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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
DMG1016UDWQ-7 Diodes Incorporated dmg1016udwq-7 0.0824
RFQ
 ECAD 3939 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMG1016 MOSFET (금속 (() 330MW (TA) SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-dmg1016udwq-7tr 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 보완 p 채널 및 20V 1.066A (TA), 845MA (TA) 450mohm @ 600ma, 4.5v, 750mohm @ 430ma, 4.5v 1V @ 250µA 736.6nc @ 4.5v, 0.62nc @ 4.5v 60.67pf @ 10v, 59.76pf @ 16v -
PR3003G-T Diodes Incorporated PR3003G-T -
RFQ
 ECAD 8765 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 1,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 3 a 150 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1MHz
BZX84C4V7W-7-F Diodes Incorporated BZX84C4V7W-7-F 0.3400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 2 v 4.7 v 80 옴
SK36-7-F Diodes Incorporated SK36-7-F -
RFQ
 ECAD 4887 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AB, SMC SK36 Schottky SMC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mV @ 3 a 500 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 300pf @ 4V, 1MHz
DMT3009UFVW-13 Diodes Incorporated DMT3009UFVW-13 0.1719
RFQ
 ECAD 8266 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn DMT3009 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-DMT3009UFVW-13TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 10.6A (TA), 30A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 11a, 10V 1.8V @ 250µA 7.4 NC @ 10 v ± 12V 894 pf @ 15 v - 1.2W (TA), 2.6W (TC)
MMBT3904T-7-F-79 Diodes Incorporated MMBT3904T-7-F-79 -
RFQ
 ECAD 4506 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 MMBT3904 - rohs 준수 1 (무제한) 31-MMBT3904T-7-F-79TR 쓸모없는 3,000
DMG4N65CTI Diodes Incorporated dmg4n65cti -
RFQ
 ECAD 4789 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 DMG4 MOSFET (금속 (() ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 4A (TC) 10V 3ohm @ 2a, 10V 5V @ 250µA 13.5 nc @ 10 v ± 30V 900 pf @ 25 v - 8.35W (TA)
MMDT2907AQ-7-F Diodes Incorporated MMDT2907AQ-7-F 0.4500
RFQ
 ECAD 4084 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT2907 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60V 600ma 10NA (ICBO) 2 PNP (() 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
FZT560QTA Diodes Incorporated FZT560QTA 0.3851
RFQ
 ECAD 7935 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 2 w SOT-223 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-FZT560QTART 귀 99 8541.29.0075 1,000 500 v 150 MA 100NA PNP 500mv @ 10ma, 50ma 100 @ 1ma, 10V 60MHz
1N5402-T Diodes Incorporated 1N5402-T -
RFQ
 ECAD 5332 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 1N5402 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 1,200 짐 200 v 1 V @ 3 a 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1MHz
MMBZ5259B-7-G Diodes Incorporated MMBZ5259B-7-G -
RFQ
 ECAD 2935 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MMBZ5259B-7-GDI 귀 99 8541.10.0050 3,000
DMN2055U-7 Diodes Incorporated DMN2055U-7 0.0812
RFQ
 ECAD 2185 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2055 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 4.8A (TA) 2.5V, 4.5V 38mohm @ 3.6a, 4.5v 1V @ 250µA 4.3 NC @ 4.5 v ± 8V 400 pf @ 10 v - 800MW (TA)
DMN2005UPS-13 Diodes Incorporated DMN2005UPS-13 0.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMN2005 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 20A (TA), 100A (TC) 2.5V, 4.5V 4.6mohm @ 13.5a, 4.5v 1.2V @ 250µA 142 NC @ 10 v ± 12V 5337 pf @ 10 v - 1.5W (TA)
B0530WS-7-F-79 Diodes Incorporated B0530WS-7-F-79 -
RFQ
 ECAD 5842 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-76, SOD-323 B0530 Schottky SOD-323 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-B0530WS-7-F-79TR 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 450 mV @ 500 mA 500 µa @ 30 v -40 ° C ~ 125 ° C 500ma 58pf @ 0V, 1MHz
DSR15V600-G Diodes Incorporated DSR15V600-G -
RFQ
 ECAD 3050 0.00000000 다이오드가 다이오드가 Diodestar ™ 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 기준 TO-220AC 다운로드 1 (무제한) 31-DSR15V600-G 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 3.2 v @ 15 a 30 ns 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a 80pf @ 4V, 1MHz
DMN90H8D5HCT Diodes Incorporated DMN90H8D5HCT 1.1200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 DMN90 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 2.5A (TC) 10V 7ohm @ 1a, 10V 5V @ 250µA 7.9 NC @ 10 v ± 30V 470 pf @ 25 v - 125W (TC)
DMP2110UVTQ-13 Diodes Incorporated DMP2110UVTQ-13 0.1292
RFQ
 ECAD 2066 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMP2110 MOSFET (금속 (() 740MW (TA) TSOT-26 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-dmp2110uvtq-13tr 귀 99 8541.29.0095 10,000 2 p 채널 (채널) 20V 1.8A (TA) 150mohm @ 2.8a, 4.5v 1V @ 250µA 6NC @ 4.5V 443pf @ 6v -
DFLS120LQ-7 Diodes Incorporated DFLS120LQ-7 0.5500
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI®123 DFLS120 Schottky PowerDI ™ 123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 360 MV @ 1 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A 75pf @ 10V, 1MHz
SDMP0340LCT-7 Diodes Incorporated SDMP0340LCT-7 0.3100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 활동적인 SDMG0340 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1034-SDMP0340LCT-7DKR 귀 99 8541.10.0070 3,000
DMP6185SE-13 Diodes Incorporated DMP6185SE-13 0.4900
RFQ
 ECAD 1902 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA DMP6185 MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 3A (TA) 4.5V, 10V 150mohm @ 2.2a, 10V 3V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 708 pf @ 30 v - 1.2W (TA)
DDZX13BQ-7 Diodes Incorporated DDZX13BQ-7 -
RFQ
 ECAD 1923 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2.54% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDZX13 300MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-DDZX13BQ-7TR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 10 v 13 v 14 옴
DMN2600UFB-7 Diodes Incorporated DMN2600UFB-7 0.3600
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn DMN2600 MOSFET (금속 (() X1-DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 25 v 1.3A (TA) 1.8V, 4.5V 350mohm @ 200ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.85 nc @ 4.5 v ± 8V 70.13 pf @ 15 v - 540MW (TA)
BZX84B33-7-F Diodes Incorporated BZX84B33-7-F 0.1900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 23.1 v 33 v 80 옴
DMP2225LQ-7 Diodes Incorporated DMP2225LQ-7 0.1173
RFQ
 ECAD 1493 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2225 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMP2225LQ-7TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.6A (TA) 2.5V, 4.5V 110mohm @ 2.6a, 4.5v 1.25V @ 250µA 5.3 NC @ 4.5 v ± 12V 250 pf @ 10 v - 1.08W
STPR2040CTW Diodes Incorporated STPR2040CTW 0.8800
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STPR20 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-SPR2040CTW 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 20A 1.5 V @ 20 a 35 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C
STPR820D Diodes Incorporated STPR820D 0.5900
RFQ
 ECAD 9149 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-spr820d 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 5a (io) 200 v 1.1 v @ 8 a 30 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 60pf @ 4V, 1MHz
DDZ26Q-7 Diodes Incorporated DDZ26Q-7 -
RFQ
 ECAD 8414 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 DDZ26 310 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 21 v 25.62 v 45 옴
ZXMP10A17GQTA Diodes Incorporated ZXMP10A17GQTA 1.0400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA ZXMP10 MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 100 v 2.4A (TA) 6V, 10V 350mohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250µA 10.7 NC @ 10 v ± 20V 424 pf @ 50 v - 2W (TA)
BAT750-7-F-2477 Diodes Incorporated BAT750-7-F-2477 -
RFQ
 ECAD 10000 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 마지막으로 마지막으로 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Schottky SOT-23-3 - 31-BAT750-7-F-2477 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 490 MV @ 750 MA 10 ns 100 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 750ma 175pf @ 0v, 1MHz
SDM40E20LS-7-F-79 Diodes Incorporated SDM40E20LS-7-F-79 -
RFQ
 ECAD 2069 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SDM40 Schottky SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-SDM40E20LS-7-F-79TR 쓸모없는 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 20 v 400MA (DC) 310 mV @ 100 ma 250 µa @ 20 v -65 ° C ~ 125 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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