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불연속 불연속 제품 (13379)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
DMN3071LFR4-7R	0.0810	RFQ	6170	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-xfdfn	DMN3071	MOSFET (금속 (()		X2-DFN1010-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMN3071LFR4-7RDI	귀 99	8541.21.0095	3,000			n 채널	30 v	3.4A (TA)	4.5V, 10V	65mohm @ 3.2a, 10V	2.5V @ 250µA	4.5 nc @ 10 v	± 20V	190 pf @ 15 v	-	500MW
DMG1029SVQ-7	0.4900	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	DMG1029	MOSFET (금속 (()	450MW (TA)	SOT-563	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	n 보완 p 채널 및			60V	500MA (TA), 360MA (TA)		1.7ohm @ 500ma, 10v, 4ohm @ 500ma, 10v	2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA	0.3nc @ 4.5v, 0.28nc @ 4.5v		30pf @ 25v, 25pf @ 25v	-
MBRD1040-T	-	RFQ	1874	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	MBRD1040	Schottky		TO-252, (D-PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	2,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		510 mV @ 10 a		300 µa @ 35 v	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	-
FMMT593TA	0.4400	RFQ	4	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	FMMT593		500MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000																							100 v	1 a	100NA			PNP	300mv @ 50ma, 500ma	100 @ 500ma, 5V	50MHz
2DA1774Q-7	-	RFQ	5637	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-523	2DA1774		150 MW	SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							50 v	150 MA	100NA (ICBO)			PNP	500mv @ 5ma, 50ma	120 @ 1ma, 6V	140MHz
DCX142JU-7-F	-	RFQ	3327	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DCX142		200MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							50V	100ma	-			1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중)	300MV @ 250µA, 5MA	56 @ 10ma, 5V	200MHz	470ohms	10kohms
FMMT593TC	0.4600	RFQ	228	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	FMMT593		500MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000																							100 v	1 a	100NA			PNP	300mv @ 50ma, 500ma	100 @ 500ma, 5V	50MHz
1N5266B-t	-	RFQ	5482	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5266		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0050	10,000																	1.1 v @ 200 ma		100 na @ 52 v							68 v	230 옴
BAS16TA	-	RFQ	2729	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAS16	기준		SOT-23-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													75 v		1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µa @ 75 v	-65 ° C ~ 150 ° C	200ma	2pf @ 0V, 1MHz
ZXTP01500BGQTA	0.2338	RFQ	5175	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	ZXTP01500		3 w	SOT-223-3	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1,000																							500 v	150 MA	100NA			PNP	500mv @ 10ma, 50ma	100 @ 1ma, 10V	60MHz
DMP2100UFU-13	0.1512	RFQ	3611	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드	DMP2100	MOSFET (금속 (()	900MW	u-dfn2030-6 (유형 b)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMP2100UFU-13DI	귀 99	8541.21.0095	10,000	2 p 채널 (채널)			20V	5.7a		38mohm @ 3.5a, 10V	1.4V @ 250µA	21.4NC @ 10V		906pf @ 10V	-
SDT20120VCT	-	RFQ	1060	다이오드가 다이오드가	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	SDT20120	Schottky		TO-220AB	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	120 v	10A	860 mV @ 10 a		120 µa @ 120 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SD101AW-13	-	RFQ	3565	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	SOD-123	SD101A	Schottky		SOD-123	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													60 v		1 V @ 15 ma	1 ns	200 na @ 50 v	-65 ° C ~ 125 ° C	15MA	2pf @ 0V, 1MHz
B240T-01DL-F	-	RFQ	9423	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AA, SMB	B240	Schottky		SMB	-		1 (무제한)	영향을받습니다	31-B240T-01DL-FTR	귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		500 mV @ 2 a		500 µa @ 40 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	200pf @ 40V, 1MHz
PD3S140Q-7	0.0925	RFQ	2091	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	PowerDI ™ 323	PD3S140	Schottky		PowerDI ™ 323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-PD3S140Q-7TR	귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		550 mV @ 1 a		50 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	32pf @ 10V, 1MHz
B340AXF-13	0.4500	RFQ	4323	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	B340	Schottky		smaf	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		500 mV @ 3 a		200 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
SBL830	-	RFQ	9606	다이오드가 다이오드가	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-2		Schottky		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													30 v		550 mV @ 8 a		500 µa @ 30 v	-65 ° C ~ 150 ° C	8a	-
B250-13	-	RFQ	2081	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	B250	Schottky		SMB	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		700 mv @ 2 a		500 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	200pf @ 4V, 1MHz
B350CE-13	-	RFQ	4674	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AB, SMC	B350	Schottky		SMC	다운로드	Rohs3 준수		영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		650 MV @ 3 a		100 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	110pf @ 4V, 1MHz
ZVN4206A	0.7600	RFQ	2134	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	ZVN4206	MOSFET (금속 (()		To-92	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	4,000			n 채널	60 v	600MA (TA)	5V, 10V	1ohm @ 1.5a, 10V	3V @ 1mA		± 20V	100 pf @ 25 v	-	700MW (TA)
BZX84B8V2-7-F	0.1900	RFQ	3	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		700 na @ 5 v							8.2 v	15 옴
DDTB122LC-7-F	-	RFQ	4839	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DDTB122		200 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							50 v	500 MA	500NA			pnp- 사전-	300mv @ 2.5ma, 50ma	56 @ 50MA, 5V	200MHz	220 옴	10 KOHMS
DDTA113TE-7-F	0.0483	RFQ	6451	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOT-523	DDTA113		150 MW	SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							50 v	100 MA	500NA (ICBO)			pnp- 사전-	300mv @ 1ma, 10ma	100 @ 1ma, 5V	250MHz	1 KOHMS
ZTX550STZ	0.6000	RFQ	9222	다이오드가 다이오드가	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	e-line-3,-된 리드	ZTX550		1 W.	e- 라인 (TO-92 호환)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,000																							45 v	1 a	100NA (ICBO)			PNP	250mv @ 15ma, 150ma	100 @ 150ma, 10V	150MHz
ZXTPS717MCTA	-	RFQ	9542	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-wdfn n 패드	ZXTPS717		3 w	DFN3020B-8	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	3,000																							12 v	4.4 a	100NA			pnp + 다이오드 (분리)	310mv @ 150ma, 4a	300 @ 100MA, 2V	100MHz
ZTX601BSTZ	0.3682	RFQ	8898	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & t (TB)	활동적인		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	e-line-3,-된 리드	ZTX601		1 W.	e- 라인 (TO-92 호환)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,000																							160 v	1 a	10µA			npn-달링턴	1.2v @ 10ma, 1a	10000 @ 500ma, 10V	250MHz
DMP6110SSSQ-13	0.5700	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMP6110	MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			p 채널	60 v	3.3A (TA), 7.8A (TC)	4.5V, 10V	110mohm @ 4.5a, 10V	3V @ 250µA	19.4 NC @ 10 v	± 20V	1030 pf @ 30 v	-	1.5W (TA)
BAT54CW-7-G	-	RFQ	1435	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SC-70, SOT-323	Bat54	Schottky		SOT-323	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-BAT54CW-7-GTR	쓸모없는		3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												1 음극 음극 공통	30 v	200MA (DC)	1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	-65 ° C ~ 125 ° C
ZXMN3A14FQTA	0.7400	RFQ	3	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ZXMN3	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널	30 v	3.9A (TA)	4.5V, 10V	65mohm @ 3.2a, 10V	2.2V @ 250µA	8.6 NC @ 10 v	± 20V	448 pf @ 15 v	-	1.5W (TA)
SD101CWS-13-F	-	RFQ	8335	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SC-76, SOD-323		Schottky		SOD-323	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		900 mv @ 15 ma	1 ns	200 na @ 30 v	-65 ° C ~ 125 ° C	15MA	2.2pf @ 0v, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (13379)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²