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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
FMMT455TA Diodes Incorporated FMMT455TA 0.4400
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT455 500MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 140 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 15ma, 150ma 100 @ 150ma, 10V 100MHz
DFLR1200-7 Diodes Incorporated DFLR1200-7 0.3800
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI®123 DFLR1200 기준 PowerDI ™ 123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 200 v 1.1 v @ 1 a 3 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
BAT43W-7-F Diodes Incorporated BAT43W-7-F 0.4800
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 BAT43 Schottky SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 1 v @ 200 ma 5 ns 500 na @ 25 v -55 ° C ~ 125 ° C 200ma 10pf @ 1v, 1MHz
DDTC124XUA-7-F Diodes Incorporated DDTC124XUA-7-F 0.0435
RFQ
 ECAD 9109 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DDTC124 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 47 Kohms
DDA114EH-7 Diodes Incorporated DDA114EH-7 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DDA114 150MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma - 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
MMSZ5246B-7 Diodes Incorporated MMSZ5246B-7 -
RFQ
 ECAD 9625 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5246B 500MW SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 12 v 16 v 17 옴
ZXMP4A16KTC Diodes Incorporated ZXMP4A16KTC 1.2500
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ZXMP4A16 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 6.6A (TA) 4.5V, 10V 60mohm @ 3.8a, 10V 1V @ 250µA 29.6 NC @ 10 v ± 20V 965 pf @ 20 v - 2.15W (TA)
DDTB113EC-7-F Diodes Incorporated DDTB113EC-7-F -
RFQ
 ECAD 3124 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTB113 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA pnp- 사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 33 @ 50MA, 5V 200MHz 1 KOHMS 1 KOHMS
SBR40U100CT-E1 Diodes Incorporated SBR40U100CT-E1 -
RFQ
 ECAD 8431 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 SBR40 슈퍼 슈퍼 TO-220-3 - 1 (무제한) 31-SBR40U100CT-E1 귀 99 8541.10.0080 50 짐 1 음극 음극 공통 100 v 40a 720 MV @ 20 a 500 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C
ZVP3306A Diodes Incorporated ZVP3306A 0.8000
RFQ
 ECAD 3287 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) ZVP3306 MOSFET (금속 (() To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ZVP3306A-NDR 귀 99 8541.21.0095 4,000 p 채널 60 v 160MA (TA) 10V 14ohm @ 200ma, 10V 3.5V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 18 v - 625MW (TA)
PD3Z284C39-7 Diodes Incorporated PD3Z284C39-7 0.1465
RFQ
 ECAD 3699 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 PowerDI ™ 323 PD3Z284 500MW PowerDI ™ 323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 27.3 v 39 v 75 옴
FZT789ATA Diodes Incorporated FZT789ATA 0.8200
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT789A 2 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 25 v 3 a 100NA PNP 500mv @ 100ma, 3a 300 @ 10ma, 2v 100MHz
DMN3012LEG-7 Diodes Incorporated DMN3012LEG-7 1.5100
RFQ
 ECAD 6818 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerldfn DMN3012 MOSFET (금속 (() 2.2W (TC) PowerDI3333-8 (유형 D) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1,000 2 n 채널 (채널 교량) 30V 10A (TA), 20A (TC) 12MOHM @ 15A, 5V, 6MOHM @ 15A, 5V 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA 6.1nc @ 4.5v, 12.6nc @ 4.5v 850pf @ 15v, 1480pf @ 15v -
ZXMN6A09DN8TA Diodes Incorporated zxmn6a09dn8ta 1.8600
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ZXMN6 MOSFET (금속 (() 1.25W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 2 n 채널 (채널) 60V 4.3A 40mohm @ 8.2a, 10V 3V @ 250µA 24.2NC @ 5V 1407pf @ 40v 논리 논리 게이트
DMNH6069SFVWQ-7 Diodes Incorporated DMNH6069SFVWQ-7 0.2170
RFQ
 ECAD 2704 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn DMNH6069 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMNH6069SFVWQ-7TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 5A (TA), 18A (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 740 pf @ 30 v - 3W (TA)
DFLS130-7 Diodes Incorporated DFLS130-7 0.4400
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI®123 DFLS130 Schottky PowerDI ™ 123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 420 MV @ 1 a 1 ma @ 30 v - 1A 40pf @ 10V, 1MHz
DMTH8012LK3Q-13 Diodes Incorporated DMTH8012LK3Q-13 1.1300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMTH8012 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 80 v 50A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 46.8 NC @ 10 v ± 20V 2051 pf @ 40 v - 2.6W (TA)
FR603-T Diodes Incorporated FR603-T -
RFQ
 ECAD 3644 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 R-6, 축, FR603 기준 R-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 V @ 6 a 150 ns 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
FZT491ATA Diodes Incorporated FZT491ATA 0.6400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT491 2 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 40 v 1 a 100NA NPN 500mv @ 100ma, 1a 300 @ 500ma, 5V 150MHz
ZUMT491TC Diodes Incorporated ZUMT491TC -
RFQ
 ECAD 5378 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 Zumt491 500MW SOT-323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 60 v 1 a 100NA NPN 500mv @ 100ma, 1a - -
1N5398-T Diodes Incorporated 1N5398-T -
RFQ
 ECAD 2005 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 1N5398 기준 DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 4,000 짐 800 v 1.1 v @ 1.5 a 5 µa @ 800 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.5A 20pf @ 4V, 1MHz
BAT54C-7 Diodes Incorporated BAT54C-7 -
RFQ
 ECAD 1876 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bat54 Schottky SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 30 v 200MA (DC) 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v -65 ° C ~ 150 ° C
MBR2045CTF-E1 Diodes Incorporated MBR2045CTF-E1 -
RFQ
 ECAD 4408 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 Schottky TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 10A 650 mV @ 10 a 100 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
PR1001G-T Diodes Incorporated PR1001G-T 0.0680
RFQ
 ECAD 3358 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 PR1001 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
DDZX8V2C-13 Diodes Incorporated DDZX8V2C-13 0.0321
RFQ
 ECAD 8990 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ddzx8 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DDZX8V2C-13DI 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 6.5 v 8.2 v 8 옴
DMP3100L-7 Diodes Incorporated DMP3100L-7 -
RFQ
 ECAD 3164 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP3100 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 2.7A (TA) 4.5V, 10V 100mohm @ 2.7a, 10V 2.1V @ 250µA ± 20V 227 pf @ 10 v - 1.08W (TA)
DDZX7V5C-7 Diodes Incorporated ddzx7v5c-7 0.2800
RFQ
 ECAD 172 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ddzx7 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 6 v 7.5 v 6 옴
UG1001-T Diodes Incorporated UG1001-T -
RFQ
 ECAD 2938 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A -
1N5260B-T Diodes Incorporated 1N5260B-T -
RFQ
 ECAD 1805 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5260 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 33 v 43 v 93 옴
MMBZ5250BW-7 Diodes Incorporated MMBZ5250BW-7 -
RFQ
 ECAD 3055 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMBZ5250B 200 MW SOT-323 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 15 v 20 v 25 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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