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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
APD340VG-E1 Diodes Incorporated APD340VG-E1 -
RFQ
 ECAD 9810 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 APD340 Schottky DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -50 ° C ~ 125 ° C 3A -
DMTH10H032SPSWQ-13 Diodes Incorporated DMTH10H032SPSWQ-13 0.2756
RFQ
 ECAD 4665 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn DMTH10 MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (유형 ux) 다운로드 31-DMTH10H032SPSWQ-13 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 25A (TC) 10V 32mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 20V 544 pf @ 50 v - 3.2W (TA), 38W (TC)
BAW156T-7 Diodes Incorporated BAW156T-7 -
RFQ
 ECAD 8619 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SOT-523 BAW156 기준 SOT-523 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 85 v 125MA (DC) 1.1 v @ 50 ma 3 µs 5 na @ 75 v -65 ° C ~ 150 ° C
DMN2040LTS-13 Diodes Incorporated DMN2040LTS-13 0.4600
RFQ
 ECAD 2327 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DMN2040 MOSFET (금속 (() 890MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 20V 6.7A (TA) 26mohm @ 6a, 4.5v 1.2V @ 250µA 5.2NC @ 4.5V 570pf @ 10V -
DMP2078LCA3-7 Diodes Incorporated DMP2078LCA3-7 0.4400
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMP2078 MOSFET (금속 (() X4-DSN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 20 v 3.4A (TA) 1.8V, 8V 78mohm @ 500ma, 8v 1.2V @ 250µA 1.6 NC @ 4.5 v -12V 228 pf @ 10 v - 810MW (TA)
E9051 Diodes Incorporated E9051 -
RFQ
 ECAD 7960 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 3,000
FMMT734TC Diodes Incorporated FMMT734TC -
RFQ
 ECAD 1133 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT734 625 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 100 v 800 MA 200na pnp- 달링턴 1.05V @ 5MA, 1A 20000 @ 100MA, 5V 140MHz
ES2AA-13-F Diodes Incorporated ES2AA-13-F 0.4900
RFQ
 ECAD 339 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA ES2A 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 920 MV @ 2 a 25 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 25pf @ 4V, 1MHz
ZHCS400TC Diodes Incorporated ZHCS400TC -
RFQ
 ECAD 3549 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-76, SOD-323 ZHCS400 Schottky SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 400 mA 40 µa @ 30 v - 400ma 20pf @ 25V, 1MHz
SDM40E20LS-7-F Diodes Incorporated SDM40E20LS-7-F 0.4100
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SDM40 Schottky SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 20 v 400MA (DC) 310 mV @ 100 ma 250 µa @ 20 v -65 ° C ~ 125 ° C
MBR4050PT Diodes Incorporated MBR4050PT -
RFQ
 ECAD 9743 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MBR4050 Schottky to-3p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 MBR4050PTDI 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 40a 800 mV @ 20 a 1 ma @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C
SDT40A120CT Diodes Incorporated SDT40A120CT 1.2500
RFQ
 ECAD 3346 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SDT40 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 20A 880 mV @ 20 a 120 µa @ 120 v -55 ° C ~ 150 ° C
DMP3015LSSQ-13 Diodes Incorporated DMP3015LSSQ-13 1.0600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMP3015 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 13A (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 13a, 10V 2V @ 250µA 60.4 NC @ 10 v ± 20V 2748 pf @ 20 v - 2.5W (TA)
ZXM66P02N8TA Diodes Incorporated zxm66p02n8ta -
RFQ
 ECAD 7194 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 p 채널 20 v 6.4A (TA) 2.5V, 4.5V 25mohm @ 3.2a, 4.5v 700mv @ 250µa (최소) 43.3 NC @ 4.5 v ± 12V 2068 pf @ 15 v - 1.56W (TA)
ZXMN6A09KQTC Diodes Incorporated ZXMN6A09KQTC 0.7088
RFQ
 ECAD 3179 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ZXMN6 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 11.8A (TA) 4.5V, 10V 40mohm @ 7.3a, 10V 3V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 1426 pf @ 30 v - 10.1W (TA)
SDT5100LP5-13 Diodes Incorporated SDT5100LP5-13 0.4100
RFQ
 ECAD 7754 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI ™ 5 SDT5100 Schottky PowerDI ™ 5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 820 MV @ 5 a 4 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
BAS19W-7-F Diodes Incorporated BAS19W-7-F 0.2800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 BAS19 기준 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
MMBT5401-7-F Diodes Incorporated MMBT5401-7-F 0.2000
RFQ
 ECAD 925 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT5401 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 150 v 600 MA 50NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 60 @ 10ma, 5V 300MHz
DL4002-13 Diodes Incorporated DL4002-13 -
RFQ
 ECAD 3340 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 do-213ab, melf (유리) DL4002 기준 멜프 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 100 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
SBR1040CTB Diodes Incorporated SBR1040CTB 0.6510
RFQ
 ECAD 8182 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SBR1040 슈퍼 슈퍼 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 SBR1040CTBDI 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 5a 600 mV @ 5 a 500 µa @ 40 v -65 ° C ~ 175 ° C
RS2A-13 Diodes Incorporated RS2A-13 -
RFQ
 ECAD 1881 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB RS2A 기준 SMB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 V @ 1.5 a 150 ns 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.5A 30pf @ 4V, 1MHz
DMN5L06DMKQ-7 Diodes Incorporated DMN5L06DMKQ-7 0.1808
RFQ
 ECAD 7100 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 DMN5L06 MOSFET (금속 (() 400MW SOT-26 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 50V 305MA 2ohm @ 50ma, 5V 1V @ 250µA - 50pf @ 25V -
BAS16W-7-F Diodes Incorporated BAS16W-7-F 0.1900
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 BAS16 기준 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 1 µa @ 75 v -65 ° C ~ 150 ° C 150ma 2pf @ 0V, 1MHz
ZVP0545A Diodes Incorporated ZVP0545A 1.5900
RFQ
 ECAD 4507 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) ZVP0545 MOSFET (금속 (() To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ZVP0545A-NDR 귀 99 8541.21.0095 4,000 p 채널 450 v 45MA (TA) 10V 150ohm @ 50ma, 10V 4.5V @ 1mA ± 20V 120 pf @ 25 v - 700MW (TA)
DMG2301U-7 Diodes Incorporated DMG2301U-7 0.4300
RFQ
 ECAD 116 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMG2301 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 2.5A (TA) 2.5V, 4.5V 130mohm @ 2.8a, 4.5v 1V @ 250µA 6.5 NC @ 4.5 v ± 8V 608 pf @ 6 v - 800MW (TA)
BZX84C11-7-F Diodes Incorporated BZX84C11-7-F 0.2100
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
DSS4540X-13 Diodes Incorporated DSS4540X-13 0.4400
RFQ
 ECAD 1348 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA DSS4540 900 MW SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 40 v 4 a 100NA NPN 355mv @ 500ma, 5a 250 @ 2A, 2V 70MHz
GDZ18LP3-7 Diodes Incorporated GDZ18LP3-7 0.0345
RFQ
 ECAD 3386 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0201 (0603 메트릭) GDZ18 250 MW X3-DFN0603-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 12.6 v 18 v
B370-13-F Diodes Incorporated B370-13-F 0.5700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC B370 Schottky SMC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 70 v 790 MV @ 3 a 500 µa @ 70 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A 100pf @ 4V, 1MHz
BAT54JW-7 Diodes Incorporated Bat54JW-7 -
RFQ
 ECAD 1304 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bat54 Schottky SOT-363 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 독립 30 v 200MA (DC) 1 v @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v -65 ° C ~ 125 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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