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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BZT52C3V9S-7-F Diodes Incorporated BZT52C3V9S-7-F 0.2800
RFQ
 ECAD 111 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZT52 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
1SMB5955B-13 Diodes Incorporated 1SMB5955B-13 0.1300
RFQ
 ECAD 9002 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5955 550 MW SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 136.8 v 180 v 900 옴
DMN2710UDWQ-13 Diodes Incorporated DMN2710UDWQ-13 0.0565
RFQ
 ECAD 8263 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN2710 - 360MW (TA) SOT-363 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-dmn2710udwq-13tr 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 20V 800MA (TA) 450mohm @ 600ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.6NC @ 4.5V 42pf @ 16V -
US2JDFQ-13 Diodes Incorporated US2JDFQ-13 0.3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 US2 기준 D- 플랫 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 10,000 짐 600 v 1.7 V @ 1 a 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 10pf @ 4V, 1MHz
SB180-T Diodes Incorporated SB180-T 0.1008
RFQ
 ECAD 9632 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SB180 Schottky DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 800 mv @ 1 a 500 µa @ 80 v -65 ° C ~ 125 ° C 1A -
ZTX618 Diodes Incorporated ZTX618 0.7700
RFQ
 ECAD 2540 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 20 v 3.5 a 100NA NPN 255MV @ 50MA, 3.5A 300 @ 200ma, 2v 100MHz
DPLS4140E-13 Diodes Incorporated DPLS4140E-13 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA DPLS4140 1 W. SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 140 v 4 a 20NA (ICBO) PNP 360mv @ 300ma, 3a 100 @ 1a, 5V 150MHz
MURB1610CT-T-F Diodes Incorporated murb1610ct-tf -
RFQ
 ECAD 2834 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB murb1610ct 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 16A 975 MV @ 8 a 30 ns 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C
MMBZ5237BW-7 Diodes Incorporated MMBZ5237BW-7 0.1000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1034-MMBZ5237BW-7DKR 귀 99 8541.10.0050 3,000
DXTP03200BP5-13 Diodes Incorporated DXTP03200BP5-13 0.7500
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerDI ™ 5 DXTP03200 3.2 w PowerDI ™ 5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 5,000 200 v 2 a 50NA (ICBO) PNP 275mv @ 400ma, 2a 100 @ 1a, 5V 105MHz
DDTC114EKA-7-F Diodes Incorporated DDTC114EKA-7-F -
RFQ
 ECAD 7557 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC114 200 MW SC-59-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
BZX84C8V2W-7 Diodes Incorporated BZX84C8V2W-7 0.3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 BZX84 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000
DDZ9713T-7 Diodes Incorporated DDZ9713T-7 0.0840
RFQ
 ECAD 2559 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 DDZ9713 150 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 22.8 v 30 v
BAV170Q-7-F Diodes Incorporated BAV170Q-7-F 0.2300
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV170 기준 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 85 v 125MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 3 µs 5 na @ 75 v -65 ° C ~ 150 ° C
B130-13 Diodes Incorporated B130-13 -
RFQ
 ECAD 5568 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA B130 Schottky SMA - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 1 a 500 µa @ 30 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 110pf @ 4V, 1MHz
DDTA124ECA-7-F Diodes Incorporated DDTA124ECA-7-F 0.2200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTA124 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
DMN6069SFVWQ-7 Diodes Incorporated DMN6069SFVWQ-7 0.1790
RFQ
 ECAD 7663 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn DMN6069 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN6069SFVWQ-7TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 4A (TA), 14A (TC) 4.5V, 10V 69mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 740 pf @ 30 v - 2.5W (TA)
SD945-B Diodes Incorporated SD945-B -
RFQ
 ECAD 7249 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 570 mV @ 18 a 800 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C 9a 900pf @ 4V, 1MHz
US1DWF-7 Diodes Incorporated US1DWF-7 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F US1D 기준 SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 14pf @ 4V, 1MHz
BAS20-7-F Diodes Incorporated BAS20-7-F 0.2000
RFQ
 ECAD 8047 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 BAS20 기준 SOT-23F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 150 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 150 v -65 ° C ~ 150 ° C 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
MMBZ5242BW-7-F Diodes Incorporated MMBZ5242BW-7-F 0.0557
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMBZ5242 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 9.1 v 12 v 30 옴
DMP3036SFG-7 Diodes Incorporated DMP3036SFG-7 0.5900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP3036 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 p 채널 30 v 8.7A (TA) 5V, 10V 20mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 16.5 nc @ 10 v ± 25V 1931 pf @ 15 v - 950MW (TA)
BZT52C2V0T-7 Diodes Incorporated BZT52C2V0T-7 0.2100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZT52 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 150 µa @ 1 v 2 v 100 옴
DMG7401SFGQ-7 Diodes Incorporated DMG7401SFGQ-7 -
RFQ
 ECAD 8169 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMG7401 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 p 채널 30 v 9.8A (TA) 4.5V, 20V 11mohm @ 12a, 20V 3V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 25V 2987 pf @ 15 v - 940MW (TA)
1SMB5935B-13 Diodes Incorporated 1SMB5935B-13 0.1257
RFQ
 ECAD 5065 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5935 550 MW SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 1SMB5935B-13DI 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 20.6 v 27 v 23 옴
DMN3060LWQ-7 Diodes Incorporated DMN3060LWQ-7 0.0824
RFQ
 ECAD 2074 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMN3060 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN3060LWQ-7TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 2.6A (TA) 4.5V, 10V 60mohm @ 3.1a, 10V 1.8V @ 250µA 5.6 NC @ 4.5 v ± 12V 395 pf @ 15 v - 500MW (TA)
BZT52C24-7 Diodes Incorporated BZT52C24-7 -
RFQ
 ECAD 4293 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 16.8 v 24 v 70 옴
DXT5551-13 Diodes Incorporated DXT5551-13 0.4600
RFQ
 ECAD 123 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA DXT5551 1 W. SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 160 v 600 MA 50NA (ICBO) NPN 200mv @ 5ma, 50ma 80 @ 10ma, 5V 300MHz
S2DA Diodes Incorporated S2DA -
RFQ
 ECAD 4495 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 SMA 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-S2DA 귀 99 8541.10.0080 1 짐 200 v 1.15 V @ 1.5 a 1.5 µs 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 20pf @ 4V, 1MHz
DMT67M8LCG-7 Diodes Incorporated DMT67M8LCG-7 0.3984
RFQ
 ECAD 6342 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT67 MOSFET (금속 (() V-DFN3333-8 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-DMT67M8LCG-7TR 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 60 v 16A (TA), 64.6A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 37.5 nc @ 10 v ± 20V 2130 pf @ 30 v - 900MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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