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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
RS2D-13 Diodes Incorporated RS2D-13 -
RFQ
 ECAD 8521 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB RS2D 기준 SMB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 V @ 1.5 a 150 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.5A 30pf @ 4V, 1MHz
BZT52C8V2-7 Diodes Incorporated BZT52C8V2-7 -
RFQ
 ECAD 8692 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 700 na @ 5 v 8.2 v 15 옴
DMTH6016LFVWQ-13-A Diodes Incorporated DMTH6016LFVWQ-13-A 0.3236
RFQ
 ECAD 5184 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn DMTH6016 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMTH6016LFVWQ-13-ATR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 41A (TC) 4.5V, 10V 16MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 15.1 NC @ 10 v ± 20V 939 pf @ 30 v - 1.17W (TA)
SB530-T Diodes Incorporated SB530-T -
RFQ
 ECAD 6096 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SB530 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 1,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 5 a 500 µa @ 30 v -65 ° C ~ 125 ° C 5a -
DMMT3906Q-7-F Diodes Incorporated DMMT3906Q-7-F 0.5100
RFQ
 ECAD 6205 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 DMMT3906 225MW SOT-26 - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40V 200ma 50NA 2 pnp (() 일치하는 쌍 쌍 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
DL4937-13-F Diodes Incorporated DL4937-13-F -
RFQ
 ECAD 4768 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 do-213ab, melf (유리) DL4937 기준 멜프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
BZT52C5V1-7-F Diodes Incorporated BZT52C5V1-7-F 0.2100
RFQ
 ECAD 755 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
BZT52C22TQ-7-F Diodes Incorporated BZT52C22TQ-7-F 0.0474
RFQ
 ECAD 8554 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.68% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZT52 300MW SOD-523 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 15.4 v 22 v 55 옴
FZT951QTA Diodes Incorporated FZT951QTA 1.5000
RFQ
 ECAD 970 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1.6 w SOT-223 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 5 a 50NA PNP 460mv @ 500ma, 5a 100 @ 2a, 1v 120MHz
MBR20100CTF-E1 Diodes Incorporated MBR20100CTF-E1 -
RFQ
 ECAD 5772 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 Schottky TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 850 mv @ 10 a 100 @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C
MMBD3004S-7-F Diodes Incorporated MMBD3004S-7-F 0.0483
RFQ
 ECAD 6540 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD3004 기준 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 300 v 225MA (DC) 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 240 v -65 ° C ~ 150 ° C
MBRM560-13-F Diodes Incorporated MBRM560-13-F -
RFQ
 ECAD 2396 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 PowerMite®3 MBRM560 Schottky Powermite 3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 690 mV @ 5 a 200 µa @ 60 v -55 ° C ~ 125 ° C 5a -
AZ23C6V8-7-F Diodes Incorporated AZ23C6V8-7-F 0.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C6V8 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 6.8 v 8 옴
DDTB143EC-7-F Diodes Incorporated DDTB143EC-7-F -
RFQ
 ECAD 6988 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTB143 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA pnp- 사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 47 @ 50MA, 5V 200MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
MMBZ5228BS-7 Diodes Incorporated MMBZ5228BS-7 0.2500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000
MMSZ5241BS-7-F Diodes Incorporated MMSZ5241BS-7-F 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 MMSZ5241 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 8.4 v 11 v 22 옴
DMP510DL-7-50 Diodes Incorporated DMP510DL-7-50 0.0357
RFQ
 ECAD 6014 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP510 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 31-DMP510DL-7-50 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 50 v 180MA (TA) 5V 10ohm @ 100ma, 5V 2V @ 1mA ± 30V 24.6 pf @ 25 v - 310MW (TA)
MMSZ5228BS-7-F Diodes Incorporated MMSZ5228BS-7-F 0.2800
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 MMSZ5228 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 3.9 v 23 옴
2DA1797-13 Diodes Incorporated 2DA1797-13 0.4600
RFQ
 ECAD 417 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2DA1797 900 MW SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,500 50 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 350MV @ 50MA, 1A 82 @ 500ma, 2V 160MHz
ZXTP4001ZTA Diodes Incorporated ZXTP4001ZTA -
RFQ
 ECAD 5115 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA ZXTP4001 1.5 w SOT-89-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ZXTP4001ZTADI 귀 99 8541.29.0095 1,000 60 v 1 a 500NA (ICBO) PNP - 60 @ 85MA, 100MV -
ZXTP19020CFFTA Diodes Incorporated ZXTP19020CFFTA 0.6900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 ZXTP19020 1.5 w SOT-23F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 20 v 5 a 50NA (ICBO) PNP 135MV @ 500MA, 5A 200 @ 100ma, 2v 200MHz
DMN3010LK3-13 Diodes Incorporated DMN3010LK3-13 0.6200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMN3010 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 13.1A (TA), 43A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 18a, 10V 2.5V @ 250µA 37 NC @ 10 v ± 20V 2075 pf @ 15 v - 1.6W (TA)
DMG6602SVT-7-52 Diodes Incorporated DMG6602SVT-7-52 0.1026
RFQ
 ECAD 1041 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMG6602 MOSFET (금속 (() 840MW (TA) TSOT-26 다운로드 31-DMG6602SVT-7-52 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 보완 p 채널 및 30V 3.4A (TA), 2.8A (TA) 60mohm @ 3.1a, 10v, 95mohm @ 2.7a, 10v 2.3V @ 250µA 13NC @ 10V, 9NC @ 10V 400pf @ 15v, 420pf @ 15v 기준
DMG302PU-13 Diodes Incorporated DMG302PU-13 0.1096
RFQ
 ECAD 5402 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMG302 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 25 v 170ma (TA) 2.7V, 4.5V 10ohm @ 200ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 0.35 nc @ 4.5 v -8V 27.2 pf @ 10 v - 320MW (TA)
RS3A-13 Diodes Incorporated RS3A-13 -
RFQ
 ECAD 2762 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC RS3A 기준 SMC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 3 a 150 ns 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1MHz
SBR10B45P5-13 Diodes Incorporated SBR10B45P5-13 0.5000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI ™ 5 SBR10 슈퍼 슈퍼 PowerDI ™ 5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 45 v 550 mV @ 10 a 380 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
DSS4240T-7 Diodes Incorporated DSS4240T-7 0.3800
RFQ
 ECAD 514 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DSS4240 600MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 320mv @ 200ma, 2a 300 @ 1a, 2v 100MHz
BZX84C5V6W-7 Diodes Incorporated BZX84C5V6W-7 -
RFQ
 ECAD 1464 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 7% -65 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84 200 MW SOT-323 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 2 v 5.6 v 40
DMN52D0U-7 Diodes Incorporated DMN52D0U-7 0.0676
RFQ
 ECAD 4149 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 31-DMN52D0U-7TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 400MA (TA) 1.8V, 5V 2ohm @ 50ma, 5V 1V @ 250µA 1.5 nc @ 10 v ± 12V 39 pf @ 25 v - 500MW
DMN6068LK3-13 Diodes Incorporated DMN6068LK3-13 0.5500
RFQ
 ECAD 58 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMN6068 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 6A (TA) 4.5V, 10V 68mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 10.3 NC @ 10 v ± 20V 502 pf @ 30 v - 2.12W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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