 10V 16m옴 @ 20A, 10V 2.5V @ 250μA 15.1nC @ 10V ±20V 30V에서 939pF - 1.17W(타)
PR2002-T Diodes Incorporated PR2002-T -
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 ECAD 5563 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 DO-204AC, DO-15, 축방향 기준 DO-15 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 4,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 100V 1.2V @ 2A 150ns 100V에서 5μA -65°C ~ 150°C 2A 35pF @ 4V, 1MHz
D3Z2V4BF-7 Diodes Incorporated D3Z2V4BF-7 0.4400
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 ECAD 700 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±4% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F D3Z2V4 400mW SOD-323F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 1.1V @ 100mA 50μA @ 1V 2.53V 100옴
DMP2040UFDF-13 Diodes Incorporated DMP2040UFDF-13 0.1382
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 ECAD 2500 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-UDFN 옆패드 DMP2040 MOSFET(금속) U-DFN2020-6(F형) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 10,000 P채널 20V 13A(티씨) 2.5V, 4.5V 32m옴 @ 8.9A, 4.5V 250μA에서 1.5V 19nC @ 8V ±12V 10V에서 834pF - 1.8W(타)
DMN3023L-13 Diodes Incorporated DMN3023L-13 0.0930
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 ECAD 8065 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 155°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3023 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. DMN3023L-13DI EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 30V 6.2A(타) 2.5V, 10V 25m옴 @ 4A, 10V 250μA에서 1.8V 18.4nC @ 10V ±20V 873pF @ 15V - 900mW(타)
ZDT795ATA Diodes Incorporated ZDT795ATA -
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 ECAD 2141 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-223-8 ZDT795A 2.75W SM8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 140V 500mA 100nA(ICBO) 2 PNP(이중) 250mV @ 50mA, 500mA 300 @ 10mA, 2V 100MHz
BZX84C10T-7-F Diodes Incorporated BZX84C10T-7-F 0.3400
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 ECAD 2 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±6% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SOT-523 BZX84 150mW SOT-523 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 200nA @ 7V 10V 20옴
RS3J-13-F Diodes Incorporated RS3J-13-F 0.6000
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 ECAD 19 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 DO-214AB, SMC RS3J 기준 SMC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 600V 1.3V @ 3A 250ns 600V에서 5μA -65°C ~ 150°C 3A 50pF @ 4V, 1MHz
DMP1011LFVQ-7 Diodes Incorporated DMP1011LFVQ-7 0.2024
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 ECAD 9225 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장, 일부 8-PowerVDFN DMP1011 MOSFET(금속) PowerDI3333-8(SWP) 내부 UX 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMP1011LFVQ-7TR EAR99 8541.29.0095 2,000 P채널 12V 13A(타), 19A(Tc) 2.5V, 4.5V 11.7m옴 @ 12A, 4.5V 1.2V @ 250μA 9.5nC @ 6V -6V 6V에서 913pF - 1.05W
GBJ1501 Diodes Incorporated GBJ1501 -
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 ECAD 8683 0.00000000 다이 통합 - 튜브 SIC에서는 존재하지 않았습니다. -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 4-SIP, GBJ GBJ1501 기준 GBJ 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. GBJ1501DI EAR99 8541.10.0080 15 1.05V @ 7.5A 100V에서 10μA 15A 단상 100V
D3Z16BF-7 Diodes Incorporated D3Z16BF-7 0.2000
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 ECAD 7 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F D3Z16 400mW SOD-323F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 1.1V @ 100mA 12V에서 50nA 16.18V 20옴
ZTX451STOA Diodes Incorporated ZTX451STOA -
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 ECAD 7676 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 E-Line-3, 구성부품 ZTX451 1W E-라인(TO-92 호환) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,000 60V 1A 100nA(ICBO) NPN 350mV @ 15mA, 150mA 50 @ 150mA, 10V 150MHz
ES3DB-13 Diodes Incorporated ES3DB-13 -
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 ECAD 9866 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. 표면 실장 DO-214AA, SMB ES3D 기준 건축 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 200V 900mV @ 3A 25ns 200V에서 10μA -55°C ~ 150°C 3A 45pF @ 4V, 1MHz
DMN1032UCP4-7 Diodes Incorporated DMN1032UCP4-7 0.1462
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 ECAD 4164 0.00000000 다이 통합 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 4-XFBGA, DSBGA DMN1032 MOSFET(금속) X1-DSN1010-4(유형B) 다운로드 31-DMN1032UCP4-7 EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 12V 5A(타) 1.8V, 4.5V 28m옴 @ 1A, 10V 1.2V @ 250μA 3.2nC @ 4.5V ±8V 6V에서 325pF - 790mW(타)
DMN2058UW-7 Diodes Incorporated DMN2058UW-7 0.3800
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 ECAD 135 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 DMN2058 MOSFET(금속) SOT-323 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 20V 3.5A(타) 1.8V, 10V 42m옴 @ 3A, 10V 1.2V @ 250μA 7.7nC @ 10V ±12V 10V에서 281pF - 500mW(타)
DDTC144TUA-7 Diodes Incorporated DDTC144TUA-7 -
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 ECAD 7885 0.00000000 다이 통합 DDTC(R1 우위 시리즈) UA 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 DDTC144 200mW SOT-323 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 2.5mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 47kΩ
DMP1055USW-13 Diodes Incorporated DMP1055USW-13 0.0977
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 ECAD 6788 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMP1055 MOSFET(금속) SOT-363 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000 P채널 12V 3.8A(타) 1.5V, 4.5V 48m옴 @ 3A, 4.5V 1V @ 250μA 13nC @ 4.5V ±8V 6V에서 1028pF - 660mW
DMT3006LFG-13 Diodes Incorporated DMT3006LFG-13 0.3042
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 ECAD 5301 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN DMT3006 MOSFET(금속) 파워DI3333-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 16A(Ta), 55.6A(Tc) 4.5V, 10V 6m옴 @ 12A, 10V 3V @ 250μA 22.6nC @ 10V ±20V 15V에서 1320pF - 27.8W(Tc)
MMBZ5259BT-7-F Diodes Incorporated MMBZ5259BT-7-F 0.0736
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 ECAD 2750 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SOT-523 MMBZ5259 150mW SOT-523 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 30V에서 100nA 39V 80옴
BZT52C11-7-G Diodes Incorporated BZT52C11-7-G -
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 ECAD 3512 0.00000000 다이 통합 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 BZT52 - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. BZT52C11-7-GDI EAR99 8541.10.0050 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

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