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불연속 불연속 제품 (13379)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
DXTP560BP5-13	0.7500	RFQ	24	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerDI ™ 5	DXTP560		2.8 w	PowerDI ™ 5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	5,000																							500 v	150 MA	100NA			PNP	500mv @ 10ma, 50ma	80 @ 50MA, 10V	60MHz
DMN52D0UQ-13	0.0471	RFQ	6635	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		31-DMN52D0UQ-13TR	귀 99	8541.21.0095	10,000			n 채널	50 v	400MA (TA)	1.8V, 5V	2ohm @ 50ma, 5V	1V @ 250µA	1.5 nc @ 10 v	± 12V	39 pf @ 25 v	-	500MW
DMC2053UVTQ-13	0.1505	RFQ	3823	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	DMC2053	MOSFET (금속 (()	700MW (TA)	TSOT-26	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-DMC2053UVTQ-13TR	귀 99	8541.21.0095	10,000	n 보완 p 채널 및			20V	4.6A (TA), 3.2A (TA)		35mohm @ 5a, 4.5v, 74mohm @ 3.5a, 4.5v	1V @ 250µA	3.6nc @ 4.5v, 5.9nc @ 4.5v		369pf @ 10v, 440pf @ 10v	-
DMN53D0L-13	0.0473	RFQ	2642	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMN53	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMN53D0L-13DI	귀 99	8541.21.0095	10,000			n 채널	50 v	500MA (TA)	2.5V, 10V	1.6ohm @ 500ma, 10V	1.5V @ 250µA	0.6 nc @ 4.5 v	± 20V	46 pf @ 25 v	-	370MW (TA)
MMBZ5235BTS-7-F	0.1300	RFQ	9069	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MMBZ5235		200 MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000	3 독립																900 mV @ 10 ma		3 µa @ 5 v							6.8 v	5 옴
1N4006-T	0.2000	RFQ	7308	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4006	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	5,000		짐													800 v		1 V @ 1 a		5 µa @ 800 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	8pf @ 4V, 1MHz
SDT5A60SAF-13	0.1005	RFQ	1484	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	SDT5A60	Schottky		smaf	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	31-SDT5A60SAF-13TR	귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													60 v		520 MV @ 5 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
DDTD122JU-7-F	-	RFQ	9822	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SC-70, SOT-323	DDTD122		200 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							50 v	500 MA	500NA			npn-사전-	300mv @ 2.5ma, 50ma	47 @ 50MA, 5V	200MHz	220 옴	4.7 Kohms
DMG4800LSDQ-13	0.6100	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMG4800	MOSFET (금속 (()	1.17W	8-SOP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)			30V	7.5A (TA)		16mohm @ 9a, 10V	1.6V @ 250µA	8.56NC @ 5V		798pf @ 10V	-
DDTA143EKA-7-F	-	RFQ	8404	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DDTA143		200 MW	SC-59-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							50 v	100 MA	500NA			pnp- 사전-	300MV @ 500µA, 10MA	20 @ 10ma, 5V	250MHz	4.7 Kohms	4.7 Kohms
DMT4015LDV-7	0.2726	RFQ	3954	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	DMT4015	-	1.1W (TA)	PowerDI3333-8 (유형 UXC)	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMT4015LDV-7TR	귀 99	8541.29.0095	2,000	2 n 채널 (채널)			40V	7.8A (TA), 21.2A (TC)		20mohm @ 8a, 10V	2.5V @ 250µA	15.7NC @ 10V		808pf @ 30V	-
BZX84C30S-7	-	RFQ	8066	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BZX84		200 MW	SOT-363	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000	2 독립																900 mV @ 10 ma		100 na @ 21 v							30 v	80 옴
GDZ3V6LP3-7	0.2700	RFQ	22	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	0201 (0603 메트릭)	GDZ3V6		250 MW	X3-DFN0603-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																			10 µa @ 1 v							3.6 v
DMNH6022SSD-13	0.8300	RFQ	5504	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMNH6022	MOSFET (금속 (()	1.5W	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)			60V	7.1a, 22.6a		27mohm @ 5a, 10V	3V @ 250µA	32NC @ 10V		2127pf @ 25v	-
DXTP58100CFDB-7	0.4200	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-udfn n 패드	DXTP58100		690 MW	U-DFN2020-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							100 v	2 a	100NA			PNP	185mv @ 200ma, 2a	160 @ 500ma, 2V	135MHz
BZT52C5V1-13-F	0.2100	RFQ	8	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	BZT52		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																	900 mV @ 10 ma		2 µa @ 2 v							5.1 v	60 옴
1N5406-T	-	RFQ	1716	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	1N5406	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	1,200		짐													600 v		1 V @ 3 a		10 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	25pf @ 4V, 1MHz
SBR10045P5-13	-	RFQ	3598	다이오드가 다이오드가	SBR®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	PowerDI ™ 5		슈퍼 슈퍼		PowerDI ™ 5	-		1 (무제한)		31-SBR10045P5-13TR	귀 99	8541.10.0080	1,000		짐													45 v		470 mV @ 10 a		300 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
DMP1009UFDF-13	0.1416	RFQ	1535	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드	DMP1009	MOSFET (금속 (()		u-dfn2020-6 (f 형)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	10,000			p 채널	12 v	15A (TA)	1.8V, 4.5V	11mohm @ 5a, 4.5v	1V @ 250µA	44 NC @ 8 v	± 8V	1860 pf @ 10 v	-	2W (TA)
sf10dg-t	-	RFQ	8515	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	sf10dg	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		950 MV @ 1 a	35 ns	10 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	75pf @ 4V, 1MHz
DDZX5V1B-13	-	RFQ	4076	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DDZX5		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DDZX5V1B-13DI	귀 99	8541.10.0050	10,000																	900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1.5 v							5.1 v	17 옴
DMT47M2LDV-7	0.3704	RFQ	7783	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	DMT47	MOSFET (금속 (()	2.34W (TA), 14.8W (TC)	PowerDI3333-8 (유형 UXC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMT47M2LDV-7DI	귀 99	8541.29.0095	2,000	2 n 채널 (채널)			40V	11.9A (TA), 30.2A (TC)		10.8mohm @ 20a, 10V	2.3V @ 250µA	14NC @ 10V		891pf @ 20V	-
ADTC114EUAQ-7	0.2100	RFQ	3	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-70, SOT-323	ADTC114		330 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							50 v	100 MA	-			npn-사전-	-	30 @ 5MA, 5V	250MHz	10 KOHMS	10 KOHMS
BAS70DW-05Q-7-F	0.4700	RFQ	3	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BAS70	Schottky		SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												2 음극 음극 공통	70 v	70MA (DC)	1 V @ 15 ma	5 ns	100 na @ 50 v	-55 ° C ~ 125 ° C
BAS16WQ-7-F	0.0400	RFQ	3526	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-70, SOT-323	BAS16	기준		SOT-323	-	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													75 v		1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µa @ 75 v	-65 ° C ~ 150 ° C	150ma	2pf @ 0V, 1MHz
SBR8B60P5-13	-	RFQ	2757	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	PowerDI ™ 5	SBR8B60	슈퍼 슈퍼		PowerDI ™ 5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	5,000		짐													60 v		600 mV @ 8 a		220 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
MMBZ5242B-7	-	RFQ	3819	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5242B		350 MW	SOT-23-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		1 µa @ 9.1 v							12 v	30 옴
BZX84B39Q-7-F	0.0382	RFQ	2606	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		300MW	SOT-23-3	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-BZX84B39Q-7-FTR	귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		100 na @ 27.3 v							39 v	130 옴
BZX84C30-7-F-31	-	RFQ	2690	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6.67%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		300MW	SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-BZX84C30-7-F-31TR	귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		100 na @ 21 v							30 v	80 옴
MBRF10150CT	-	RFQ	4702	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	MBRF1015	Schottky		ITO-220AB	다운로드		1 (무제한)	영향을받습니다	MBRF10150CTDI	귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	150 v	5a	890 mV @ 5 a		50 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (13379)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²