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불연속 불연속 제품 (13379)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
GBPC35005W	-	RFQ	8309	다이오드가 다이오드가	-	쟁반	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, GBPC-W	GBPC35005	기준		GBPC-W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	GBPC35005WDI	귀 99	8541.10.0080	100																	1.1 v @ 17.5 a		5 µa @ 50 v		35 a				단일 단일	50 v
SBR3A45SAF-13	-	RFQ	8142	다이오드가 다이오드가	SBR®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드		슈퍼 슈퍼		smaf	-		1 (무제한)		31-SBR3A45SAF-13TR	귀 99	8541.10.0080	1,000		짐													45 v		530 mV @ 3 a		400 µa @ 45 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
DMT3020LFCL-7	0.1562	RFQ	2224	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-ufdfn 노출 패드	DMT3020	MOSFET (금속 (()		U-DFN1616-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널	30 v	7.6A (TA)	4.5V, 10V	20mohm @ 9a, 10V	3V @ 250µA	7 nc @ 10 v	± 20V	393 pf @ 15 v	-	1.7W (TA)
DMN33D9LV-13A	0.0876	RFQ	1719	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	DMN33	MOSFET (금속 (()	430MW (TA)	SOT-563	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-dmn33d9lv-13atr	귀 99	8541.21.0095	10,000	2 n 채널 (채널)			30V	350MA (TA)		2.4ohm @ 250ma, 10V	1.4V @ 100µa	1.23NC @ 10V		48pf @ 5v	-
ZXMN6A08GQTA	0.3843	RFQ	2250	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	ZXMN6	MOSFET (금속 (()		SOT-223-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널	60 v	3.8A (TA)	4.5V, 10V	80mohm @ 4.8a, 10V	1V @ 250µA	5.8 nc @ 10 v	± 20V	459 pf @ 40 v	-	2W (TA)
2W04G	-	RFQ	9949	다이오드가 다이오드가	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4 원, wog	2w04	기준		wog	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	2W04GDI	귀 99	8541.10.0080	1,000																	1.1 v @ 2 a		5 µa @ 400 v		2 a				단일 단일	400 v
BAV16WS-13-F	-	RFQ	7492	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SC-76, SOD-323	BAV16	기준		SOD-323	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	BAV16WS-13-FDI	귀 99	8541.10.0070	10,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													75 v		1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µa @ 75 v	-65 ° C ~ 150 ° C	150ma	2pf @ 0V, 1MHz
ZMM5239B-7	-	RFQ	7369	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	ZMM5239		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0050	2,500																	1.5 v @ 200 ma		3 µa @ 7 v									9.1 v	10 옴
DMT6017LDV-7	0.3392	RFQ	5453	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	DMT6017	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8 (유형 UXC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMT6017LDV-7DI	귀 99	8541.29.0095	2,000	2 n 채널 (채널)				25.3 (TC)		22mohm @ 6a, 10V	2.3V @ 250µA				-
SB560-A	0.5300	RFQ	1	다이오드가 다이오드가	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SB560	Schottky		Do-201ad	-			영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	1,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													60 v		670 mV @ 5 a		500 µa @ 60 v	-65 ° C ~ 150 ° C	5a	-
G20H100CTFW	0.7500	RFQ	7093	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭		Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-G20H100CTFW	귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	100 v	20A	770 MV @ 10 a		4 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C
MMSZ5226B-7	-	RFQ	7819	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	MMSZ5226B		500MW	SOD-123	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		25 µa @ 1 v									3.3 v	28 옴
BSS138-7-F-52	0.0377	RFQ	2817	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BSS138	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드		1 (무제한)		31-BSS138-7-F-52	귀 99	8541.21.0095	3,000			n 채널	50 v	200MA (TA)	10V	3.5ohm @ 220ma, 10V	1.5V @ 250µA		± 20V	50 pf @ 10 v	-	300MW (TA)
ZXM62P03E6TC	-	RFQ	9910	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6		MOSFET (금속 (()		SOT-26	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	ZXM62P03E6TCDI	귀 99	8541.21.0095	10,000			p 채널	30 v	1.5A (TA)	4.5V, 10V	230mohm @ 800ma, 4.5v	1V @ 250µA	10.2 NC @ 10 v	± 20V	330 pf @ 25 v	-	625MW (TA)
ZXM64N035GTA	-	RFQ	3717	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA		MOSFET (금속 (()		SOT-223-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널	35 v	4.8A (TA), 6.7A (TC)	4.5V, 10V	50mohm @ 3.7a, 10V	1V @ 250µA	27 NC @ 10 v	± 20V	950 pf @ 25 v	-	2W (TA)
smaz18-13	-	RFQ	1347	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	smaz18		1 W.	SMA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																	1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 13.7 v									18 v	15 옴
zxmn2b01fta	0.4600	RFQ	69	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ZXMN2	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			n 채널	20 v	2.1A (TA)	1.8V, 4.5V	100mohm @ 2.4a, 4.5v	1V @ 250µA	4.8 NC @ 4.5 v	± 8V	370 pf @ 10 v	-	625MW (TA)
LZ52C18W	-	RFQ	4599	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	1206 (3216 메트릭)	LZ52C		500MW	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	5,000																	1.5 v @ 200 ma		100 na @ 13 v									18 v	50 옴
BC817-25-7-F-52	0.0345	RFQ	9616	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BC817		310 MW	SOT-323	다운로드				31-BC817-25-7-F-52	귀 99	8541.21.0075	3,000																							45 v	500 MA			100NA			NPN	700mv @ 50ma, 500ma	160 @ 100MA, 1V	100MHz
BAW101V-7	0.0907	RFQ	8557	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로			표면 표면	SOT-563, SOT-666	baw101	기준		SOT-563	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												2 독립	325 v	250MA (DC)	1.1 v @ 100 ma	50 ns	150 NA @ 250 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MMBZ5228BTS-7-F	0.1300	RFQ	6067	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MMBZ5228		200 MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000	3 독립																900 mV @ 10 ma		10 µa @ 1 v									3.9 v	23 옴
QZX363C6V8-7-F	-	RFQ	9595	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	QZX363		200 MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000	2 양극 양극 공통																900 mV @ 10 ma		2 µa @ 4 v									6.8 v	15 옴
SBR2M60S1F-7	0.4000	RFQ	23	다이오드가 다이오드가	SBR®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	SBR2M60	슈퍼 슈퍼		SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐													60 v		700 mv @ 2 a		800 na @ 60 v	-65 ° C ~ 175 ° C	2A	-
AZ23C47-7-G	-	RFQ	7399	다이오드가 다이오드가	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는					AZ23C47				-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	AZ23C47-7-GDI	귀 99	8541.10.0050	3,000
DMC25D1UVT-7	0.3900	RFQ	3	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	DMC25	MOSFET (금속 (()	1.3W	TSOT-26	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널			25V, 12V	500ma, 3.9a		4ohm @ 400ma, 4.5v	1.5V @ 250µA	0.9NC @ 10V		27.6pf @ 10V	-
DMN1004UFV-7	0.5600	RFQ	5	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	DMN1004	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8 (유형 UX)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000			n 채널	12 v	70A (TC)	2.5V, 4.5V	3.8mohm @ 15a, 4.5v	1V @ 250µA	47 NC @ 8 v	± 8V	2385 pf @ 6 v	-	1.9W (TA)
DXTN58100CFDB-7-50	0.0918	RFQ	3917	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-udfn n 패드	DXTN58100		690 MW	u-dfn2020-3 (유형 b)	다운로드				31-DXTN58100CFDB-7-50	귀 99	8541.21.0075	3,000																							100 v	4 a			100NA			NPN	260mv @ 400ma, 4a	180 @ 500ma, 2V	150MHz
2N7002T-7-F-52	0.0584	RFQ	3735	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-523	2N7002	MOSFET (금속 (()		SOT-523	다운로드				31-2N7002T-7-F-52	귀 99	8541.21.0095	3,000			n 채널	60 v	115MA (TA)	5V, 10V	7.5ohm @ 50ma, 5V	2V @ 250µA		± 20V	50 pf @ 25 v	-	150MW (TA)
DMT6005LSSSS-13	1.5600	RFQ	7	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMT6005	MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널	60 v	13.5A (TA)	4.5V, 10V	6MOHM @ 20A, 10V	3V @ 250µA	47.1 NC @ 10 v	± 20V	2962 pf @ 30 v	-	1.3W (TA)
BC847BW-7-F	0.2000	RFQ	699	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BC847		200 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							45 v	100 MA			20NA (ICBO)			NPN	600mv @ 5ma, 100ma	200 @ 2mA, 5V	300MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (13379)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²