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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DMP1009UFDF-13 Diodes Incorporated DMP1009UFDF-13 0.1416
RFQ
 ECAD 1535 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMP1009 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 12 v 15A (TA) 1.8V, 4.5V 11mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 44 NC @ 8 v ± 8V 1860 pf @ 10 v - 2W (TA)
SF10DG-T Diodes Incorporated sf10dg-t -
RFQ
 ECAD 8515 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 sf10dg 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 1 a 35 ns 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 75pf @ 4V, 1MHz
DDZX5V1B-13 Diodes Incorporated DDZX5V1B-13 -
RFQ
 ECAD 4076 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDZX5 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DDZX5V1B-13DI 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1.5 v 5.1 v 17 옴
DMT47M2LDV-7 Diodes Incorporated DMT47M2LDV-7 0.3704
RFQ
 ECAD 7783 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT47 MOSFET (금속 (() 2.34W (TA), 14.8W (TC) PowerDI3333-8 (유형 UXC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMT47M2LDV-7DI 귀 99 8541.29.0095 2,000 2 n 채널 (채널) 40V 11.9A (TA), 30.2A (TC) 10.8mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 250µA 14NC @ 10V 891pf @ 20V -
ADTC114EUAQ-7 Diodes Incorporated ADTC114EUAQ-7 0.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 ADTC114 330 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA - npn-사전- - 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
BAS70DW-05Q-7-F Diodes Incorporated BAS70DW-05Q-7-F 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BAS70 Schottky SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 음극 음극 공통 70 v 70MA (DC) 1 V @ 15 ma 5 ns 100 na @ 50 v -55 ° C ~ 125 ° C
BAS16WQ-7-F Diodes Incorporated BAS16WQ-7-F 0.0400
RFQ
 ECAD 3526 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 BAS16 기준 SOT-323 - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 1 µa @ 75 v -65 ° C ~ 150 ° C 150ma 2pf @ 0V, 1MHz
SBR8B60P5-13 Diodes Incorporated SBR8B60P5-13 -
RFQ
 ECAD 2757 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 PowerDI ™ 5 SBR8B60 슈퍼 슈퍼 PowerDI ™ 5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 60 v 600 mV @ 8 a 220 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
MMBZ5242B-7 Diodes Incorporated MMBZ5242B-7 -
RFQ
 ECAD 3819 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5242B 350 MW SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 9.1 v 12 v 30 옴
BZX84B39Q-7-F Diodes Incorporated BZX84B39Q-7-F 0.0382
RFQ
 ECAD 2606 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-BZX84B39Q-7-FTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 27.3 v 39 v 130 옴
BZX84C30-7-F-31 Diodes Incorporated BZX84C30-7-F-31 -
RFQ
 ECAD 2690 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6.67% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-BZX84C30-7-F-31TR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 21 v 30 v 80 옴
MBRF10150CT Diodes Incorporated MBRF10150CT -
RFQ
 ECAD 4702 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF1015 Schottky ITO-220AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 MBRF10150CTDI 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 5a 890 mV @ 5 a 50 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
DMC2710UDWQ-13 Diodes Incorporated DMC2710UDWQ-13 0.0565
RFQ
 ECAD 5781 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMC2710 MOSFET (금속 (() 290MW (TA) SOT-363 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-dmc2710udwq-13tr 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 보완 p 채널 및 20V 750ma (TA), 600ma (TA) 450mohm @ 600ma, 4.5v, 750mohm @ 430ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.6nc @ 4.5v, 0.7nc @ 4.5v 42pf @ 16v, 49pf @ 16v -
UF1003-T Diodes Incorporated UF1003-T 0.4400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF1003 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
DDZ2V4ASF-7 Diodes Incorporated DDZ2V4ASF-7 0.0286
RFQ
 ECAD 7224 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 4% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F DDZ2V4 500MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 120 µa @ 1 v 2.43 v 100 옴
FZT753QTA Diodes Incorporated FZT753QTA 0.7600
RFQ
 ECAD 7237 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1.2 w SOT-223-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 100 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200ma, 2a 100 @ 500ma, 2v 140MHz
APD240VGTR-G1 Diodes Incorporated APD240VGTR-G1 -
RFQ
 ECAD 9266 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 APD240 Schottky DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 2 a 500 µa @ 40 v -65 ° C ~ 125 ° C 2A -
DMTH10H032SPSWQ-13 Diodes Incorporated DMTH10H032SPSWQ-13 0.2756
RFQ
 ECAD 4665 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn DMTH10 MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (유형 ux) 다운로드 31-DMTH10H032SPSWQ-13 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 25A (TC) 10V 32mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 20V 544 pf @ 50 v - 3.2W (TA), 38W (TC)
RS2A-13 Diodes Incorporated RS2A-13 -
RFQ
 ECAD 1881 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB RS2A 기준 SMB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 V @ 1.5 a 150 ns 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.5A 30pf @ 4V, 1MHz
SDT40A120CT Diodes Incorporated SDT40A120CT 1.2500
RFQ
 ECAD 3346 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SDT40 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 20A 880 mV @ 20 a 120 µa @ 120 v -55 ° C ~ 150 ° C
DMP3015LSSQ-13 Diodes Incorporated DMP3015LSSQ-13 1.0600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMP3015 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 13A (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 13a, 10V 2V @ 250µA 60.4 NC @ 10 v ± 20V 2748 pf @ 20 v - 2.5W (TA)
DMN5L06DMKQ-7 Diodes Incorporated DMN5L06DMKQ-7 0.1808
RFQ
 ECAD 7100 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 DMN5L06 MOSFET (금속 (() 400MW SOT-26 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 50V 305MA 2ohm @ 50ma, 5V 1V @ 250µA - 50pf @ 25V -
ES1JWF-7 Diodes Incorporated ES1JWF-7 -
RFQ
 ECAD 3803 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000
SBR1040CTB Diodes Incorporated SBR1040CTB 0.6510
RFQ
 ECAD 8182 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SBR1040 슈퍼 슈퍼 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 SBR1040CTBDI 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 5a 600 mV @ 5 a 500 µa @ 40 v -65 ° C ~ 175 ° C
MBR10100CDTR-G1 Diodes Incorporated MBR10100CDTR-G1 -
RFQ
 ECAD 1928 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MBR1010 Schottky TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 5a 850 mV @ 5 a 100 @ 100 v 150 ° C (°)
MBR4050PT Diodes Incorporated MBR4050PT -
RFQ
 ECAD 9743 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MBR4050 Schottky to-3p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 MBR4050PTDI 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 40a 800 mV @ 20 a 1 ma @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C
S3MB-13-F Diodes Incorporated S3MB-13-F 0.4900
RFQ
 ECAD 315 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S3M 기준 SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 1000 v 1.15 V @ 3 a 10 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1MHz
DDZ9704-7 Diodes Incorporated DDZ9704-7 0.3300
RFQ
 ECAD 59 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 DDZ9704 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 12.9 v 17 v
BAS16W-7-F Diodes Incorporated BAS16W-7-F 0.1900
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 BAS16 기준 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 1 µa @ 75 v -65 ° C ~ 150 ° C 150ma 2pf @ 0V, 1MHz
ES2AA-13-F Diodes Incorporated ES2AA-13-F 0.4900
RFQ
 ECAD 339 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA ES2A 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 920 MV @ 2 a 25 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 25pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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