전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 커패시턴스 커패시턴스 | 커패시턴스 커패시턴스 조건 | Q @ vr, f |
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![]() | DMG4N60SJ3 | - | ![]() | 6229 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | DMG4 | MOSFET (금속 (() | TO-251 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 600 v | 3A (TC) | 10V | 2A, 2A, 10V 2.5ohm | 4.5V @ 250µA | 14.3 NC @ 10 v | ± 30V | 532 pf @ 25 v | - | 41W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BZT52C3V6TQ-7-F | - | ![]() | 3669 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5.56% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | BZT52 | 300MW | SOD-523 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 31-BZT52C3V6TQ-7-FTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 5 µa @ 1 v | 3.6 v | 90 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | ZMM5233B-7 | - | ![]() | 6577 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | ZMM5233 | 500MW | 미니 미니 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 200 ma | 5 µa @ 3.5 v | 6 v | 7 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | DMP2900UT-7 | 0.0734 | ![]() | 4546 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-523 | DMP2900 | MOSFET (금속 (() | SOT-523 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMP2900UT-7TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 500MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 700mohm @ 430ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 0.7 nc @ 4.5 v | ± 6V | 49 pf @ 16 v | - | 250MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C2V4LP-7 | 0.4500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 8% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | 0402 (1006 메트릭) | BZT52 | 250 MW | X1-DFN1006-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 50 µa @ 1 v | 2.4 v | 100 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DFLS1200-7-2477 | - | ![]() | 7402 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | 표면 표면 | PowerDI®123 | Schottky | PowerDI ™ 123 | - | 31-DFLS1200-7-2477 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 850 mv @ 1 a | 2 µa @ 200 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 23pf @ 5V, 1MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
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