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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DMG6602SVTX-7 Diodes Incorporated DMG6602SVTX-7 0.1040
RFQ
 ECAD 9699 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMG6602 MOSFET (금속 (() 840MW (TA) TSOT-26 - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 보완 p 채널 및 30V 3.4A (TA), 2.8A (TA) 60mohm @ 3.1a, 10v, 95mohm @ 2.7a, 10v 2.3V @ 250µA 13NC @ 10V, 9NC @ 10V 400pf @ 15v, 420pf @ 15v -
DMN2005K-7 Diodes Incorporated DMN2005K-7 0.3800
RFQ
 ECAD 872 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2005 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 300MA (TA) 1.8V, 2.7V 1.7ohm @ 200ma, 2.7v 900mv @ 100µa ± 10V - 350MW (TA)
DMTH4004SCTB-13 Diodes Incorporated DMTH4004SCTB-13 1.5900
RFQ
 ECAD 8059 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB DMTH4004 MOSFET (금속 (() TO-263 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 3MOHM @ 100A, 10V 4V @ 250µA 68.6 NC @ 10 v ± 20V 4305 pf @ 25 v - 4.7W (TA), 136W (TC)
DMN10H220LFVW-13 Diodes Incorporated DMN10H220LFVW-13 0.1376
RFQ
 ECAD 4277 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn DMN10 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN10H220LFVW-13TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 11A (TC) 4.5V, 10V 222mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 250µA 6.7 NC @ 10 v ± 20V 366 pf @ 50 v - 2.4W (TA), 41W (TC)
BZT52C5V1TQ-7-F Diodes Incorporated BZT52C5V1TQ-7-F 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZT52 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
ZVN2110ASTOA Diodes Incorporated zvn2110astoa -
RFQ
 ECAD 5362 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 100 v 320MA (TA) 10V 4ohm @ 1a, 10V 2.4V @ 1mA ± 20V 75 pf @ 25 v - 700MW (TA)
BZT52C9V1S-7 Diodes Incorporated BZT52C9V1S-7 -
RFQ
 ECAD 6610 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZT52 200 MW SOD-323 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 200 na @ 6 v 9.1 v 15 옴
DMT2004UFG-13 Diodes Incorporated DMT2004UFG-13 0.2361
RFQ
 ECAD 2425 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT2004 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 24 v 70A (TC) 2.5V, 10V 5mohm @ 12a, 10V 1.45V @ 250µA 53.7 NC @ 10 v ± 12V 1683 pf @ 15 v - 2.3W (TA)
B150B-13 Diodes Incorporated B150B-13 -
RFQ
 ECAD 6239 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB B150 Schottky SMB - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 1 a 500 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 110pf @ 4V, 1MHz
SD103ASDM-7-F-2477 Diodes Incorporated SD103ASDM-7-F-2477 -
RFQ
 ECAD 5074 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 마지막으로 마지막으로 표면 표면 SOT-23-6 Schottky SOT-26 - 31-SD103ASDM-7-F-2477 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 연결 연결 시리즈 40 v 350ma 600 mv @ 200 ma 10 ns 5 µa @ 30 v -65 ° C ~ 125 ° C
DMG1012UW-7 Diodes Incorporated DMG1012UW-7 0.3500
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMG1012 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 1A (TA) 1.8V, 4.5V 450mohm @ 600ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.74 nc @ 4.5 v ± 6V 60.67 pf @ 16 v - 290MW (TA)
ZXTC2062E6TA Diodes Incorporated ZXTC2062E6TA 0.7500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 ZXTC2062 1.1W SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 20V 4A, 3.5A 50NA (ICBO) NPN, PNP 190mv @ 200ma, 4a / 250mv @ 175ma, 3.5a 280 @ 1a, 2v / 170 @ 1a, 2v 215MHz, 290MHz
DMP3028LPSW-13 Diodes Incorporated DMP3028LPSW-13 0.2032
RFQ
 ECAD 1612 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn DMP3028 MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (유형 ux) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMP3028LPSW-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 21A (TC) 4.5V, 10V 28mohm @ 7a, 10V 2.4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1421 pf @ 15 v - 1.28W (TA), 2.1W (TC)
ZXTN25100DZTA Diodes Incorporated ZXTN25100DZTA 0.5700
RFQ
 ECAD 68 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA ZXTN25100 2.4 w SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 100 v 2.5 a 50NA (ICBO) NPN 345mv @ 250ma, 2.5a 300 @ 10ma, 2v 175MHz
ZTX788BSTOA Diodes Incorporated ZTX788BSTOA -
RFQ
 ECAD 9005 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX788B 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 15 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 450MV @ 10MA, 2A 500 @ 10ma, 2v 100MHz
BS170FTC Diodes Incorporated BS170FTC -
RFQ
 ECAD 8923 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BS170 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 150µA (TA) 10V 5ohm @ 200ma, 10V 3V @ 1mA ± 20V 60 pf @ 10 v - 330MW (TA)
DDZ9705S-7 Diodes Incorporated DDZ9705S-7 0.3500
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 DDZ9705 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 13.6 v 18 v
DFLZ30-7 Diodes Incorporated DFLZ30-7 0.4900
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 PowerDI®123 DFLZ30 1 W. PowerDI ™ 123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 22 v 30 v 15 옴
MMSZ5231B-13-F Diodes Incorporated MMSZ5231B-13-F 0.0269
RFQ
 ECAD 5093 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5231 370 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 2 v 5.1 v 17 옴
DDTA122LU-7-F Diodes Incorporated DDTA122LU-7-F -
RFQ
 ECAD 2951 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 DDTA122 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 56 @ 10ma, 5V 200MHz 220 옴 10 KOHMS
FZT749AT3DW Diodes Incorporated fzt749at3dw -
RFQ
 ECAD 4154 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1.2 w SOT-223-3 - 31-FZT749AT3DW 귀 99 8541.29.0095 1 25 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 300ma, 3a 100 @ 1a, 2v 160MHz
DDZ9694-7-79 Diodes Incorporated DDZ9694-7-79 -
RFQ
 ECAD 6860 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 DDZ9694 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DDZ9694-7-79DI 귀 99 8541.10.0050 3,000
SBRT15M50AP5-13 Diodes Incorporated SBRT15M50AP5-13 -
RFQ
 ECAD 7623 0.00000000 다이오드가 다이오드가 트렌치 트렌치 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 PowerDI ™ 5 슈퍼 슈퍼 PowerDI ™ 5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 SBRT15M50AP5-13DI 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 50 v 540 mV @ 15 a 150 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a -
DMN4008LFG-7 Diodes Incorporated DMN4008LFG-7 0.7600
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMN4008 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 14.4A (TA) 3.3V, 10V 7.5mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 74 NC @ 10 v ± 20V 3537 pf @ 20 v - 1W (TA)
B360AM-13-F Diodes Incorporated B360AM-13-F 0.4900
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA B360 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 3 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 130pf @ 4V, 1MHz
BZT52C8V2-13 Diodes Incorporated BZT52C8V2-13 -
RFQ
 ECAD 9531 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 700 na @ 5 v 8.2 v 15 옴
SBRT3M40SA-13 Diodes Incorporated SBRT3M40SA-13 -
RFQ
 ECAD 5455 0.00000000 다이오드가 다이오드가 트렌치 트렌치 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA SBRT3 슈퍼 슈퍼 SMA - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 530 mV @ 3 a 70 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SBR3U60P1Q-7 Diodes Incorporated SBR3U60P1Q-7 0.4000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101, SBR® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI®123 SBR3U60 슈퍼 슈퍼 PowerDI ™ 123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 60 v 620 MV @ 3 a 100 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZT52C51Q-7-F Diodes Incorporated BZT52C51Q-7-F 0.0384
RFQ
 ECAD 5583 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.88% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 370 MW SOD-123 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-BZT52C51Q-7-FTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 38 v 51 v 100 옴
SBR3150SB-13 Diodes Incorporated SBR3150SB-13 0.7400
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SBR3150 Schottky SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 820 MV @ 3 a 500 µa @ 150 v 150 ° C (°) 3A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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