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불연속 불연속 제품 (13379)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
DDZ16CSF-7	0.1600	RFQ	26	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 3%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-90, SOD-323F	DDZ16		500MW	SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		70 NA @ 14.9 v							16.1 v	40
DMP3021SSS-13	0.7900	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMP3021	MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			p 채널	30 v	10.4A (TA), 39A (TC)	5V, 10V	15mohm @ 8a, 10V	2.5V @ 250µA	34 NC @ 10 v	± 25V	1799 pf @ 15 v	-	1W (TA)
DFLZ16Q-7	0.1417	RFQ	4506	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	PowerDI®123	DFLZ16		1 W.	PowerDI ™ 123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0050	3,000																	1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 12 v							16 v	1 옴
DDC114YU-7-F-52	0.0552	RFQ	6867	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DDC114		200MW	SOT-363	다운로드				31-DDC114YU-7-F-52	귀 99	8541.21.0075	3,000																							50V	100ma	500NA (ICBO)			2 npn--바이어스 (듀얼)	300MV @ 250µA, 5MA	68 @ 10ma, 5V	250MHz	10kohms	47kohms
B320B-13-F	0.4100	RFQ	56	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	B320	Schottky		SMB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													20 v		500 mV @ 3 a		500 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	200pf @ 4V, 1MHz
SBR660CTL-13	0.8300	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	SBR®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SBR660	슈퍼 슈퍼		TO-252-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	2,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	60 v	3A	570 mV @ 3 a		500 µa @ 60 v	-65 ° C ~ 150 ° C
2DA1213YQ-13	0.1676	RFQ	7151	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	2DA1213		1 W.	SOT-89-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2DA1213YQ-13DI	귀 99	8541.29.0075	2,500																							50 v	2 a	100NA (ICBO)			PNP	500mv @ 50ma, 1a	120 @ 500ma, 2V	160MHz
DMG1023UV-7-52	0.0840	RFQ	4579	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	DMG1023	MOSFET (금속 (()	530MW	SOT-563	다운로드				31-DMG1023UV-7-52	귀 99	8541.21.0095	3,000	2 p 채널 (채널)			20V	1.03A (TA)		750mohm @ 430ma, 4.5v	1V @ 250µA	0.6224NC @ 4.5V		59.76pf @ 16v	기준
ES2CA-13-F	0.7200	RFQ	6279	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	ES2C	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													150 v		920 MV @ 2 a	25 ns	5 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	25pf @ 4V, 1MHz
DMN62D0LFB-7B	0.0814	RFQ	7180	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-ufdfn	DMN62	MOSFET (금속 (()		X1-DFN1006-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000			n 채널	60 v	100MA (TA)	1.5V, 4V	2ohm @ 100ma, 4v	1V @ 250µA	0.45 nc @ 4.5 v	± 20V	32 pf @ 25 v	-	470MW (TA)
2N7002E-7-F-79	-	RFQ	1938	다이오드가 다이오드가	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2N7002	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	-				31-2N7002E-7-F-79	귀 99	8541.21.0095	1			n 채널	60 v	250MA (TA)	4.5V, 10V	3ohm @ 250ma, 10V	2.5V @ 250µA	0.23 nc @ 4.5 v	± 20V	50 pf @ 25 v	-	370MW (TA)
FCX591AQTA	0.2338	RFQ	5011	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	FCX591		1 W.	SOT-89-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1,000																							40 v	1 a	100NA			PNP	500mv @ 100ma, 1a	300 @ 100MA, 5V	150MHz
SB560-T	0.5300	RFQ	7201	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SB560	Schottky		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	1,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													60 v		670 mV @ 5 a		500 µa @ 60 v	-65 ° C ~ 150 ° C	5a	-
DMP3011SFVWQ-13	0.7900	RFQ	3	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	8-powervdfn	DMP3011	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			p 채널	30 v	19.8A (TA), 50A (TC)	4.5V, 10V	10mohm @ 11.5a, 10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 v	± 25V	2380 pf @ 15 v	-	980MW (TA)
DDTA114GE-7-F	0.0605	RFQ	8720	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOT-523	DDTA114		150 MW	SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							50 v	100 MA	500NA (ICBO)			pnp- 사전-	300MV @ 500µA, 10MA	30 @ 5MA, 5V	250MHz		10 KOHMS
ZTX776STZ	-	RFQ	1180	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	e-line-3,-된 리드	ZTX776		1 W.	e- 라인 (TO-92 호환)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,000																							200 v	1 a	100NA (ICBO)			PNP	500mv @ 200ma, 1a	50 @ 500ma, 5V	30MHz
BZX84C4V3-7-G	-	RFQ	2992	다이오드가 다이오드가	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는					BZX84				-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	BZX84C4V3-7-GDI	귀 99	8541.10.0050	3,000
DCP69A-16-13	-	RFQ	7303	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	DCP69		1 W.	SOT-223-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,500																							20 v	1 a	100NA (ICBO)			PNP	500mv @ 100ma, 1a	85 @ 500ma, 1V	250MHz
BZX84C20TS-7-F	-	RFQ	3911	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BZX84		200 MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000	3 독립																900 mV @ 10 ma		100 na @ 14 v							20 v	55 옴
DMPH6050SFGQ-7	0.8800	RFQ	3947	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	DMPH6050	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,000			p 채널	60 v	6.1A (TA), 18A (TC)	4.5V, 10V	50mohm @ 7a, 10V	3V @ 250µA	24.1 NC @ 10 v	± 20V	1293 pf @ 30 v	-	1.2W (TA)
DFLZ9V1Q-7	0.1417	RFQ	4406	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	PowerDI®123	DFLZ9		1 W.	PowerDI ™ 123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0050	3,000																	1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 5 v							9.1 v	1 옴
2N7002TC	-	RFQ	1544	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2N7002	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000			n 채널	60 v	115MA (TA)	5V, 10V	7.5ohm @ 500ma, 10V	2.5V @ 250µA		± 20V	50 pf @ 25 v	-	330MW (TA)
DMT3008LFDF-7	0.3045	RFQ	9705	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드	DMT3008	MOSFET (금속 (()		u-dfn2020-6 (f 형)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			n 채널	30 v	12A (TA)	4.5V, 10V	10mohm @ 9a, 10V	3V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 20V	886 pf @ 15 v	-	800MW (TA)
zvn3306fta	0.4100	RFQ	26	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ZVN3306	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			n 채널	60 v	150MA (TA)	10V	5ohm @ 500ma, 10V	2.4V @ 1mA		± 20V	35 pf @ 18 v	-	330MW (TA)
BCP5610QTC	0.1097	RFQ	5783	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	BCP5610		2 w	SOT-223-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	BCP5610QTCDI	귀 99	8541.29.0075	4,000																							80 v	1 a	100NA (ICBO)			NPN	500mv @ 50ma, 500ma	63 @ 150ma, 2V	150MHz
DMN6066SSD-13	0.8300	RFQ	24	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMN6066	MOSFET (금속 (()	1.8W	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)			60V	3.3a		66MOHM @ 4.5A, 10V	3V @ 250µA	10.3nc @ 10v		502pf @ 30V	논리 논리 게이트
BZX84C18W-7	-	RFQ	6529	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 6%	-65 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SC-70, SOT-323	BZX84		200 MW	SOT-323	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		100 na @ 12.6 v							18 v	45 옴
DMP1081UCB4-7	-	RFQ	8097	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-UFBGA, WLBGA	DMP1081	MOSFET (금속 (()		U-WLB1010-4	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			p 채널	12 v	3A (TA), 3.3A (TA)	0.9V, 4.5V	10ohm @ 100ma, 0.9V	650MV @ 250µA	5 nc @ 4.5 v	-6V	350 pf @ 6 v	-	820MW (TA)
DDA143-7	0.4900	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOT-563, SOT-666	DDA143		150MW	SOT-563	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							50V	100ma	-			2 pnp--바이어스 (듀얼)	300mv @ 250µa, 2.5ma	100 @ 1ma, 5V	250MHz	4.7kohms	-
MBR3045CTF-E1	-	RFQ	6501	다이오드가 다이오드가	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	MBR3045	Schottky		TO-220F-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	45 v	15a	700 mV @ 15 a		100 µa @ 45 v	-65 ° C ~ 150 ° C

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (13379)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²