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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) Current -Off State (Max) scr 유형 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
DMN2053UVT-13 Diodes Incorporated DMN2053UVT-13 0.0889
RFQ
 ECAD 9135 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMN2053 MOSFET (금속 (() 700MW (TA) TSOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 20V 4.6A (TA) 35mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 3.6NC @ 4.5V 369pf @ 10V -
BAS20DW-7 Diodes Incorporated BAS20DW-7 0.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BAS20 기준 SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 독립 150 v 200ma 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 150 v -65 ° C ~ 150 ° C
1N4448WSFQ-7 Diodes Incorporated 1N4448WSFQ-7 0.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F 1N4448 기준 SOD-323F - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 75 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 2.5 µa @ 75 v -65 ° C ~ 150 ° C 250ma 4pf @ 0V, 1MHz
SD103ASDM-7-F Diodes Incorporated SD103ASDM-7-F 0.4200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-23-6 SD103 Schottky SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 연결 연결 시리즈 40 v 350MA (DC) 600 mv @ 200 ma 10 ns 5 µa @ 30 v -65 ° C ~ 125 ° C
FZT717TC Diodes Incorporated FZT717TC -
RFQ
 ECAD 6770 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT717 2 w SOT-223-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 4,000 12 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 320MV @ 50MA, 3A 300 @ 100MA, 2V 110MHz
1N4005G-T Diodes Incorporated 1N4005G-T 0.3000
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4005 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 600 v 1 V @ 1 a 2 µs 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
ZTX453STOA Diodes Incorporated ZTX453STOA -
RFQ
 ECAD 1885 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX453 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 100 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 15ma, 150ma 40 @ 150ma, 10V 150MHz
BAT54CDW-13-F Diodes Incorporated BAT54CDW-13-F -
RFQ
 ECAD 8076 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bat54 Schottky SOT-363 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 음극 음극 공통 30 v 200MA (DC) 1 v @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v -65 ° C ~ 125 ° C
AZ23C6V8-7 Diodes Incorporated AZ23C6V8-7 -
RFQ
 ECAD 6807 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C6V8 300MW SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 6.8 v 8 옴
MMDT5551-7-F Diodes Incorporated MMDT5551-7-F 0.4300
RFQ
 ECAD 140 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT5551 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 160V 200ma 50NA (ICBO) 2 NPN (() 200mv @ 5ma, 50ma 80 @ 10ma, 5V 300MHz
DMN3404L-7 Diodes Incorporated DMN3404L-7 0.4000
RFQ
 ECAD 262 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3404 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 5.8A (TA) 3V, 10V 28mohm @ 5.8a, 10V 2V @ 250µA 9.2 NC @ 10 v ± 20V 386 pf @ 15 v - 720MW (TA)
RS1BB-13-G Diodes Incorporated RS1BB-13-G -
RFQ
 ECAD 8104 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 RS1BB-13-GDI 귀 99 8541.10.0080 3,000
ZDT6758TA Diodes Incorporated ZDT6758TA -
RFQ
 ECAD 7691 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-223-8 ZDT6758 2.75W sm8 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 400V 500ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 500mv @ 10ma, 100ma 40 @ 200ma, 10V 50MHz
ZHCS500TA Diodes Incorporated ZHCS500TA 0.4900
RFQ
 ECAD 204 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZHCS500 Schottky SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550MV @ 500 MA 10 ns 40 µa @ 30 v 125 ° C (°) 500ma 20pf @ 25V, 1MHz
PDS760-13 Diodes Incorporated PDS760-13 0.9000
RFQ
 ECAD 344 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI ™ 5 PDS760 Schottky PowerDI ™ 5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 620 MV @ 7 a 200 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C 7a -
PDS1240CTL-13 Diodes Incorporated PDS1240CTL-13 0.8600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI ™ 5 PDS1240 Schottky PowerDI ™ 5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 6A 520 MV @ 6 a 350 µa @ 40 v -65 ° C ~ 150 ° C
ZDT1048TA Diodes Incorporated ZDT1048TA 1.5400
RFQ
 ECAD 658 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-223-8 ZDT1048 2.75W sm8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 17.5V 5a 10NA 2 NPN (() 300mv @ 50ma, 5a 300 @ 500ma, 2V 150MHz
ZTX712STOA Diodes Incorporated ZTX712STOA -
RFQ
 ECAD 4588 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX712 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 60 v 800 MA 100NA (ICBO) pnp- 달링턴 1.25V @ 8ma, 800ma 10000 @ 500ma, 5V -
DMNH6021SPDW-13 Diodes Incorporated DMNH6021SPDW-13 0.5845
RFQ
 ECAD 7716 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn DMNH6021 MOSFET (금속 (() 1.5W (TA) PowerDi5060-8 (유형 r) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMNH6021SPDW-13DI 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 8.2A (TA), 32A (TC) 25mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 20.1NC @ 10V 1143pf @ 25v -
ZDT649TC Diodes Incorporated ZDT649TC -
RFQ
 ECAD 6720 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-223-8 ZDT649 2.75W sm8 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 4,000 25V 2A 100NA (ICBO) 2 NPN (() 500mv @ 200ma, 2a 100 @ 1a, 2v 240MHz
DDTA123ECA-7 Diodes Incorporated DDTA123ECA-7 0.1000
RFQ
 ECAD 252 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 활동적인 DDTA123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1034-DDTA123ECA-7DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000
DMN4035LQ-13 Diodes Incorporated DMN4035LQ-13 0.4000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN4035 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 40 v 4.6A (TA) 4.5V, 10V 42MOHM @ 4.3A, 10V 3V @ 250µA 12.5 nc @ 10 v ± 20V 574 pf @ 20 v - 720MW
ZXM64P035GTA Diodes Incorporated ZXM64P035GTA -
RFQ
 ECAD 6576 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 35 v 3.8A (TA), 5.3A (TC) 4.5V, 10V 75mohm @ 2.4a, 10V 1V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 20V 825 pf @ 25 v - 2W (TA)
FZT705TA Diodes Incorporated FZT705TA 0.8300
RFQ
 ECAD 6909 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT705 2 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 120 v 2 a 10µA pnp- 달링턴 2.5V @ 2MA, 2A 3000 @ 1a, 5V 160MHz
BZX84C36W-7-F Diodes Incorporated BZX84C36W-7-F 0.0630
RFQ
 ECAD 4877 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 25.2 v 36 v 90 옴
S8M02600B Diodes Incorporated S8M02600B 0.6200
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 S8M02600 TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-S8M02600B 귀 99 8541.30.0080 50 6 MA 600 v 8 a 1 v 80A @ 60Hz 200 µA 1.8 v 10 µA 민감한 민감한
ZVP2110GTC Diodes Incorporated ZVP2110GTC -
RFQ
 ECAD 6065 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 100 v 310MA (TA) 10V 8ohm @ 375ma, 10V 3.5V @ 1mA ± 20V 100 pf @ 25 v - 2W (TA)
DL4933-13-F Diodes Incorporated DL4933-13-F -
RFQ
 ECAD 2404 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 do-213ab, melf (유리) DL4933 기준 멜프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
MMBT5551-7-F Diodes Incorporated MMBT5551-7-F 0.2000
RFQ
 ECAD 321 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT5551 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 160 v 600 MA 500NA (ICBO) NPN 200mv @ 5ma, 50ma 80 @ 10ma, 5V 300MHz
SBR8B60P5-13D Diodes Incorporated SBR8B60P5-13D -
RFQ
 ECAD 1646 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 PowerDI ™ 5 SBR8B60 슈퍼 슈퍼 PowerDI ™ 5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 60 v 600 mV @ 8 a 220 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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