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불연속 불연속 제품 (13379)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
SD840-B	-	RFQ	7981	다이오드가 다이오드가	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향		Schottky		Do-201ad	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		700 mv @ 8 a		1 ma @ 40 v	-65 ° C ~ 150 ° C	8a	550pf @ 4V, 1MHz
DDTA144WKA-7-F	-	RFQ	5494	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DDTA144		200 MW	SC-59-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							50 v	100 MA	500NA			pnp- 사전-	300MV @ 500µA, 10MA	56 @ 10ma, 5V	250MHz	47 Kohms	22 KOHMS
DMP31D1U-7	0.1900	RFQ	8963	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.21.0095	3,000			p 채널	30 v	620MA (TA)	1.8V, 4.5V	1ohm @ 400ma, 4.5v	1.1V @ 250µA	1.6 NC @ 8 v	± 8V	54 pf @ 15 v	-	460MW (TA)
BAV70T-7-F	0.2900	RFQ	68	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOT-523	bav70	기준		SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												1 음극 음극 공통	85 v	75MA (DC)	1 V @ 50 ma	4 ns	2 µa @ 75 v	-65 ° C ~ 150 ° C
BAT750-7	-	RFQ	2413	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAT750	Schottky		SOT-23-3	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		490 MV @ 750 MA	10 ns	100 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	750ma	175pf @ 0v, 1MHz
DXT651-13	0.5300	RFQ	4	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	DXT651		1 W.	SOT-89-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,500																							60 v	3 a	100NA (ICBO)			NPN	600mv @ 300ma, 3a	100 @ 500ma, 2v	200MHz
DMTH4007SPDQ-13	1.2500	RFQ	7974	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	DMTH4007	MOSFET (금속 (()	2.6W	PowerDI5060-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)			40V	14.2A		8.6mohm @ 17a, 10V	4V @ 250µA	41.9NC @ 10V		2026pf @ 30v	-
MMBZ5230BW-7-F	0.3200	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-70, SOT-323	MMBZ5230		200 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		5 µa @ 2 v							4.7 v	19 옴
ADTA114EUAQ-13	0.0257	RFQ	7799	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-70, SOT-323	ADTA114		330 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	10,000																							50 v	100 MA	-			pnp- 사전-	-	-	250MHz	10 KOHMS	10 KOHMS
MMSZ5242BQ-7-F	0.2100	RFQ	3	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			370 MW	SOD-123	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		1 µa @ 9.1 v							12 v	30 옴
DDTA123TKA-7-F	-	RFQ	1005	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DDTA123		200 MW	SC-59-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							50 v	100 MA	500NA (ICBO)			pnp- 사전-	300MV @ 500µA, 5MA	100 @ 1ma, 5V	250MHz	2.2 Kohms
DMPH4029LFG-13	0.2558	RFQ	5470	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	DMPH4029	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	DMPH4029LFG-13DI	귀 99	8541.29.0095	3,000			p 채널	40 v	8A (TA), 22A (TC)	4.5V, 10V	29mohm @ 3a, 10V	3V @ 250µA	34 NC @ 10 v	± 20V	1626 pf @ 20 v	-	1.2W (TA)
DMP58D0LFB-7	0.4100	RFQ	23	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-ufdfn	DMP58	MOSFET (금속 (()		X1-DFN1006-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			p 채널	50 v	180MA (TA)	2.5V, 5V	8ohm @ 100ma, 5V	2.1V @ 250µA		± 20V	27 pf @ 25 v	-	470MW (TA)
BCX38CSTZ	0.8100	RFQ	6354	다이오드가 다이오드가	-	컷 컷 (CT)	활동적인		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	e-line-3	BCX38		1 W.	e- 라인 (TO-92 호환)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000																							60 v	800 MA	100NA (ICBO)			npn-달링턴	1.25V @ 8ma, 800ma	10000 @ 500ma, 5V	-
SDM05U20S3-7	0.3900	RFQ	9108	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	SDM05	Schottky		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													20 v		390 mV @ 500 mA		160 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	10pf @ 5V, 1MHz
DZ23C47-7	-	RFQ	8253	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23C47		300MW	SOT-23-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000	1 음극 음극 공통																									47 v	100 옴
DMN2056U-7	0.3900	RFQ	111	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMN2056	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			n 채널	20 v	4A (TA)	1.5V, 4.5V	38mohm @ 3.6a, 4.5v	1V @ 250µA	4.3 NC @ 4.5 v	± 8V	339 pf @ 10 v	-	940MW
ZM4764A-13	-	RFQ	5398	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	표면 표면	do-213ab, melf (유리)	ZM4764		1 W.	멜프	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																	1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 76 v							100 v	350 옴
DDZ9708S-7	0.4500	RFQ	4	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	DDZ9708		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		50 NA @ 16.7 v							22 v
DMP22D5UFB4-7R	0.0343	RFQ	8221	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-xfdfn	DMP22	MOSFET (금속 (()		X2-DFN1006-3	다운로드				31-DMP22D5UFB4-7R	귀 99	8541.21.0095	10,000			p 채널	20 v	400MA (TA)	1.5V, 4.5V	1.9ohm @ 100ma, 4.5v	1V @ 250µA	0.3 nc @ 4.5 v	± 8V	17 pf @ 15 v	-	460MW (TA)
1N5267B-t	-	RFQ	5835	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5267		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0050	10,000																	1.1 v @ 200 ma		100 na @ 56 v							75 v	270 옴
MMBT3906LP-7	0.3800	RFQ	103	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-ufdfn	MMBT3906		250 MW	X1-DFN1006-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							40 v	200 MA	50NA (ICBO)			PNP	400mv @ 5ma, 50ma	100 @ 10ma, 1v	300MHz
DDTC114GE-7-F	0.0605	RFQ	1205	다이오드가 다이오드가	DDTC (R2- 전용 시리즈) e	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOT-523	DDTC114		150 MW	SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							50 v	100 MA	500NA (ICBO)			npn-사전-	300MV @ 500µA, 10MA	30 @ 5MA, 5V	250MHz		10 KOHMS
AZ23C13-7-G	-	RFQ	6007	다이오드가 다이오드가	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는					AZ23C13				-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	AZ23C13-7-GDI	귀 99	8541.10.0050	3,000
BZX84C22-7	-	RFQ	1974	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		300MW	SOT-23-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		100 na @ 15.4 v							22 v	55 옴
DMN10H220LE-13	0.5900	RFQ	140	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	DMN10	MOSFET (금속 (()		SOT-223-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널	100 v	2.3A (TA)	4.5V, 10V	220mohm @ 1.6a, 10V	2.5V @ 250µA	8.3 NC @ 10 v	± 20V	401 pf @ 25 v	-	1.8W (TA)
SF10AG-A	-	RFQ	8278	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	1,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		950 MV @ 1 a	35 ns	10 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	75pf @ 4V, 1MHz
SB120-B	-	RFQ	3243	다이오드가 다이오드가	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		Schottky		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													20 v		500 mV @ 1 a		500 µa @ 20 v	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	-
1N5817-B	-	RFQ	2828	다이오드가 다이오드가	-	대부분	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5817	Schottky		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													20 v		750 mV @ 3 a		1 ma @ 20 v	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
DMN33D8LTQ-7	0.4600	RFQ	1020	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-523	DMN33	MOSFET (금속 (()		SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			n 채널	30 v	115MA (TA)	2.5V, 4V	5ohm @ 10ma, 4v	1.5V @ 100µa	0.55 nc @ 10 v	± 20V	48 pf @ 5 v	-	240MW (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (13379)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²