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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
DMN67D8LDW-13 Diodes Incorporated DMN67D8LDW-13 0.0605
RFQ
 ECAD 2969 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN67 MOSFET (금속 (() 320MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 60V 230ma 5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.82NC @ 10V 25V @ 25V -
DST3904ADJ-7 Diodes Incorporated DST3904ADJ-7 -
RFQ
 ECAD 7469 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 DST3904 - rohs 준수 1 (무제한) 31-DST3904ADJ-7TR 쓸모없는 3,000
UF1005-T Diodes Incorporated UF1005-T 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF1005 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
BZT585B33T-7 Diodes Incorporated BZT585B33T-7 0.2300
RFQ
 ECAD 1616 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZT585 350 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 NA @ 23.1 v 33 v 80 옴
ZTX753QSTZ Diodes Incorporated ZTX753QSTZ 0.4046
RFQ
 ECAD 4125 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & t (TB) 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-ZTX753QSTZTB 귀 99 8541.29.0075 4,000 100 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200ma, 2a - 140MHz
DMN6040SK3Q-13 Diodes Incorporated DMN6040SK3Q-13 0.3145
RFQ
 ECAD 7972 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMN6040 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 20A (TC) 4.5V, 10V 40mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 22.4 NC @ 10 v ± 20V 1287 pf @ 25 v - 42W (TC)
DCX142TH-13 Diodes Incorporated DCX142th-13 -
RFQ
 ECAD 2686 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 DCX142 - rohs 준수 1 (무제한) 31-DCX142th-13TR 귀 99 8541.21.0095 3,000
SBR30A120CTFP-JT Diodes Incorporated SBR30A120CTFP-JT -
RFQ
 ECAD 8775 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SBR30 슈퍼 슈퍼 ITO-220AB 다운로드 1 (무제한) 31-SBR30A120CTFP-JT 귀 99 8541.10.0080 50 짐 1 음극 음극 공통 120 v 15a 830 mv @ 15 a 100 µa @ 120 v -65 ° C ~ 175 ° C
SBR4U130LP-7 Diodes Incorporated SBR4U130LP-7 0.7500
RFQ
 ECAD 184 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powerudfn SBR4U130 슈퍼 슈퍼 U-DFN3030-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 130 v 750 mV @ 4 a 100 µa @ 130 v -65 ° C ~ 150 ° C 4a -
SBR30A45CTFP-G Diodes Incorporated sbr30a45ctfp-g -
RFQ
 ECAD 8022 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SBR30 슈퍼 슈퍼 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-SBR30A45CTFP-G 귀 99 8541.10.0080 50 짐 1 음극 음극 공통 45 v 15a 500 mV @ 15 a 500 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
BAR99TA Diodes Incorporated bar99ta -
RFQ
 ECAD 2714 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 bar99 SOT-23-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000
MMSZ5238B-7-F Diodes Incorporated MMSZ5238B-7-F 0.2200
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5238 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 6.5 v 8.7 v 8 옴
BZT52C5V1SQ-7-F Diodes Incorporated BZT52C5V1SQ-7-F 0.0359
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.88% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZT52 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-BZT52C5V1SQ-7-FTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
DMN2400UFB-7 Diodes Incorporated DMN2400UFB-7 0.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn DMN2400 MOSFET (금속 (() X1-DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 750MA (TA) 1.8V, 4.5V 550mohm @ 600ma, 4.5v 900MV @ 250µA 0.5 nc @ 4.5 v ± 12V 36 pf @ 16 v - 470MW (TA)
DMN6040SVTQ-7 Diodes Incorporated DMN6040SVTQ-7 0.6300
RFQ
 ECAD 3150 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMN6040 MOSFET (금속 (() TSOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 5A (TA) 4.5V, 10V 44mohm @ 4.3a, 10V 3V @ 250µA 22.4 NC @ 10 v ± 20V 1287 pf @ 25 v - 1.2W (TA)
PDS5100HQ-13 Diodes Incorporated PDS5100HQ-13 1.3200
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI ™ 5 PDS5100 Schottky PowerDI ™ 5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 710 MV @ 5 a 3.5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 5a -
ZXTP03200BGTA Diodes Incorporated ZXTP03200BGTA 1.0900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA ZXTP03200 1.25 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 200 v 2 a 50NA (ICBO) PNP 275mv @ 400ma, 2a 100 @ 1a, 5V 105MHz
PR6004-T Diodes Incorporated PR6004-T -
RFQ
 ECAD 5124 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 R-6, 축, PR6004 기준 R-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.2 v @ 6 a 150 ns 10 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 6A 140pf @ 4V, 1MHz
B520CE-13 Diodes Incorporated B520CE-13 -
RFQ
 ECAD 3040 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AB, SMC B520 Schottky SMC 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 5 a 100 µa @ 20 v - 5a 340pf @ 4V, 1MHz
DMP3028LPSQ-13 Diodes Incorporated DMP3028LPSQ-13 0.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMP3028 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 21A (TC) 4.5V, 10V 28mohm @ 7a, 10V 2.4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1372 pf @ 15 v - 1.28W
ZTX790ASTOA Diodes Incorporated ztx790astoa -
RFQ
 ECAD 3248 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX790A 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 40 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 750MV @ 50MA, 2A 300 @ 10ma, 2v 100MHz
SBR15A30SP5-13 Diodes Incorporated SBR15A30SP5-13 0.6600
RFQ
 ECAD 1563 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI ™ 5 SBR15 슈퍼 슈퍼 PowerDI ™ 5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 30 v 590 mV @ 15 a 100 µa @ 30 v -65 ° C ~ 150 ° C 15a -
PDS1040-13 Diodes Incorporated PDS1040-13 1.1600
RFQ
 ECAD 173 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI ™ 5 PDS1040 Schottky PowerDI ™ 5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 510 mV @ 10 a 700 µa @ 40 v -65 ° C ~ 150 ° C 10A -
DMP2012SN-7 Diodes Incorporated DMP2012SN-7 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2012 MOSFET (금속 (() SC-59-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 900MA (TA) 2.5V, 4.5V 300mohm @ 400ma, 4.5v 1.2V @ 250µA ± 12V 178.5 pf @ 10 v - 500MW
SBR20A120CT-E1 Diodes Incorporated SBR20A120CT-E1 -
RFQ
 ECAD 7204 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 SBR20 슈퍼 슈퍼 TO-220-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 31-SBR20A120CT-E1 귀 99 8541.10.0080 50 짐 1 음극 음극 공통 120 v 10A 790 mV @ 10 a 100 µa @ 120 v -65 ° C ~ 175 ° C
B250AQ-13-F Diodes Incorporated B250AQ-13-F 0.1221
RFQ
 ECAD 6438 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA B250 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 2 a 500 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A 200pf @ 40V, 1MHz
B230AQ-13-F Diodes Incorporated B230AQ-13-F 0.1018
RFQ
 ECAD 8933 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA B230 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 2 a 500 µa @ 30 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A 200pf @ 40V, 1MHz
MBR2060CT-E1 Diodes Incorporated MBR2060CT-E1 -
RFQ
 ECAD 9121 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 Schottky TO-220-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 810 mv @ 10 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
BSS138DWQ-13 Diodes Incorporated BSS138DWQ-13 0.4200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BSS138 MOSFET (금속 (() 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 50V 200ma 3.5ohm @ 220ma, 10V 1.5V @ 250µA - 50pf @ 10V -
BC848B-7-F Diodes Incorporated BC848B-7-F 0.0349
RFQ
 ECAD 2225 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 15NA NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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